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(报告出品方/作者:中国银河证券,高峰、王恺、王子路)
一、逆全球化抬头,半导体国产替代空间巨大
(一)全球化退步,存量经济时代各国“补短板”
中国加入WTO后,随着全球化的发展,过去二十年中国的电子产业链迎来了高速扩张,以美国为主的资本主义国家,利用占据产业制高点和资本的优势,决定了其生产组织模式、市场规则、金融体系充当了全球化的世界性标准,客观上制约和操纵着整个世界的经济交往与市场行为,中国在过去二十年的发展中通过开放的市场,人口红利,以及丰富的资源,完善的工业体系等,推动中国制造迅猛发展,充当了世界工厂的角色。本轮全球化的起点始于二战结束,美元确立了统治地位后,资本的全球化进一步促进了美国的强大,而在这之前的三十年内则是逆全球化的阶段,这期间爆发了两次世界大战。因此逆全球化往往代表了大国冲突的加剧,利益格局的重新洗牌,而本轮逆全球化实际上最早始于年。
特朗普执政以来,贸易保护主义和逆全球化开始真正抬头,在企业跨国生产决策中经济因素不再是唯一重要考量,地缘政治和外交等因素的影响逐渐上升。国际格局动荡,全球逐渐由“增量时代”进入“存量时代”,大国博弈加剧。最初的贸易保护主义只是临时的应对措施,以抵制商品的进口,但随着经济全球化的快速发展和“逆全球化”的兴起,如今的贸易保护主义显示出多样化和强制性。全球化时代各国之间分工形成三种功能类型的国家,他们分别是资源型国家、生产制造型国家和消费型国家。疫情以来各国生产、流通、进出口贸易遭受较大冲击,全球产业链、供应链和价值链“断裂”风险上升。大国博弈加剧,为了避免相关产业发展受制于人或被其他国家控制,主要发达经济体在敏感核心领域都加强了对外资的审查力度、设置了更多障碍。中短期内全球化将进入有限全球化时代,各个国家将根据自身所处产业链的位置,划分利益圈层,我们认为逆全球化并非长期趋势,新一轮的产业革命会引导形成新一轮的国际产业梯度转移和国际分工调整,并决定未来全球产业分工是再次全球化的繁荣还是继续保持有限全球化。
(二)半导体产业依然具备较大的国产替代空间
国内经济过去二十年高速发展带动的内需提升,叠加国内加工制造产业集群的完善,使中国经历了二十年的高速发展。从电子产业链的价值链条来看,中国已经实现了在电子产业链中下游如消费电子零部件、显示器件、光学器件、LED、PCB等领域的绝对优势,全球市占率位居前列。但在产业链上游的半导体设备、材料、集成电路等领域,国内占比依然很低。这些领域将成为国内补短板强化供应链安全的重点领域。
中国大陆自年以来一直是全球最大芯片消费国,但芯片产值却一直与芯片消费额差距巨大,根据ICinsights的数据,年本土IC产值仅占国内IC消费市场份额的6.6%,而剩余部分分别来自台积电、SK海力士、三星、英特尔、联电和其他在中国拥有IC晶圆厂的外国公司。以年为例,中国大陆制造的芯片价值为亿美元,与整个中国大陆的芯片消费市场(亿美元)相比,占比仅为16.7%,虽然高于10年前——年的12.7%的占比,但ICinsights预测,中国大陆在年的占比也只有21.2%,相比年仅增加了4.5个百分点,即未来五年平均每年增长0.9个百分点。
根据ICinsights的数据,年中国大陆的芯片自给率仅为16.7%,而这个数字到了年,也仅为21.2%。中国依然有庞大的内需市场等待国产供给的补充。芯片的自给自足和内循环大有可为。年在中国大陆制造的价值亿美元的芯片中,总部位于中国大陆的公司生产了价值亿美元的芯片,占比39.4%,在中国大陆亿美元的芯片消费市场当中占比6.6%。台积电、SK海力士、三星、英特尔、联电和其他在大陆中国拥有晶圆厂的企业则生产了价值亿美元的芯片,占比约60.6%,在中国大陆亿美元的芯片消费市场当中占比约10.1%。可以看出中国的IC市场依然有非常大的国产替代空间。
最为显著的就是晶圆制造环节,晶圆制造环节在研发方面占整个半导体产业的13%,但资本投入却占据了64%,据SIA统计和预测,美国在年的晶圆制造产能占全球的37%,现在已经下滑到12%。如果继续按这样发展下去,到年美国的半导体制造能力将只有全球总产能的10%。而同期中国则一路上升,从年接近零到年的3%,再到现今的16%,到年预期将达到24%。
Gartner统计的中国前25名半导体供应商排名,前十名的企业营收都已达10亿美元左右。表现较为突出的是长江存储、兆易创新、唯捷创芯、嘉楠和国科微电子,他们都实现了三位数的同比营收增长。
(三)存储芯片市场扩容,汽车智能化升级带动需求提升
智能汽车对大容量存储产品需求提升,车载存储市场规模增长明显。自动驾驶技术对于V2X多场景的渗透,不仅对算力芯片需求提升,而且存储领域需求也在不断上涨,根据IDC数据显示,年L1及以上新车渗透率将达到74%,L2渗透率将突破28%,自动驾驶等级的提升,载信息娱乐系统(IVI)、多摄像头视觉处理、长寿命电池和超高速网络接入,算力需求提升的同时,存储芯片的需求也在逐步提升,包括数据缓存(DRAM、SRAM)、存储(NAND)和其他存储(NORFlash、EEPROM等)。从市场规模来看,车载存储市场规模将在年突破43.5亿元,预计到年市场规模将达到82.6亿元,期间CAGR将达到17.39%。
ADAS和IVI系统为存储需求最大领域。根据闪存市场调研数据显示,车载信息娱乐系统(IVI)和ADAS系统为当前车载存储需求最大市场,其中ADAS占比超过10%,IVI超过80%。但是随着未来自动驾驶技术逐步成熟,ADAS所需存储空间会逐步提升。从当前数据显示,高端车型中,ADAS通常采用8GBDRAM和GBNAND,IVI采用12GBDRAM和GBNAND,可以看到IVI对DRAM需求高于ADAS,主要因当前汽车自动驾驶技术不成熟,对DRAM产品需求不高,随着智能汽车自动驾驶等级提高,ADAS对存储空间需求将会成倍增长。
