绝缘栅

本土半导体功率器件设计企业新洁能上市三季

发布时间:2024/8/12 14:45:19   
中科白癜风四大惠民活动 http://www.ykhongye.com/yyjs
经济观察网记者黄一帆9月28日,中国半导体功率器件设计公司新洁能(.SH)在上交所主板正式挂牌上市,上市当天股价一字涨停,截至收盘股价为28.67元/股,涨幅为44%。据了解,新洁能本次A股发行价为19.91元/股,发行数量为万股,保荐机构(主承销商)为平安证券股份有限公司。据了解,新洁能的主营业务为MOSFET、IGBT等半导体芯片和功率器件的研发设计及销售。产品主要应用于消费电子、汽车电子、工业电子、新能源汽车/充电桩、智能装备制造、物联网、光伏新能源等领域。三季报营收与净利双双预增据招股书显示,新洁能成立于年1月,专业从事MOSFET(金属—氧化物半导体场效应晶体管)、IGBT(绝缘栅双极型晶体管)等半导体芯片和功率器件的研发设计及销售。新洁能为专业化垂直分工厂商,芯片主要由公司设计方案后交由芯片代工企业进行生产,功率器件主要由公司委托外部封装测试企业对芯片进行封测代工而成,公司已初步完成先进封装测试生产线的建设,将少部分芯片自主封装后对外销售。据了解,目前公司量产屏蔽栅功率MOSFET及超结功率MOSFET的企业之一,是国内最早同时拥有沟槽型功率MOSFET、超结功率MOSFET、屏蔽栅功率MOSFET及IGBT四大产品平台的本土企业之一。从营收来看,近年营收净利较快增长,-年新洁能分别实现营业收入5.04亿元、7.16亿元和7.73亿元,净利润分别为.11万元、1.41亿元和.95万元。值得一提的是,新洁能预计今年1-9月营业收入区间为6.4亿元至6.55亿元,同比上涨18.05%至20.82%;预计年1-9月归属于母公司所有者的净利润区间为万元至万元,同比上涨44.82%至52.69%。新洁能本次发行募集资金扣除发行费用后,将主要用于“超低能耗高可靠性半导体功率器件研发升级及产业化项目”“半导体功率器件封装测试生产线建设项目”“碳化硅宽禁带半导体功率器件研发及产业化项目”“研发中心建设项目”及“补充流动资金”。对于公司的发展战略,新洁能董事长、总经理朱袁正在上市路演中表示:公司将专注于中高端半导体功率器件和模块的研发设计及销售。在保持MOSFET产品技术和市场优势基础上,公司将不断引进各类管理、技术、营销人才,构建高效、现代化的经营管理体系,进一步拓展MOSFET产品、重点深化IGBT产品,成为国内自主创新、技术领先、品质高端的自主品牌的优质企业。同时,朱袁正还表示,公司将进一步加大研发投入,持续整合半导体功率器件封装测试环节垂直产业链,掌控先进半导体功率器件封装产线并布局SiC/GaN(碳化硅/氮化镓)宽禁带半导体功率器件,进一步强化企业核心竞争力,加快发展成为国际一流的半导体功率器件企业。持续投入研发为持续巩固并提升公司在市场中的技术竞争优势,近几年公司持续加大研发投入。数据显示,年—年,公司研发费用分别为.27万元、.88万元、.53万元,年均复合增长率为26.31%。截至年1月19日,公司拥有97项专利,其中发明专利35项,发明专利数量和占比在国内半导体功率器件行业内位居前列;公司拥有的该等专利与MOSFET、IGBT、功率模块以及先进工艺技术密切相关,对公司核心技术形成了专利保护,对同行业竞争者和潜在竞争者均形成了较高的技术壁垒。此外,公司参与在IEEE等国际知名期刊中发表论文13篇,其中SCI收录论文7篇,不断提升公司自身在先进功率半导体领域的整体技术水平,缩小了与国际一流半导体功率器件企业的技术差距,拉大了与国内同行业竞争者的技术差距。公司与科研院所在功率器件设计领域开展长期合作,针对重点项目成立了技术攻关小组。公司持续推进高端MOSFET、IGBT的研发和产业化,在已推出先进的超结功率MOSFET、屏蔽栅功率MOSFET和超薄晶圆IGBT数款产品基础上,进一步对上述产品升级换代。公司目前亦率先在国内研发基于12英寸晶圆片工艺平台的MOSFET产品,部分产品已处于小批量风险试产环节。公司表示,进一步提前布局半导体功率器件最先进的技术领域,开展对SiC/GaN宽禁带半导体功率器件的研究探索和产业化,紧跟最先进的技术梯队,提升公司核心产品竞争力和国内外市场地位。据了解,目前新洁能功率器件应用范围已经逐步拓展至新能源、轨道交通、智能电网等新领域,可以说未来凡是用到电的地方,就会用到功率器件。据Gartner统计数据显示,汽车行业越来越成为下游主要需求方,而功率半导体尤其是MOSFET及IGBT,是汽车电子的核心,根据StrategyAnalytics的分析,在传统内燃机车上,功率半导体价值为71美元,占据车用半导体总价值的21%;而在纯电动车上,功率半导体价值为美元,占据车用半导体总价值的55%。根据全球知名市场研究机构IHS统计数据显示,年、年国内MOSFET市场份额分别为22.07亿美元、26.39亿美元。新洁能年、年分别占国内MOSFET市场份额比例分别为(年度平均汇率分别为6.、6.)2.88%、2.83%,且公司为除英飞凌(Infineon)、安森美(ONSemiconductor)、瑞萨电子(RenesasElectronics)等9家外资品牌外的国内排名前茅的MOSFET研发设计及销售本土企业。

转载请注明:http://www.aideyishus.com/lkcf/6445.html
------分隔线----------------------------