长江商报消息●长江商报记者曹雪娇斯达半导（.SH）拟对功率半导体芯片项目追加投资，加速推进国产替代。3月2日，斯达半导发布公告，拟通过定增募资的方式，募集资金不超过35亿元。其中，计划向高压特色工艺功率芯片和SiC（碳化硅）芯片投入20亿元，在本次总募资中占比为57%左右。据了解，这是斯达半导近三个月内第二次向碳化硅项目进行投资。对此，斯达半导认为，相关项目的落实，有利于推动功率器件进口替代。对于剩余募资，斯达半导将分别投资7亿元和8亿元用于功率半导体模块生产线自动化改造项目、补充流动资金。斯达半导是国内IGBT(绝缘栅双极型晶体管)龙头企业。近年来，受高铁、新能源汽车、新能源等多方市场需求增长影响，公司经营业绩快速上升。据统计，年-年间，斯达半导的净利润年均复合增速一度达到84.71%。截至去年三季度，在国产替代及新能源汽车市场回暖的情况下，公司的营收、增速均实现双位数增长。近六成募资投入芯片研发斯达半导持续加码SiC芯片赛道。3月2日，斯达半导发布定增预案，拟以非公开发行的方式，募集资金不超过35亿元。其中，20亿元将被用于高压特色工艺功率芯片和SiC芯片研发及产业化项目，占本次总募资的57.14%，项目建成后将形成年超36万片功率半导体芯片的生产能力。长江商报记者

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