国内存储市场空间非常大,约占全球消费的30%,自给率不足5%。根据SIA数据显示,年全球芯片销售额亿美元,同比增长6.5%,其中,中国市场占全球半导体销售额的30%。美、韩三家存储巨头全球市占率94.2%。其中三星电子第三季度全球DRAM芯片市占率提升至43.9%,继续保持第一,SK海力士市占率27.6%,排名第二,美国美光科技排行第三,市占率为22.7%。
国内厂商积极布局利基市场和车载存储市场。从目前利基市场来看,三星、美光、西部数据、Cypress将业务中心已经放在大容量存储产品,正在逐步退出利基市场。利基型存储主要厂商分布在中国大陆及中国台湾,规模较大的厂商包括华邦(中国台湾)、旺宏电(中国台湾)、兆易创新、北京君正、普冉股份、东芯股份等,近年来规模持续扩大,逐步替代头部厂商空出的市场。
(四)晶圆厂扩产趋势下,后周期的半导体材料迎来爆发
半导体材料处于半导体产业链上游,是整体半导体产业的底层基础。半导体产业链整体可被分为上、中、下游三个板块,其中上游为半导体的支撑产业,由半导体材料和半导体设备构成;中游为半导体制造产业链,包含IC的设计、制造和封测三个环节,其生产的产品主要包括集成电路、分立器件、光电子器件和传感器;下游则为半导体的具体应用领域,涉及消费电子、移动通信、新能源、人工智能和航空航天等领域。半导体制造企业又可以根据运作模式分为IDM(IntegratedDeviceManufacture)和Foundry两种,IDM是指集芯片设计、制造、封装测试到销售等多个产业链环节于一身的垂直整合模式,能够协同优化各个环节,充分发掘技术潜力,代表企业有三星、德州仪器(TI);Foundry是指只负责制造环节的代工厂模式,该类模式不承担由市场调研失误或产品设计缺陷所带来的决策风险,但相对前者更受制于公司间的竞争关系,代表企业包括台积电、格罗方德和中芯国际等。在半导体产业链中,半导体材料位于上游发挥着其特有的产业支撑作用,是整体半导体产业的底层基础。
全球半导体材料市场规模整体呈增长趋势,中国大陆成为全球第二大半导体材料市场。根据SEMI统计,年全球半导体材料市场规模亿美元,年达到亿美元,年复合增速达5.01%,其中晶圆制造材料复合增速达7.78%。年全球半导体材料市场预计可达到亿美元,同比增长4.82%,继续保持增长趋势。分地域看,年中国台湾地区半导体材料市场规模为.8亿美元,继续位居全球第一,中国大陆市场规模超过韩国达97.63亿美元,跃居全球第二,其次是韩国市场,规模为92.31亿美元,前三占比合计超总市场规模的一半。
晶圆制造材料占比逐步提高,硅片是最大的半导体材料单一市场。从半导体材料结构分布来看,年晶圆制造材料规模达亿美元,占总材料比重从年的55%增长到年的63%。根据SEMI数据,年硅片市场规模达亿美元,占据晶圆制造材料总规模的35%,远超其他制造材料稳居第一,是最大的半导体材料单一市场,电子特气和光掩模市场规模位列第二、三位,分别为45和42亿美元,而其他制造材料占比均不足10%。
中国大陆半导体材料市场规模增速远超全球平均水平。年,中国大陆半导体材料市场规模全球占比为17.65%,相较年上升了7.65个百分点,仅次于中国台湾(22.39%)位列全国第二。回望-年全球半导体材料销售额,中国大陆半导体材料销售额从32.70亿美元增长至86.90亿美元,年复合增长率为10.27%,同比增速整体高于全球。根据SEMI统计,年中国大陆市场规模同比增速达12%,高出全球增速7.1个百分点,市场增长势头强劲;预计年将达到亿美元,同比增长6.52%。增速有所放缓。
半导体材料国产化率较低,国产替代空间广阔。半导体芯片制造工艺的发展整体遵循摩尔定律,意味着技术节点将不断向更小的线宽靠拢,而半导体材料能否配合先进制程进行相应的技术迭代,决定了摩尔定律能否继续推进。根据SEMI数据显示,国内不同半导体制造材料技术进度不一,其中硅材料和光刻胶技术节点分别只达到0.25um和0.13um,光掩膜、抛光材料和靶材则已达到28nm的技术节点,并有望向14nm进一步发展,而工艺化学品还未实现0.25um的技术节点。就整体来看,国内与国外在半导体制造材料方面技术差距较大,存在广阔的国产替代空间。
国内厂商加速布局,诸多领域实现从0到1突破,半导体材料有望迎来国产化突破。由于高端产品的技术壁垒,我国半导体材料多集中于中低端领域。而自中美贸易摩擦以来,半导体材料国产化的诉求愈发强烈。迎合国内对高端半导体材料日益增长的需求,国内半导体材料企业加速布局产品技术研发和产能扩张。雅克科技、沪硅产业、南大光电等均募资投入研发制造。(1)雅克科技非公开发行不超过12亿元加速半导体关键材料光刻胶及光刻胶配套试剂的研发,投资2.88亿元扩大集成电路新型材料球形硅微粉的产能。(2)沪硅产业定向募集50亿元用于mm高端硅片研发、mm高端硅基材料研发,加快高端半导体材料研发进度。(3)南大光电研发ArF光刻胶产品并于年底建成投产,可实现年化25吨产能,保证集成电路制造材料的有效供应。
制程的进步推动半导体材料价值量增加,需求相应进一步提升。摩尔定律是指集成电路上可容纳的元器件的数目,约每隔18-24个月便会增加一倍,性能也将提升一倍。在摩尔定律下,芯片工艺制程的技术节点不断向前迈进,半导体制造材料的成本也不断上升,从而推动半导体材料的需求提升。根据IBS数据显示,每当向前推进一个节点时,流片成本将提升50%,其中很大部分是由于半导体制造材料价值提升所致。以光掩膜为例,在16/14nm制程中,所用掩膜成本在万美元左右,到7nm制程时,掩膜成本迅速升至1万美元。
