最近，半导体领域又接连迎来好消息。

3月9日，闻泰科技发布公告称，目前公司自主设计研发的绝缘栅双极晶体管（IGBT）系列产品已流片成功，取得阶段性重大进展，各项参数均达到设计要求。

同日，士兰微也发布公告称，公司12寸产线项目也取得积极进展。

截至年底，公司已实现一期项目月产4万片目标，年全年产出芯片超过20万片；随着二期项目建设进度加快，公司将持续推动满足车规要求的功率芯片和电路在12寸线上量。

目前，士兰集科12吋线产品包括沟槽栅低压MOS、沟槽分离栅SGT-MOS、高压超结MOS、TRENCH肖特基、IGBT、高压集成电路等。

趁此机会，我们来和大家聊一下IGBT。

什么是IGBT?

功率半导体器件是半导体器件的重要组成部分，主要包括二极管、晶闸管、晶体管等产品，其中晶体管是市场份额最大的种类，晶体管又可以分为IGBT、MOSFET和双极型晶体管等。

IGBT是由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的优点，是电力电子领域较为理想的开关器件。

资料显示，IGBT因其通态电流大、耐压高、电压驱动等特点，广泛应用于电机节能、轨道交通、智能电网、家用电器、汽车电子、新能源发电、新能源汽车等领域。

“新能源车+光伏+储能”多轮驱动，IGBT市场空间巨大

据国家能源局数据，截至年我国光伏市场新增装机54.88GW，累计装机量为GW，我国光伏累计装机量连续六年居全球首位。安信证券预计年我国光伏新增装机量为GW，年复合增长率达18%；全球光伏新增装机量有望达到GW，年复合增长率达20%。

安信证券指出，IGBT主要应用于光伏逆变器中，光伏新增装机量的持续提升将带动IGBT需求增长，根据产业调研，IGBT在光伏逆变器中的价值量大约为-万元/GW。

储能方面，IGBT主要应用于储能逆变器中，安信证券表示，随着储能技术的迭代和成本的降低，储能装机量增长速度加速。IHSMarkit报告显示，到年新增并网型储能逆变器规模预计增至10.6GW，储能逆变器的应用进一步打开IGBT市场。

新能源汽车方面，IGBT主要应用在电控、空调与热管理、充电系统三大主要场景，根据车配置不同单车价值量在~0元不等。2

总体上来看，开源证券表示，新能源车/光伏/风电/储能的快速发展，将带动IGBT等功率半导体需求的强劲增长。

据开源证券测算，全球仅风电、光伏及储能对IGBT的需求价值量将由年的86.7亿元增长至年的.5亿元，年复合增长率高达20.45%。

相关公司

据中信证券研报，由于国内工艺基础薄弱且企业产业化起步较晚，我国IGBT市场长期被英飞凌、安森美、三菱电机等欧日厂商主导，年时自给率不足20%。

但是，由于国内电动车、光伏、变频家电等产业正加速成长，本土IGBT配套需求旺盛，这样的背景下，国内近年来出台大量相关政策支持产业发展。同时年下半年以来，由于海外IGBT厂商存在涨价且交期拉长的现象，下游客户为保障供应链稳定，积极导入本土供应链厂商，中信证券表示，中国本土IGBT厂商正迎来切入中高端客户供应链+加速实现份额提升的机遇窗口期。

具体公司方面，根据产业调研，中信证券表示可以

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