绝缘栅

3nm制程来了,意味着什么

发布时间:2024/9/23 13:57:18   
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纳米(nm),是长度的度量单位,国际通用名称为nanometer,国际符号为nm。1纳米=10^-9米,如同厘米、分米和米,是长度的度量单位,看着数字可能不大直观,大家知道头发的直径吗?小孩子的大概就在0.04毫米左右成年以后的一般都在0.07毫米左右通常直径在60微米以下称为细发,60~90微米为普通发,90微米以上为粗发。黄种人的头发一般比较粗,普通为80~90微米。就是说10根头发才1mm,而1根头发有十万个纳米单位。如果把一根头发直径放大到m,那么1纳米长就相当于一粒沙子。纳米两年前,台积电量产了7nm工艺,今年将量产5nm工艺,这让台积电在晶圆代工领域保持着领先地位。现在3nm工艺也在按计划进行。根据台积电的规划,3nm风险试产预计将于今年进行,量产计划于年下半年开始,1nm相当于4倍原子大小,3nm工艺也就意味着一条线路宽度由12个原子排列,这可比在鸡蛋上跳舞难多了!台积电摩尔定律是英特尔创始人之一戈登·摩尔的经验之谈,其核心内容为:集成电路上可以容纳的晶体管数目在大约每经过24个月便会增加一倍。换言之,处理器的性能每隔两年翻一倍。晶片上可容纳的电晶体数量大约每隔两年增加1倍。目前工艺节点的现状是,摩尔定律逐渐放缓。随着3nm工艺的临近,人类正在逼近硅基半导体的极限,此前台积电有信心将工艺推进到2nm甚至1nm,但还是纸面上的,相关技术并没有走出实验室呢。摩尔定律如果不能解决一系列难题,3nm工艺很有可能是未来CPU等芯片的极限了,但是10年前我们觉得65nm工艺是极限,因为到了65nm节点二氧化硅绝缘层漏电已经不可容忍。所以工业界搞出了HKMG,用high-k介质取代了二氧化硅,传统的多晶硅-二氧化硅-单晶硅结构变成了金属-highK-单晶硅结构。5年前我们觉得22nm工艺是极限,因为到了22nm沟道关断漏电已经不可容忍。所以工业界搞出了finfet和FD-SOI,前者用立体结构取代平面器件来加强栅极的控制能力,后者用氧化埋层来减小漏电...即使硅工艺快将走到尽头,未来仍可能有多种替代方案来接替硅的位置,并使摩尔定律继续延续下去。但就目前而言,究竟哪种材料会首先接替硅的位置,暂时不能明确知晓。各位是怎样判断的呢?

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