全球晶圆厂扩产趋势明显,大陆新增产能尤为可观,拉动半导体材料需求。根据SEMI数据显示,-年全球新增半导体产线共计62条,其中中国大陆有26条产线,占比超40%。此外,全球半导体制造商将于年底前开始建设19座新的高产能晶圆厂,并在年再开工建设10座,以满足市场对芯片的加速需求。其中,中国和中国台湾地区将各建有8座,处于全球新建晶圆厂数量领先地位,美洲紧随其后,共建有6座。在8英寸晶圆方面,SEMI预计年全球8英寸晶圆厂设备支出将进一步扩大,逼近40亿美元,而中国大陆将以mm的产能居全球领先地位,其市场份额将达到18%,其次是日本和中国台湾地区,分别达到16%。全球晶圆厂扩产背景下,中国大陆作为晶圆制造产能的新兴领域,将进一步拉动上游半导体材料需求。(报告来源:未来智库)
(五)国产半导体设备加速导入,核心零部件国产替代拉开帷幕
半导体设备包含8大关键子系统。半导体产业调查公司VLSI的统计显示,半导体设备包括8类核心子系统:气液流量控制系统、真空系统、制程诊断系统、光学系统、电源及气体反应系统、热管理系统、晶圆传送系统、其他集成系统及关键组件,每个子系统都包含了较大数量的零部件。
全球半导体零部件市场规模预计在年达亿美元。根据半导体设备有关公司的财务数据,半导体设备企业营业成本的80%-90%用于采购半导体设备零部件及原材料。此外,半导体设备企业的毛利率基本处于40%-60%之间,营业成本大约占营业收入的一半左右。由此推断,半导体设备零部件及其他原材料的市场规模大约占全球半导体设备市场规模的40%-45%,且半导体设备零部件占主要部分。根据SEMI预计,年全球半导体设备市场规模将达到亿美元,因此,全球半导体零部件的市场规模约在亿美元左右。
美国、日本公司在半导体设备零部件方面处于垄断地位。在ICWorld公开了20类半导体核心零部件产品的44家主要供应商,其中,美国供应商有20家,约占45%,日本供应商16家,约占36%,两国处于明显优势地位。此外,还有2家德国供应商、2家瑞士供应商、2家韩国供应商、1家英国供应商,全部为境外供应商。半导体晶圆制造进口依赖度高。在半导体晶圆制造流程中,阀类、密封圈、静电吸盘、陶瓷类真空压力计等零部件进口份额较大。其中,阀类费用约占耗材成本支出的10.6%,有较大的市场需求,但国内在该领域仍处于空白。芯谋研究数据显示,我国半导体零部件国产化水平较低,仅Quartz成品、Showerhead、Edgering等少数几类半导体零部件国产化率超过10%,Valve、Gauge、O-ring等基本依赖进口。
半导体零部件国产化替代进行时。据统计,目前至少有10家以上本土企业致力于半导体零部件国产化,包括英杰电气、万业企业、新莱应材、靖江先锋、晶盛机电、江丰电子等。以江丰电子为例,其半导体零部件主要布局PVD机台用ClampRing、Collimator、CVD、etching机台用faceplate、showerhead等,化学机械研磨机台用金刚石研磨片、RetainingRing等。
二、把握电子行业未来十年产业趋势,持续看好汽车电子
(一)创新周期刺激需求周期,汽车电动化引领新时代
根据台积电22Q1业绩会上的数据,公司的收入目前由极大平台构成,分别是:智能手机、HPC、IOT、汽车、DCE、其他。而从平台的增速来看,消费电子显著放缓,而HPC和汽车相关的需求则大幅增长。应用领域营收占比:智能手机占比40%,HPC占比41%,物联网占比8%,汽车电子占比5%,DCE占比3%。从增速来看,智能手机qoq+1%,HPCqoq+26%,物联网qoq+5%,汽车电子qoq+26%,DCEqoq+8%。
汽车电动化、智能化将大幅提升汽车电子的单车价值量,汽车电子信息市场规模有望加速增长。汽车电子含量显著提升主要来自于两方面:电动化方面,功率半导体、MCU、传感器量价齐升,据StrategyAnalytics数据统计,传统汽车车均半导体成本约为美金,插混汽车和纯电动汽车的汽车电子含量增加超过一倍:插混汽车车均半导体成本约为美金,主要增量来自功率半导体。智能化方面,车载摄像头、雷达、SoC等芯片需求量大幅增长:自动驾驶级别每提升一级,传感器的需求数量将相应的增加,到L4/L5级别,车辆全身传感器将多达十几个以上。汽车电动化+智能化+网联化趋势下,汽车电子单车价值量将显著提升,我们预计-年汽车全球汽车电子市场规模的复合增速将维持在6.5%左右,预计到年全球汽车电子市场规模将突破3,亿美元。汽车电子信息有望接力智能手机成为电子行业发展的新动力,汽车电子信息产业链迎来黄金发展期,成为未来十年电子行业最大的产业趋势。
我国车企的崛起以及科技公司的快速渗透,将驱动我国汽车电子产业链快速发展。我们认为,由于本土供应链在成本控制、政策补贴上有显著优势,我国车企将优先选择本土零部件供应商。随着我国自主品牌汽车销量的快速增长,我国零部件商有望通过技术积累以及规模效应逐渐进入全球汽车供应链。由于手机等消费电子进入成熟期,科技公司的上游零部件供应商纷纷布局汽车电子等高成长领域,有望通过科技公司快速切入汽车电子产业链。汽车电动化带动单车功率半导体价值量大幅提升。随着汽车电动化和智能化的不断推进,汽车电子用量增加,驱动汽车功率半导体增长。电动化方面,新能源汽车主要可以分为纯电动汽车(BEV)和混合动力汽车(HEV),目前二者合计占比超过90%,其他类型如燃料电池汽车占比很小。与传统汽车相比,新能源汽车的汽车电子成本占比大幅提升。根据StrategyAnalytics的数据,传统燃油车的车均半导体用量为美元,而功率半导体仅占21%,为71美元。混合动力汽车新增的半导体中76%是功率半导体,车均增量达到美元,功率半导体价值为传统汽车的4倍,纯电动汽车中的功率半导体价值量则比混合动力汽车中更多,平均来看,新能源汽车功率半导体单车价值量是传统燃油车的约5倍。
新能源汽车充电桩的发展将成为功率半导体市场又一重要驱动力。充电桩作为新能源汽车的配套设施,必将跟随新能源汽车发展而发展。据麦肯锡统计及预测,年中美欧新能源汽车充电需求约为亿千瓦时,预计到年,伴随新能源汽车渗透率的提升,新能源汽车充电需求将高达2亿千瓦时。年中美欧充电桩数量约为万个,预计到年增长至0万个,年复合增速约30%。作为新能源汽车充电桩的核心零部件,功率半导体用量将在新能源汽车充电设施旺盛需求驱动下大幅增长。目前充电桩平均成本约3美元,功率半导体约占充电桩成本20%,我们预计未来10年充电桩功率半导体增量空间将超过亿美金。
