研讨布景

近来几年，二维（2D）过渡金属硫族化合物（TMD）半导体曾经在材料和器件方面实行了精深的研讨，在将来纳米电子学畛域呈现出了庞大的潜力。是以，曾经报导了哄骗2DTMD沟道的金属-绝缘体-半导体场效应晶体管（MISFET）做为要紧的电子器件，具备范德华（vdW）界面的异质结2DTMDPN二极管也遭到了精深

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