可控硅和IGBT是两种常用的电力电子器件，它们在电路中的作用和应用有所不同。下面将从器件的特性、电路中的应用和优缺点等方面进行比较和分析。一、可控硅

可控硅是一种具有三个PN结的四层结构的大功率半导体器件，通常由硅整流器件（SCR）演变而来。可控硅有阴极、阳极和门极三个端子，其特点是当加上正向阳极电压时，门极有触发电流，可控硅就导通。此时，它的阳极与阴极之间呈现低阻抗，可以流过很大的正向电流。当去掉阳极电压后，可控硅仍然导通，直到流过很大的反向电流时，才会关断。因此，可控硅具有可控整流和开关的双重功能。在电路中，可控硅通常被用于整流电路、斩波电路、逆变电路等，其作用是将交流电转换为直流电或者将直流电转换为交流电。此外，可控硅还广泛应用于各种电子设备中，如电视机、计算机、洗衣机等，作为电源开关、信号放大器、调节器等。二、IGBTIGBT是一种绝缘栅双极型晶体管，是由BJT（双极型三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件它。具有高输入阻抗、低导通压降、大电流密度、高速开关等优点，在电力电子领域中得到了广泛应用。在电路中，IGBT通常被用于逆变器、DC/DC转换器、电机控制器等，其作用是将直流电转换为交流电或者将交流电转换为直流电。此外，IGBT也广泛应用于各种电力电子设备中，如电动汽车、风力发电、电力牵引等。三、可控硅和IGBT的区别

1.结构和原理不同：可控硅是一种SCR器件，由三个PN结组成，具有可控整流和开关的双重功能。而IGBT是由BJT和MOS组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件，具有高输入阻抗、低导通压降、大电流密度、高速开关等优点。2.应用领域不同：可控硅在电路中的应用范围较广，包括整流电路、斩波电路、逆变电路等，而IGBT主要应用于逆变器、DC/DC转换器、电机控制器等。3.优缺点不同：可控硅的优点是具有可控整流和开关的双重功能，但缺点是触发电流较大，需要较高的驱动功率。而IGBT的优点是具有高输入阻抗、低导通压降、大电流密度、高速开关等优点，但缺点是关断时存在尾部电流，可能会影响器件的关断速度和损耗。4.耐压和电流能力不同：可控硅的耐压能力较低，一般在几百伏以下，而IGBT的耐压能力较高，可以达到几千伏。此外，可控硅的电流能力也较低，一般在几百安培以下，而IGBT的电流能力较高，可以达到几百安培甚至几千安培。总之，可控硅和IGBT是两种不同的电力电子器件，它们在结构和原理、应用领域、优缺点以及耐压和电流能力等方面都存在差异。在实际应用中，需要根据具体的应用场景和需求选择合适的器件类型。