晶体管BJT和MOSFET都适用于放大和开关应用。然而，它们具有显着不同的特征。

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双极结型晶体管(BJT)

双极结型晶体管，通常称为BJT，从结构上看，就像两个背靠背连接的pn结二极管。BJT由三个端子组成，即发射极（Emitter,E）、基极（Base,B）和集电极（Collector,C）。

双极结型晶体管

根据结构，双极结型晶体管分为NPN和PNP晶体管。在NPN晶体管中，薄薄的一层p型半导体夹在两个n型半导体之间，而在PNP晶体管中，薄薄的一层n型半导体夹在两个p型半导体之间。PNP和NPN的电荷载流子不同，NPN以空穴为主要载流子，而PNP以电子为主要载流子。但两者的工作原理实际上是相同的，唯一的区别在于偏置，以及每种类型的电源极性。

BJT符号

BJT是一个电流控制装置，集电极或发射极输出是基极电流的函数。比如，通过调基极和发射极之间电压，可以控制集电极的电流，如下图所示。

BJT工作

电压的变化会影响基极的电流，而该电流又会影响晶体管的输出电流。由此可见，在BJT里，是输入电流控制着输出电流。

许多人更喜欢BJT用于低电流应用，例如用于开关，因为它们更便宜。BJT被广泛用作放大器、开关或振荡器等应用。

双极结型晶体管

金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）

金属氧化物半导体场效应晶体管，俗称MOSFET，是一种主要由硅半导体材料制成的场效应晶体管，是最常用的晶体管类型。

MOSFET具有三个端子：源极、栅极和漏极。它的顶部有金属端子，端子下方有氧化硅层，而半导体材料形成底层——由此形成金属-氧化物-半导体场效应晶体管。

MOSFET结构

与BJT不同，MOSFET不存在基极电流。

MOSFET是一种电压控制器件，氧化物绝缘栅电极上的电压可以生成用于在其他触点“源极和漏极”之间传导的通道，进而控制漏极电流。即MOSFET栅极上的电压会产生一个电场，允许电流在源极和漏极之间流动，但该电流可能被栅极上的电压夹断或打开。

根据工作原理，MOSFET分为增强型MOSFET和耗尽型MOSFET。增强型MOSFET在正常情况下保持关闭状态，需要栅极电压才能将其打开，而耗尽型MOSFET在正常情况下保持打开状态，需要栅极电压才能将其关闭。

MOSFET分类

MOSFET的优点在于它们可以更有效地处理功率，功耗更低。如今，MOSFET是数字和模拟电路中最常用的晶体管，取代了当时非常流行的BJT。

最后，简单总结下两者的重要区别：

●BJT是双极器件，而MOSFET是单极器件。

●BJT有发射极、集电极和基极，而MOSFET有栅极、源极和漏极。

●BJT是电流控制器件，由基极电流控制；而MOSFET是电压控制器件，由栅极电压控制。

●BJT的开关速度限制高于MOSFET。

●BJT适合小电流应用，而MOSFET适合大功率功能。

●在数字和模拟电路中，目前认为MOSFET比BJT更常用。

●BJT和MOSFET都有广泛的应用。在选择合适的器件时，需要考虑开关速度、控制方法、功耗、负载类型、效率和成本等几个因素。