(二)供需缺口较大,功率半导体国产替代空间广阔
IGBT是新能源汽车中核心功率半导体部件。目前车用功率半导体中主要用到的是IGBT和MOSFET。MOSFET又称金属-氧化物半导体场效应晶体管,具有开关速度高、开关损耗小优点,但传导损耗很高。IGBT(绝缘栅极双极型晶体管)是由BJT(双极型三极管)和MOSFET(绝缘栅型场效应管)组成的复合式半导体,兼具MOSFET和BJT的优点,拥有输入阻抗高、导通电压低、高压环境下损耗小等特点,在新能源车中是电驱系统主逆变器的核心器件,并被广泛用于辅助功率逆变器(为汽车空调等电子设备供电)、DC/DC直流斩波电路、OBC(充电/逆变)等。
IGBT在新能源汽车功率半导体中占比约8成,是汽车电动化最受益的细分领域。据Yole及EVSalesBlog统计数据显示,年全球插电式混合动力汽车及纯电池电动车共销售约万辆,而全球新能源汽车IGBT市场规模约为6亿美元,由此可推算目前新能源汽车中IGBT单车平均价值量约为美元,占单车功率半导体价值量超过80%。作为电动化下核心受益品种,我们预计全球新能源汽车IGBT将在未来几年实现快速增长,年市场规模达到约50亿美元。
SiC基功率器件适用于高压领域,具有更好的性能,可部分替代IGBT。第三代半导体材料以氮化镓(GaN)、碳化硅(SiC)、氧化锌(ZnO)、金刚石为四大代表。其中,碳化硅的耐高压能力是硅的10倍,耐高温能力是硅的两倍,高频能力是硅的2倍。相同电气参数产品,采用碳化硅材料可缩小体积50%,降低能量损耗80%。使用碳化硅材料替代原本硅基材料,可实现器件体积更小同时能量密度更大。根据英飞凌数据,相比于Si基材料逆变器,SiC材料逆变器拥有更低的体积及重量,分别是其1/3、1/4;同时,Rohm数据显示,SiCMOSFET在实际应用中,开关频率可达50KHz以上,是主流IGBT开关频率(最高20KHz)的两倍以上,能量损耗则是其27%。SiC基MOSFET凭借其优良的性能和体积优势有望替代部分IGBT。
SiCMOSFET成功打入高端车型,实现从0到1的突破,有望继续发展。第三代半导体领先企业Cree、英飞凌以及特斯拉、福特、丰田等汽车巨头都在推动SiC器件在汽车上的应用,并且部分高端车型已经实现从0到1的突破。特斯拉推出第一款集成全SiC功率模块车型——Model3,由特斯拉及意法半导体共同设计,此车型SiC功率模块由英飞凌供应。丰田汽车在普锐斯和凯美瑞混动车的PCU中安装了共同开发的SiC功率半导体,并进行重复驾驶测试和公路测试。比亚迪推出首款批量搭载SiCMOSFET组件的车型——比亚迪汉EV四驱版,SiC电控综合效率高达97%以上。
供需缺口较大,功率半导体国产替代空间广阔。中国功率半导体市场存在明显的供需错配情况。从需求端来看,据IDC统计,中国拥有全世界最大的功率器件市场,全球占比高达39%;从供给端来看,欧美日厂商占据全球70%的市场份额,且在IGBT和中高压MOSFET细分领域占比超80%,而大陆厂商仅占约10%的市场份额,产品以二极管、低压MOSFET、晶闸管等低端功率半导体为主。在新能源汽车IGBT模块方面,整个市场呈现头部集中态势,CR4为83%,国内厂商仅比亚迪、斯达半导及中车时代电气三家企业入围前十大厂商,合计占比约20%,国产化率有待进一步提升。
全球功率半导体供不应求,加快国内产品导入进程。全球半导体市场需求强劲,新能源汽车、手机快充、光伏风电等下游领域快速增长,带动以MOSFET和IGBT为代表的功率半导体需求持续提升。上游原材料持续不断上涨,产能持续紧缺,供货周期加长,出现了严重的供需失调现象。英飞凌、意法半导体、安森美等主流厂商均出现了功率半导体产品涨价和交货周期延长的现象,Q1功率半导体、电源管理IC需求仍处于高位,部分功率半导体交货周期超过1年,英飞凌、意法半导体、恩智浦等海外功率半导体大厂均表达了对今年功率半导体高景气的预期,年全年产能已经全部排满。中美贸易摩擦使得国内企业建立自主可控供应链意愿更加强烈,近期功率半导体缺货的情况也会迫使车企加速国内产品导入,我们认为国内功率半导体有望迎来国产替代加速。
国内企业加速布局,SiC产业链初具雏形。碳化硅的产业链分为衬底、外延和器件环节。衬底常用Lely法制造,国际主流采用6英寸晶圆,正向8英寸晶圆过渡;国内衬底以4英寸为主,主要用于10A以下小电流产品。外延常用PECVD法制造,国内部分公司可提供4/6英寸外延片。器件领域国际上-V碳化硅SBD、MOSFET都已量产,Cree已开始布局8英寸产线,国内企业碳化硅MOSFET还有待突破,产线在向6英寸过渡。碳化硅器件领域代表性的企业中,目前来看在国际上技术比较领先的是美国的CREE,其覆盖了整个碳化硅产业链的上下游(衬底-外延-器件),具有核心的技术。在SiC生产应用方面,国内实力也在不断强化,华润微于年7月实现国内首条商用6寸SiC生产线量产,规划产能达1片/月;新洁能亦在第三代半导体投入巨大,目前已掌握多项相关专利,并将重点布局新能源汽车应用领域,计划推出SiC二极管系列产品。
(三)汽车智能化带来算力需求大幅提升,计算芯片需求旺盛
伴随着自动驾驶等级的提高,汽车传感器的种类和数目越来越多,数据量指数级增长,对算力相应提出更高要求。L1级自动驾驶仅需小于1TOPS的算力,L2级自动驾驶需大于10TOPS的算力,L3级自动驾驶需大于TOPS的算力,而L4级和L5级自动驾驶所需的算力超过1TOPS。
