功率场效应管(PowerMOSFET)也叫电力场效应晶体管，是一种单极型的电压管束器件，不单有自关断技能,并且有启动功率小,开关速率高、无二次击穿、平安处事区宽等特征。由于其易于启动和开关频次可高达kHz，希奇适于高频化电力电子安装，如运用于DC/DC变幻、开关电源、便携式电子设施、航空航天以及汽车等电子电器设施中。但由于其电流、热容量小，耐压低，寻常只合用于小功率电力电子安装。

电力场效应管的结讲和处事道理

电力场效应晶体管品种和构造有很多种，按导电沟道可分为P沟道和N沟道，同时又有耗尽型和加强型之分。在电力电子安装中，首要运用N沟道加强型。

电力场效应晶体管导机电理与小功率绝缘栅MOS管类似，但构造有很大差别。小功率绝缘栅MOS管是一次分散孕育的器件，导电沟道平行于芯片表面，横引导电。电力场效应晶体管大多采纳笔直导电构造，提升了器件的耐电压和耐电流的技能。按笔直导电构造的不同，又可分为2种：V形槽VVMOSFET和双分散VDMOSFET。

电力场效应晶体管采纳多单位集成构造，一个器件由不计其数个小的MOSFET构成。N沟道加强型双分散电力场效应晶体管一个单位的部面图，如图1(a)所示。电气标识，如图1(b)所示。

电力场效应晶体管有3个端子：漏极D、源极S和栅极G。当漏极接电源正，源极接电源负时，栅极和源极之间电压为0，沟道不导电，管子处于截至。假设在栅极和源极之间加一正向电压UGS，并且使UGS大于或即是管子的开启电压UT，则管子开明，在漏、源极间流过电流ID。UGS超出UT越大，导电技能越强，漏极电流越大。