问题一、MOS管做开关的一个问题

如题所述：单独用MOS管开关和三极管配合MOS管做开关有什么区别呢？

注：三极管是一种三端口半导体器件，由三个掺杂不同的半导体材料构成。它的主要结构包括一个n型或p型的掺杂基区，以及两个p型或n型的掺杂区。其中，基区夹在两个掺杂区之间，这三个区域形成了两个pn结，因此三极管也被称为双极型晶体管。三极管通过控制基极电流来控制集电极和发射极之间的电流。

MOS管是一种四端口半导体器件，由金属氧化物半导体场效应管（MOSFET）和金属氧化物半导体双极性晶体管（MOS-bipolartransistor）两种类型构成。MOSFET的主要结构包括一个金属栅、一个绝缘层和一个半导体材料。金属栅和半导体材料之间的绝缘层可以控制栅极电压，从而控制漏极电流。MOSFET的特点是输入阻抗高，输出电阻低，开关速度快，可靠性高。

三极管主要用于放大和开关电路，而MOS管则主要用于功率放大和开关电路，特别是在高频率和高电压的情况下，MOS管的优势更加明显。

问题二、一个NPN+P-mos开关电路中MOS管容易坏的原因

一个简单的NPN+P_MOS开关控制，负载是nm激光二极管，驱动MCU是STC15F2。现在出现mos管容易损坏的情况，

激光器的参数，这是后面其中一组激光器的原理图，另一组跟它是一样的，一共10颗，每颗功率mw，型号MLJ25。

上期解答：

上期解答一、MOS管不会导通，但是电路上会有电流流过，主要是一般MOS管里面都有个体二极管，现在的这个接法MOS内部的二极管正向导通了

上期解答二、其实是有电子器件都会有漏电流情况，只是多少而已，像NMOS和PMOS本身也会需要消耗电流的，其数值大小取决于器件制造本身所确定的，重点是NMOS和PMOS的漏电流参数IGSS和IDSS，一般实际在线应用能够不大于出厂参数就算已经是极低的漏电流了，即使这样也还是需要在电路实际制作中加以控制和适当调整至最佳状态。

注：这个取决于VGSVDS及Ron所加电压及硬件组合环境有关。