车用计算类芯片主要可分为MCU和SoC芯片。MCU(MicrocontrollerUnit)即微控制单元,又称单片机,是CPU、存储以及接口单元的集合,以控制指令运算为主、算力较弱,而SoC芯片以智能运算为主,具有更强的算力,主要负责驾驶功能。MCU供需持续紧缺。从目前的MCU渠道价格和交期来看,全球MCU依然紧缺,海外大厂交期普遍在40周以上,部分产品处于缺货状态。由于汽车芯片供应短缺,交货期几乎没有改善,一些国际IDM已经在年第一季度初将汽车用MCU的报价平均提高了20%,第二季度价格仍然呈上涨趋势。考虑到供给端8英寸晶圆厂产能紧缺,物流不畅,目前来看整体市场依然处于供不应求的状态。
汽车缺芯将为国内企业带来产品导入机会。竞争格局方面,欧美日厂商处于第一梯队,国产渗透率极低。据IHSMarkit统计,年全球车规级MCU市场CR6市占率达到93%。一方面,车规级MCU技术要求高,厂商研发投入大、周期长;另一方面,出于安全性及可靠性考虑,客户认证标准要求远高于消费和工业级MCU,国内仅少数厂商量产中低端产品。受益于汽车厂商芯片短缺危机,整车厂着手丰富其采购渠道,引入新供应商以对冲芯片短缺危机,保障其终端产品的出货计划。车企供应商一般较为稳定,一旦导入产品,通常至少能实现5-10年稳定供货期,国内MCU企业将迎来新的机遇。据ICInsights统计及预测,全球车用MCU市场规模年达到65亿美元,预计到年增长至88亿美元,复合增速与达到6.24%。
汽车架构由分布走向集中,催生对更高集成度的SoC芯片需求。传统汽车分布式架构使用ECU算法,汽车各项功能相互独立,所需算力MCU芯片便可满足。而在汽车智能化浪潮下,传统分布式架构难以满足升级要求,汽车控制集中化已是大势所趋。各传统主机厂纷纷加大对此方面的研发投入,实现路径各不相同,但均向域控制、集中式控制发展。域控制器集成之前诸多ECU的运算处理器功能,一方面对芯片算力的需求大幅提升,同时也需要域内各控制部分相互协调,相应催生了对SoC芯片的需求。对比以CPU计算为主的MCU,SoC芯片一般集成了CPU、图像处理GPU、音频处理DSP、深度学习加速单元NPU+内存+各种I/O接口,功能更加强大,目前主要应用于智能座舱与自动驾驶领域。根据GlobalMarketInsights的数据,年的车载AI芯片市场规模超过10亿美元,预计到年将增长至亿美元,复合年均增长率超过35%。根据StrategyAnalytics预测,ADAS功能在我国乘用车中渗透率将从年的不到20%提高至年的70%以上,主控芯片和计算平台成为汽车智能化发展核心,车载SoC芯片成为新增市场。
高端SoC芯片具有较高的技术壁垒。首先,除了算力与架构,未来有竞争力的SoC芯片还需具有较高的功耗比。功耗比等于算力/功耗,目前车用SoC功耗比已经由最初的1TOPS/W左右发展至目前的2TOPS/W左右,预计未来有竞争力的产品功耗比将向3TOPS/W及以上发展。对算力与功耗比的追求,就要求使用更先进的芯片制程,目前L1-L3自动驾驶芯片采用28nm制程即可基本满足要求,而L4-L5预计需要使用7nm及更先进制程的芯片。其次,需要满足更为严格的车规级认证标准。自动驾驶直接关系到人的生命安全,因此要求极高的可靠性及稳定性,通常需要完成AEC-Q车规级认证,同时还需获得ASIL安全等级认证,ASIL分为A、B、C、D四个等级,最高等级的D级意味着整个系统范围内单点故障率不超过1%。此外,要考虑软硬件协同及与底层系统的兼容性。SoC芯片需要与底层系统进行适配,从而同车厂、零部件供应商协同开发功能模块,形成基于SoC、系统、软件的车载生态,构造核心竞争力,目前主流的底层车载操作系统有Linux、QNX、Android等。
目前,全球高端车规级SoC芯片玩家以传统芯片与科技巨头为主。英特尔以收购Mobileye的方式切入车规级SoC市场,Mobileye是以摄像头为主的图像识别技术全球龙头,公司EyeQ系列新品全球出货超过0万片,ADAS产品已出现在27个汽车厂商旗下款车型中,是目前全球ADAS市场的主要引领者。英伟达是全球GPU龙头,全球市占率在70%以上,公司基于自身在GPU方面的优势,不断推进其产品在汽车智能座舱与自动驾驶方面的应用,并为车企提供开放性的解决方案,其产品在L4-L5高级别自动驾驶方面居于全球领先水平。特斯拉不断加大自身在智能驾驶方面布局,其旗下产品FSD功能不断丰富、性能不断加强,FSD售价持续提高,并且特斯拉正探索FSD新的商业模式,向订阅服务看齐。华为作为国产科技引领者,以自动驾驶系统核心零部件及解决方案赋能车企,打造华为汽车生态,目前车载SoC方面,公司在智能汽车领域主要有Ascend和Ascend芯片,以及搭载自研芯片的智能驾驶计算平台MDC和MDC,计算能力可以覆盖从ADAS到L5的全赛道。高通作为消费电子芯片巨头,依托SnapdragonRide平台在全球汽车制造商和一级供应商的支持下稳步发展,凭借卓越算力性能表现,同时具备高度的可扩展性,满足定制化需求,逐步实现对座舱电子和自动驾驶芯片的渗透。
传统汽车芯片企业也在向自动驾驶SoC芯片渗透。全球汽车半导体龙头瑞萨,联合整车厂合作伙伴,凭借其传统产品研发技术积累,加强对高性价比、高算力芯片产品投入,目前已发布其最新产品R-CARH3,主要用于智能座舱。恩智浦发布旗下旗舰安全汽车高性能计算开发平台全新扩展版本——BlueBox3.0,为汽车制造商提供软件应用开发、验证,帮助设计人员加快系统开发周期和上市速度。我们认为传统汽车芯片企业在车规认证、安全性、车企合作方面具备一定优势,但是在SoC芯片软件开发及软硬件耦合解决方案方面并不具备优势。
国内初创公司加速崛起。地平线是国内第一家实现车载SoC芯片前装量产的厂家,公司已与国内外顶级Tier1和OEM展开合作,如长安、红旗、奥迪、上汽、广汽、比亚迪、佛吉亚、博世等。公司征程2、征程3芯片已实现量产,年还会推出旗舰级的征程5芯片,其算力接近TOPS,而未来征程6芯片的规划算力为TOPS,将采用车规级7nm制程工艺,计划于年推出。黑芝麻于年在上海成立,目前已与比亚迪、滴滴、一汽、蔚来等建立合作关系。目前公司拟已发布了3款自动驾驶芯片,适用于不同等级的驾驶辅助和自动驾驶功能,其中华山二号A1芯片算力可到70TOPS,功耗约8W。
