根据鸿怡电子多年针对半导体功率器件IGBT测试座socket的经验，总结出此类客户的测试条件要求以及相关的物理知识（仅供参考），欢迎大家一起讨论.....

1、MOSFET具有开关速度快，电压控制的优点，缺点是导通电压降稍大，电流、电压容量不大；双极型晶体管却与它的优点、缺点互异。因而产生了使它们复合的思想；控制时有MOSFET管的特点，导通时具有双极型晶体管特点，这就产生IGBT（InsulatedGateBipolarTransistor）管研制的动机，该管称为绝缘栅双极晶体管，但因为有晶体管的特性，他的工作频率大大降低。

2、N沟道VDMOSFET与GTR组合形成N沟道IGBT（N-IGBT）IGBT比VDMOSFET多一层P注入区，形成了一个大面积的PN结。使IGBT导通时由P注入区向N基区发射少子，从而对漂移区电导率进行调制，使得IGBT具有很强的通流能力。

3、结构、符号及工作原理。

IGBT的开通和关断是由门极电压来控制的。当门极加正电压时，MOSFET内形成沟道，并为PNP晶体管提供基极电流，从而使IGBT导通。因此IMOS为IGBT总电流的主要部分。此时，空穴P区注入到N-区，从而在N-区内产生高浓度的电子，减小了N-区的电阻Rd值，使高耐压的IGBT也具有低的通态压降。

当门极加负电压时，MOSFET内的沟道消失，PNP晶体管的基极电流被切断，IGBT即被关断。由于注入到N-区的空穴是少子，存在少子存储现象。N-区的少子需要时间复合消失，因此IGBT的开关速度比MOSFET慢。

最后汇总下半控型和全控型功率器件的特性，见下表。

IGBT功率器件测试座案例参考（由鸿怡电子提供案例）

SOT封装IGBT老化座

老化测试温度：-40°~+°

老化测试时长：小时