三极管的做事旨趣：三极管是电流夸大器件，有三个极，别离叫做集电极C，基极B，发射极E。分红NPN和PNP两种。咱们仅以NPN三极管的共发射极夸大电路为例来阐述一下三极管夸大电路的基根源理。

咱们把从基极B流至发射极E的电流叫做基极电流Ib;把从集电极C流至发射极E的电流叫做集电极电流Ic。这两个电流的方位都是流动身射极的，于是发射极E上就用了一个箭头来示意电流的方位。三极管的夸大效用即是：集电极电流受基极电流的操纵(假使电源能够提供给集电极充裕大的电流的话)，并且基极电流很小的变动，会引发集电极电流很大的变动，且变动满意确定的比例瓜葛：集电极电流的变动量是基极电流变动量的β倍，即电流变动被夸大了β倍，于是咱们把β叫做三极管的夸大倍数(β正常宏壮于1，比方几十，几百)。纵使咱们将一个变动的小记号加到基极跟发射极之间，这就会引发基极电流Ib的变动，Ib的变动被夸大后，致使了Ic很大的变动。三极管是电流操纵型器件。

Mos管是金属(metal)—氧化物(oxid)—半导体(semiconductor)场效应晶体管。可能称是金属—绝缘体(insulator)—半导体。MOS管的源(source)和漏(drain)是能够对换的，他们都是在P型backgate中产生的N型区。在大都情形下，这个两个区是相同的，纵使两头对换也不会影响器件的功能。云云的器件被觉得是对称的。

当MOS电容的栅极(Gate)相关于衬底(BACKGATE)正偏置时产生的情形。穿过GATEDIELECTRIC的电场增强了，有更多的电子从衬底被拉了上来。同时，空穴被排挤出表面。跟着GATE电压的抬高，会涌现表面的电子比空穴多的情形。由于多余的电子，硅表层看上去就像N型硅。搀杂极性的回转被称为inversion，回转的硅层叫做沟道(channel)。跟着GATE电压的接连不休抬高，越来越多的电子在表面积攒，channel变为了强回转。Channel产生时的电压被称为阈值电压Vt。当GATE和BACKGATE之间的电压差小于阈值电压时，不会产生channel。于是MOS是电压操纵型器件。

(1)场效应管是电压操纵元件，而晶体管是电流操纵元件。在只许可从记号源取较少电流的情形下，应采用途效应管;而在记号电压较低，又许可从记号源取较多电流的前提下，应采用晶体管。

(2)场效应管是操纵大都载流子导电，于是称之为单极型器件，而晶体管是即有大都载流子，也操纵多数载流子导电。被称之为双极型器件。

(3)有些场效应管的源极和漏极能够调换操纵，栅压也可正可负，精巧性比晶体管好。

(4)场效应管能在很小电流和很低电压的前提下做事，并且它的建立工艺能够很便利地把良多场效应管集成在一起硅片上，于是场效应管在大范围集成电路中取得了精深的运用。

(5)场效应晶体管具备较高输入阻抗和低噪声等益处，于是也被精深运用于开关电源及种种电子摆设中。特为用途效管做开关电源的功率启动，能够取得正常晶体管很难抵达的功能。

(6)场效应管分红结型和绝缘栅型两大类，其操纵旨趣都是相同的。

三极管BJT与场效应管FET的差别良多，浅显列出几条：

1.三极管用电流操纵，MOS管属于电压操纵，BJT夸大电流，FET将栅极电压调动为漏极电流。BJT第一参数是电流夸大倍数β值，FET第一参数是跨导gm;

2.启动才能：MOS管罕用来电源开关管，以及大电流场合开关电路;

3.成本题目：三极管低廉，MOS管贵;

4.BJT线性较差，FET线性较好;

5.BJT噪声较大，FET噪声较小;

6.BJT极性惟有NPN和PNP两类，FET极性有N沟道、P沟道，再有耗尽型和巩固型,于是FET选型和操纵都对比繁杂;

7.功耗题目：BJT输入电阻小，耗费电流大，FET输入电阻很大，险些不用耗电流;

理论上即是三极管对比低廉，用起来便利，罕用在数字电路开关操纵;MOS管用于高频高速电路，大电流场地，以及对基极或漏极操纵电流对比敏锐的场合。

总的看，不论在分立元件电路依然集成电路中，FET代替BJT都是一个大趋向。