车规级SoC芯片作为增量赛道,竞争格局相比传统MCU更为开放,国内企业有望凭借更高的性价比、更好的本土化服务与开放平台抢占市场份额。相比国外厂商,国内企业有几大优势:1)凭借本土工程师红利与供应链优势,产品相比海外企业具有更高性价比;2)海外企业难以为国内车企提供即时的定制化软硬件服务,国内企业可以专门派出自己的研发团队与车企进行密切合作,提供二次调试等全方位的软硬件支持服务;3)相比于Mobileye“黑箱子”式解决方案,国内芯片厂商不仅提供芯片产品,还能与国内车企共同定制开发独有的生态系统。(报告来源:未来智库)
(四)汽车数据海量增长,汽车存储迎来爆发
汽车电动化、智能化背景下,汽车存储市场迎来爆发。汽车存储芯片主要应用于车载信息娱乐系统、自动驾驶、数字仪表盘、TBOX等方面。在自动驾驶汽车领域,存储技术通过提供基础代码、数据的方式来实现设备间的互联,设备包括仪表盘系统、导航系统、信息娱乐系统、动力传动系统、电话通信系统、平视显示器、传感器、CPU、黑匣子等。年汽车存储芯片占全球汽车半导体市场的8%,预计汽车存储芯片未来将进一步打开市场,有望在年达到全球汽车半导体市场的12%。
车载存储未来5年复合增速超30%,DRAM和NAND是主要增量环节。自动驾驶、智能座舱等将带动汽车数据量海量增长,相应需要更大容量存储来满足需求,DRAM和NAND等高性能存储器件将是未来汽车上使用的主要存储器。据HIS、IDC预测,DRAM和NAND将分别以33%和37%的年增长率在年达到85亿美元和61亿美元的市场规模,未来市场空间广阔。
(五)传感器是自动驾驶的基石,看好摄像头与激光雷达
智能传感器则是自动驾驶的核心。目前用于自动驾驶环境感知的传感器主要包括:毫米波雷达、激光雷达、超声波雷达和车载摄像头等。摄像头是传统视觉解决方案的基础,价格较低,而且可以根据不同功能的要求安装在不同位置上。毫米波雷达是指工作在毫米波波段探测的雷达,波长1~10mm,介于微波和厘米波之间,兼具微波制导和光电制导的优点。超声波雷达是利用超声波从发射到反射接收的时间差来计算与障碍物之间的距离,常用在泊车系统中。激光雷达主要通过发射激光束来探测目标的位置、速度等特征量。据国家知识产权局,全球自动驾驶传感器专利数量占比前三的传感器为视觉传感器、毫米波雷达和激光雷达,占比依次为30%,22%以及20%。
多传感器信息融合是实现自动驾驶的必由之路。不同类型的传感器优劣明显,单一的传感器难以满足自动驾驶复杂的应用场景,多传感器信息融合已成为行业共识。多传感器信息融合(MSF)利用计算机技术,对多传感器或多源的信息和数据进行多层次、多空间的组合处理,最终做出判断和决策的过程。在这一过程中,不同传感器优势互补,在不同使用场景中发挥各自功能,有效地提高系统的冗余度和容错性,增强了系统决策的准确度和智能化程度。根据信息处理方式的不同,多传感器信息融合的体系结构可分为集中式、分布式和混合式。混合式综合了集中式和分布式的优点,在实际场合中应用广泛。
单车配置数量增加,车载摄像头需求持续增长。车载摄像头单车配置数量的增加有力助推了车载摄像头的市场需求。据中商产业研究院数据,全球车载摄像头出货量由年的0.7亿颗增长到年的1.2亿颗,预计年全球车载摄像头出货量为1.4亿颗。我们预计中国车载摄像头出货量年将超过0万颗,到年将增长至约1.9亿颗,市场发展潜力巨大。
车载摄像头的产业链包括核心元件、模组封装与系统集成、软件算法与解决方案。核心元件主要包括镜头组、CMOS图像传感器、光学镜头、滤光片、音速马达以及数字信号处理芯片(DSP)等。模组及系统集成是将各元件集成为摄像头硬件。在整个车载摄像头硬件中,CMOS图像传感器为核心组件,成本占比达50%,模组封装、光学镜头成本占比分别为25%、14%。
车载摄像头镜头组市场,国内的舜宇光学领先优势明显。舜宇光学的车载摄像头镜头出货量为全球第一,根据前瞻产业研究院整理数据显示,年舜宇光学的市场占有率达到34%,其后的厂商以依次为韩国的Sekonix、kantatsu和日本的fujifilm,行业前四大公司市场占有率CR4达到78%。舜宇光学作为全球领先的国内镜头厂商,于4年进入车载镜头领域,在年时其出货量已稳居全球第一位,成为行业领导者。目前,舜宇的车载系列产品包括前视、后视、环视、侧视和内视镜头等,在车载镜头领域提出了良好的产品解决方案,其主要客户涵盖奔驰、宝马、奥迪、丰田等众多欧美、日韩及国内汽车厂商。此外,联创电子作为国内光学镜头的龙头企业之一,于年进入车载镜头领域并实现了突破性发展。目前,公司有2颗镜头通过MobileyeEyeQ4认证,8颗镜头通过MobileyeEyeQ5认证,产品获得法雷奥、麦格纳、安波福等核心Tier厂商认可,并为奔驰、宝马、特斯拉等知名车企提供相关产品。
车载CMOS传感器领域,韦尔股份是全球市占率第二的龙头企业。安森美深耕汽车电子领域,在全球车用CIS领域市占率超过60%居于全球首位,具有较大竞争优势。豪威科技和索尼位居全球二、三位,市占率依次为20%,8%。近年来,豪威科技在CIS领域不断实现技术突破,市场竞争力不断提升。豪威科技和索尼将手机CIS与汽车CIS相结合,掌握了大小像素曝光技术;此外,豪威科技还多次推出高像素产品OX08A、OX08B,实现车用CIS领域高像素的突破。年韦尔股份完成对豪威的收购,借助豪威在技术和市场占有率方面的优势,未来韦尔股份有望实现进一步的市场扩张和发展。
