绝缘栅双极型晶体管（IGBT）是功率半导体领域的代表性产品之一，具有高频、高压、大电流、易切换等优良特性，被誉为工业交流器件的“CPU”，广泛用于计算机、通信、消费电子、汽车、光伏、工业制造等领域。特别是近年来随着绿色低碳理念逐渐深入人心，新能源汽车、光伏等产
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UPS，即UninterruptablePowerSystem，是一种不间断电源。其核心特点在于能够提供稳定、连续的电力供应，确保在电网干扰或中断时，仍能维持输出交流电源的稳定性。这一特性不仅保障了设备的安全运行，也为工作人员在电网故障时继续工作提供了宝贵的时
电动汽车是未来交通出行的重要部分，作为电动汽车最为关键的零部件之一，IGBT也成为了制约我国电动汽车行业发展的瓶颈之一。比亚迪发布IGBT4.0日前，比亚迪发布了其最新研发的IGBT4.0，这也是目前国内工艺水平和性能指标最先进的电动汽车用电控芯片。作为国内首
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开关电源内部的多样化损耗剖析为了提升开关电源的效率，我们必须对其内部的各种损耗进行分辨和粗略估算。这些损耗主要可归为四大类：开关损耗、导通损耗、附加损耗以及电阻损耗。值得注意的是，这些损耗往往会在有损元器件中同时出现。接下来，我们将逐一探讨这些损耗的成因及特点
近日，西永微电园汽车电子第三场专场对接会举行。现场，车企与电子企业频繁互动并表示，这样的对接会为整车企业找到“家门口”的供应商。西永微电园公司董事长杜卫东介绍，通过前两场对接会的“助推”和“加速”，成果已逐步显现。主机厂介绍了研发、采购、品质需求以及进入采购体
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威兆半导体提出的绝缘栅双极型晶体管及其制备方案，该方案可以增强绝缘栅双极型晶体管的电导调制效应，从而可以减小绝缘栅双极型晶体管的导通压降，同时关断损耗几乎没什么变化，可使导通压降和关断损耗有一个更好的折衷。集微网消息，绝缘栅双极型晶体管（IGBT）凭借着其高电
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IGBT预期差IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件,兼有MOSFET的高输入阻抗和GTR的低导通压降两方面的
白癜风微信群 http://www.lvyouxfnet.com/48705.htmlMOS管，即金属-氧化物-半导体型场效应管，是一种绝缘栅型器件。其结构构造包括在一块低掺杂浓度的P型半导体硅衬底上，通过半导体光刻和扩散工艺，形成两个高掺杂浓度的N
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