全球激光雷达市场快速增长。自动驾驶技术的成熟发展与推动创造了对激光雷达市场的庞大需求,全球各大制造商均将激光雷达的研发与应用作为其发展重心,自动驾驶汽车的普及与降价也为激光雷达市场的发展创造了条件,将有力推动全球激光雷达市场的扩大以及激光雷达技术的量产及应用。根据沙利文的统计及预测,激光雷达在年的全球市场规模可以达到.4亿元,较年可实现64.5%的年均复合增长率。这一整体高速增长的态势源自很多因素,如无人驾驶车队规模的扩张、激光雷达在ADAS中渗透率的增加以及服务型机器人和智能交通建设等领域需求的推动。
国内市场起步较晚,但潜力巨大。相较于发达国家,我国激光雷达行业发展起步较晚,市场规模相对较小,但我国庞大的汽车市场决定了我国激光雷达市场的发展潜力。随着我国国产企业的相继崛起以及激光雷达行业研发水平的提高,我国激光雷达覆盖率将稳步提升,根据头豹研究院预测,年我国激光雷达市场覆盖率将达10%,与激光雷达行业领先国家的差距将逐步缩小。从市场规模看,据沙利文的测算,中国激光雷达市场规模在年预计将达到43.1亿美元,较年可实现63.1%的年均复合增长率。从领域分布看,包含无人驾驶与高级辅助驾驶的车载领域占比最大。
国外的激光雷达产业起步较早,企业数目众多,竞争日益激烈,明星企业都有自己的独特优势技术。在无人驾驶领域,Velodyne、Quanergy、Ibeo三家国外企业发展历史较长、技术成熟。Velodyne是一家成立于年的美国企业,其在年推出的64线机械式激光雷达在DARPA无人车挑战赛上火爆一时,是车载激光雷达行业的鼻祖,已于年9月在纳斯达克上市。Quanergy于年成立于美国加州,致力于将激光雷达固态化、小型化、低成本化,在OPA固态激光雷达领域技术领先。Ibeo是一家成立于年的德国公司,其与法雷奥合作研发的ScaLa已被搭载于奥迪A8上,这也令其成为全球第一个实现车规级激光雷达量产搭载的企业。
三家明星企业产品以机械旋转雷达为主,逐步向前装固态领域覆盖。速腾聚创、禾赛科技、镭神智能三家明星企业是选择与Velodyne相同发展路径的代表厂商,产品以机械旋转雷达为主,但都在逐步向前装固态领域覆盖,这三家公司在满足车规级要求同时主打性价比,核心策略是以价格优势抢占Velodyne市场份额。具体比较这三家公司,禾赛科技在高速自动驾驶领域具有较高的市场占有率,而在低速自动驾驶领域则是速腾聚创占据优势。初创公司大量入场,聚焦前瞻固态激光雷达技术。现在固态激光雷达领域还没有公认的成熟解决方案,所有企业基本是齐头并进的竞争,尤其是中国企业积极布局固态式激光雷达,未来极有可能赶超或在全球范围内首先将车规级固态激光雷达搭载在量产车型上。新入场的初创公司大多直接锁定固态激光雷达路径,采用不同的扫描方式来探究在探测距离、探测精度方面性能的提升可能性,以期未来能够登上前装市场。以采用FMCW技术的公司为例,目前有3家公司采取该技术:光勺科技、国科光芯、洛微科技。据公司官方数据,光勺科技计划今年第4季度实现量产;洛微科技则已初步完成样品设计。
科技巨头“跨界”入场,加入前装量产装车战局。随着L3级自动驾驶乘用车于年起逐步进行量产,市场对车规级固态激光雷达的需求迎来了一个小的高潮,大疆、华为等消费电子硬件巨头相继“跨界”拿出了自己的激光雷达新品,加入战局,进一步加剧了激光雷达市场竞争的激烈程度。年大疆、华为先后发布采用旋转扫描架构的混合固态激光雷达。大疆内部孵化的Livox公司在CES上发布了Horizon和Tele-15两款激光雷达。年12月华为首次发布了车规级高性能激光雷达产品和解决方案,这是一款96线中长距激光雷达产品,属于MEMS激光雷达范畴。而且,华为表示已经建立了一条车规级激光雷达的Pilot产线,按照年产10万套/线的规划推进。
三、VR/AR:虚拟照亮现实,终端加速渗透
VR产业加速渗透,AR产业进入商用前期。年消费类VR设备全年出货量已接近千万台,生态有望从游戏逐渐拓展至社交领域;商用VR应用场景不断拓展,在安防、房地产、医疗等领域加速渗透。我们认为,VR创造的“虚拟环境”将逐渐满足消费者及企业的部分社会经济活动需求,实现较大程度的节能减排。AR产品进入商用前期,AR头显设备有望应用于能源行业中,提升电力生产、设备运维和能源使用的效率。
(一)VR终端:商用VR设备密集发布,消费类VR加速渗透
VR虚拟现实通过实现度的视觉体验,让人沉浸在一个模拟逼真的视觉世界中,强大的体验感和人机互交的功能使VR在如今体验感倍受重视的时代有着很大的发展潜力。5G的普及以及基础硬件如芯片、传感器、光学元件、显示屏的升级大大削弱了VR体验的眩晕感等问题,VR终端进入快速渗透期。VR终端的用途主要分为商用市场和消费者市场。在商用市场主要应用于教育培训、工业应用、零售业等;在消费者市场主要应用于游戏、观影等领域。
生态快速发展,消费类VR加速渗透。全球多家科技巨头如Facebook、三星、华为、小米等均已推出VR头戴设备;同时头部厂商积极拓展软件生态,扩展VR设备的用户圈:年4月21日Oculus举行了首届游戏展,发布了12款应用于Quest2的VR游戏,VR游戏生态逐渐完善。我们认为,随5G商用进程加快,VR生态的快速成长,消费类VR设备将进入快速渗透期。据Omdia预测,到年,VR活跃用户将突破4,万,消费类VR设备数量有望增加至4,万台。
目前,消费级VR设备主要由美、日企业垄断。目前全球VR设备仍处于起步阶段,行业龙头集中度较高:据VR陀螺数据统计,Q4随着OculusQuest2的发布,Oculus出货量市场份额基本稳定在75%左右;我国大朋、Pico等企业市场份额则保持在10%-15%左右。我们认为,目前OculusQuest2市场优势较为明显,主要受益于产品性价比较高以及不断丰富的内容生态。随着海内外科技大厂的入场,VR设备有望加速渗透,全球VR设备竞争格局有望重塑。年8月字节跳动收购Pico,我们预计在互联网生态龙头与VR设备领先企业加强合作的基础上,我国VR设备市场份额有望快速提升。
显示、结构件等零部件国产化程度较高,芯片等核心零部件国产化率仍然较低。我国VR设备零部件国产化率已超过50%:屏幕方面京东方、华星光电等传统面板厂已在Fast-LCD、OLED以及MicroOLED等新兴技术布局;组装方面歌尔股份为全球领先的VR代工厂。芯片方面,目前全球VR芯片基本由高通骁龙XR系列芯片垄断。国产VR芯片起步较晚,目前全志科技、瑞芯微等厂商均提供了虚拟现实解决方案:瑞芯微RK采用双Cortex-A72大核+四Cortex-A53小核和高端图像处理器,主要面向高端VR设备市场;全志科技推出的VR9芯片视频播放能力与高通骁龙XR1持平,主要应用于中低端VR设备。(报告来源:未来智库)
(二)AR终端:下一代移动终端,行业发展可期
增强现实(AugmentedReality)技术是一种将虚拟信息与真实世界融合的技术。AR将原本在现实世界的空间范围中比较难以进行体验的实体信息在电脑等科学技术的基础上,实施模拟仿真处理叠加,将虚拟信息内容在真实世界中加以有效应用,并且在这一过程中能够被人类感官所感知,从而实现超越现实的感官体验。真实环境和虚拟物体之间重叠之后,能够在同一个画面以及空间中同时存在。由于AR光学、屏幕等核心零部件仍处于技术攻坚阶段,AR产业仍处于商用化前期:据IDC数据显示,年AR设备出货量为40万台,预计到年将达到万台左右。我们认为,随着上游零部件技术升级以及下游生态的不断完善,AR设备有望成为下一代主流移动终端设备。
目前,AR产业链的上游核心技术还未成熟,诸多技术环节仍处于研发阶段。微显示:考虑到AR显示将投影在外部环境中,需要使用亮度很强的微显示产品,目前主流研发方向为MicroLED。目前MicroLED直显技术仍处在技术攻克阶段,从衬底/外延材料、单片集成到驱动,均未形成较为成熟的解决方案。光学:目前主要研发的方向有自由曲面、Birdbath、光波导等方案。考虑到显示高亮度高精度等需求,衍射光波导方案有望成为未来的主流方案。计算芯片:目前主要使用高通骁龙8系列芯片,市场上尚未出现专门为AR设备设计的计算芯片。
(三)光学器件:VR/AR核心器件,光波导技术有望成为主流
光学器件为VR/AR核心零部件。光学器件主要用于放大屏幕图像提供合适的FOV(视场角);帮助人眼聚焦看到清晰的屏幕,是VR/AR产业链中的核心零部件之一。近眼显示系统是VR/AR硬件设备的核心所在,也是VR/AR硬件主要差异所在:VR设备直接向用户显示虚拟图像;AR设备则需要将虚拟信息“层叠”在现实场景中,因此在近眼显示系统的光学结构上,AR设备需要增加一层光学组合器以实现“层叠”效果。
菲涅尔透镜技术成熟,VR设备眩晕感大幅削弱。VR设备的近眼显示系统最核心的难点在于用户长久佩戴会产生眩晕感。目前厂商主要采用菲涅尔透镜代替非球面镜等传统技术来解决眩晕问题:菲涅尔透镜镜片表面一面为光面,另一面刻录了由小到大的同心圆,去掉了光的直线传播的部分,只保留发生折射的曲面,在省下大量材料的前提下达到更高的聚光效果。当前市面主流VR头显搭载了菲涅尔透镜技术,已基本满足消除晕眩感的三大指标:延迟低于20ms、刷新率高于75Hz、单眼分辨率在1以上。
四、板块迎来业绩底+估值底,三大成长动力推动电子板块迎来新一轮行情
我们选取16年以来SW电子以及SW二级子版块采用历史TTM整体法的市盈率数据(剔除负值),可以看到电子板块当前市盈率为25.59倍,处于16年以来的9.63%分位数,全部A股处于16年以来的22.4%分位数,整体板块虽然近期有所反弹,但相对A股依然处于超跌状态,即便考虑二季度业绩下修,整体板块的估值也处于相对低位。且伴随着疫情的有效控制,各地推动复工复产以及消费政策的推出,带动下游需求回暖,我们认为二季度将是电子板块的业绩底+估值底。
子行业的情况来看:22年一季度SW半导体板块营收亿元,同比+24.7%,环比-8.7%,归母净利润90.5亿元,同比+38.3%,环比-20.9%,板块整体毛利率30.97%,同比减少2.6pct。其中集成电路、分立器件、半导体材料子板块的营收同比增速分别为+23.6%、+29.4%、+32.2%,归母净利润同比增速分别为+39.2%、+39.5%、+26.2%。半导体板块依然保持了同比正向高增长。22年一季度SW光学光电子板块营收亿元,同比+2.7%,归母净利润62.6亿元,同比-47.3%。板块整体毛利率16.4%,同比减少3.6pct。其中显示器件、LED、光学元件子板块的营收同比增速分别为+5%、+1.2%、-21.7%。归母净利润同比增速分别为-48.7%、-32.2%、-73.3%。
22年一季度SW元器件板块总营收亿元,同比+14.4%,归母净利润56.2亿元,同比+12%。其中PCB、被动元件的营收同比增速分别为+11.3%、+19.2%。归母净利润同比增速分别为+5.2%、+24.4%。22年一季度SW电子制造板块营收亿元,同比+18%,归母净利润.7亿元,同比10.78%。其中电子系统组装、电子零部件制造子板块的营收同比增速分别为+11%、+28%。归母净利润同比增速分别为+1.9%、-27%。22年一季度SW其他电子板块营收亿元,同比-68%,归母净利润41.2亿元,同比+62.7%。
通过以上总结,可以看到22年一季度电子行业大部分个股出现了增收不增利的情况,即归母净利润的增速小于营收增速,整体而言头部公司体现出了更高的抗风险和抗周期性的能力。少数细分赛道如模拟芯片、汽车芯片、FPGA、功率器件、半导体设备、半导体材料、VR/AR整机等依然保持了较为强劲的增长。一季报大部分板块都出现了库存金额进一步升高的情况。一季报大部分板块经营性活动现金流净额/营收的比值同比21年一季报有所恶化。我们认为半年将是电子板块的业绩底,电子行业在半导体国产替代、汽车电子、VR/AR的带动下,部分公司将继续保持强劲的增长动能,并引领电子板块新一轮行情。
(本文仅供参考,不代表我们的任何投资建议。如需使用相关信息,请参阅报告原文。)
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