当前位置： 绝缘栅 >> 绝缘栅市场 >> 盘点30家国产功率器件和第三代半导体
时代电气
核心技术：牵引电传动和网络控制系统、功率半导体设计和制造工艺主要产品：IGBT、双极器件、碳化硅肖特基二极管、功率组件关键应用：轨道交通、新能源汽车、供电系统、光伏产业等竞争力：拥有大功率半导体器件先进生产线，是国内轨道交通电气系统市场的领导者。
华大半导体
核心技术：BCD特色工艺技术主要产品：功率器件、碳化硅器件、电源管理芯片、MCU、模拟芯片、安全与智能卡芯片关键应用：汽车电子、工业控制、安全物联网竞争力：公司旗下积塔半导体专注于汽车电子芯片、IGBT、模拟电路和功率器件的晶圆代工。
东微半导体
核心技术：在高压超级结技术领域积累了包括优化电荷平衡技术、优化栅极设计及缓变电容核心原胞结构等行业领先的专利技术关键产品：高压超级结以及中低压屏蔽栅MOSFET产品主要应用：新能源汽车直流充电桩、5G基站电源及通信电源、数据中心服务器电源和工业照明电源等。竞争力：该公司实现大规模销售的主要产品为具有更高技术含量的MOSFET产品，产品线相对单一，易受市场影响。
芯导科技
核心技术：深槽隔离工艺、改进型台面工艺、穿通型NPN结构工艺TVS技术平台关键产品：TVS、MOSFET和肖特基等功率器件，以及电源管理芯片主要应用：消费类电子、网络通讯、安防、工业等领域竞争力：该公司的TVS管和ESD保护器件在手机市场占据领先地位。
新洁能
核心技术：功率MOSFET设计和工艺技术关键产品：沟槽型功率MOSFET、超结功率MOSFET、屏蔽栅功率MOSFET以及IGBT等产品主要应用：消费电子、汽车电子、工业电子以及新能源汽车/充电桩、智能装备制造、物联网、5G、光伏新能源等领域。竞争力：该公司拥有款左右的细分型号产品，是国内半导体功率器件行业中MOSFET产品系列最齐全且技术先进的设计企业之一。
捷捷微电
核心技术：晶闸管等半导体分立器件设计和制造技术关键产品：晶闸管器件；防护类器件（包括TVS、放电管、ESD、集成放电管、贴片Y电容、压敏电阻等）；二极管器件（包括整流二极管、快恢复二极管、肖特基二极管等）；晶体管器件、MOSFET器件、碳化硅器件等。主要应用：消费电子、汽车电子、电子仪器仪表、工业及自动控制、计算机及周边设备、网络通讯、智能穿戴、智能监控、光伏、物联网等竞争力：该公司的功率半导体分立器件采取IDM模式，而MOSFET器件采用Fabless+封测的模式。
瑞能半导体
核心技术：晶闸管平面制造技术、功率快恢复二极管的先进载流子寿命控制技术、碳化硅二极管产品设计技术关键产品：碳化硅二极管和MOSFET、晶闸管、功率二极管主要应用：家电、消费电子、通信电源、工业制造、新能源及汽车等领域。竞争力：该公司晶闸管产品的市场占有率，在国内排名第一、全球排名第二。
斯达半导
核心技术：IGBT、快恢复二极管等功率芯片设计技术关键产品：IGBT、快恢复二极管等功率芯片，以及IGBT、MOSFET、SiC等功率模块主要应用：新能源、新能源汽车、电机节能、轨道交通、智能电网、航空航天、家用电器、汽车电子等领域。竞争力：该公司在年全球IGBT模块市场排名第七。
芯派科技
核心技术：MOSFET、IGBT、二极管、整流器等功率器件设计技术关键产品：中大功率场效应管(MOSFET)、绝缘栅双极型晶体管(IGBT)、二极管(含快速恢复二极管及肖特基二极管)、桥堆以及电源管理IC等。主要应用：充电器、适配器、LED电源、TV电源、PC电源、服务器电源、电机驱动、网通产品(机顶盒)、太阳能逆变电源、UPS电源、通讯模块、汽车充电桩模块等多个领域。竞争力：该公司设有西安半导体功率器件测试应用中心（国家CNAS国际ILAC认证实验室）、新能源汽车动力控制研发中心和西安宽禁带半导体器件应用中心。
瞻芯电子
核心技术：6英寸SiCMOSFET产品及工艺平台关键产品：SiC功率器件、SiC驱动芯片、SiC模块主要应用：风能逆变、光伏逆变、工业电源、新能源汽车、电机驱动、充电桩等领域。竞争力：最近获得小鹏汽车战略投资，在新能源汽车市场有巨大发展空间。
派恩杰半导体
核心技术：SiC功率器件技术关键产品：SiCMOSFET开关器件、SiC模块、SiCSBD、GaNHEMT等主要应用：新能源汽车、数据中心、风机并网、电动汽车充电桩、储能等领域。
镓未来
核心技术：GaN-on-Si器件技术关键产品：Cascode结构氮化镓器件主要应用：PD快充、服务器和通信电源、电动车、家电、光伏等。
赛微电子（聚能创芯）
核心技术：GaN功率器件与应用设计技术关键产品：V系列增强型GaN功率器件、PD快充主要应用：快充、5G通讯、云计算、数据中心、新型电源等领域。竞争力：赛微电子已成功研制和生产8英寸硅基氮化镓外延晶圆，且正在持续研发氮化镓器件。旗下公司聚能创芯专注于氮化镓器件的研发与应用设计。
能华微
核心技术：高性能增强型Si基GaN功率开关器件技术关键产品：GaN外延片以及功率器件主要应用：微波射频、电力电子、光通讯等领域竞争力：建立国内首条GaN功率器件生产线，项目计划总投资50亿元。
芯冠科技
核心技术：氮化镓功率器件的研发和制造技术关键产品：氮化镓（GaN）外延片、氮化镓（GaN）功率器件主要应用：电源管理、太阳能逆变器、电动汽车及工业马达驱动等领域。
芯聚能
核心技术：车规级功率半导体元器件设计与制造技术关键产品：SiC模块（6-in-1）、SiC模块（2-in-1）、单管SiC或小模块、分立器件SiCMOSFET。主要应用：新能源车、变频家电、工业变频器、光伏发电、智能电源装备等领域。竞争力：采用IDM模式的SiC模块供应商，技术团队涵盖封装核心技术研发、芯片设计、工艺开发、测试验证和应用方案、生产运营、品质管理等多方面人才，主营业务为碳化硅基和硅基功率半导体器件及模块的研发、设计、封装、测试及销售。
泰科天润
核心技术：碳化硅功率器件制造与应用技术关键产品：碳化硅芯片和碳化硅功率器件，包含各种封装形式的碳化硅肖特基二极管、碳化硅MOSFET和碳化硅模块。主要应用：光伏逆变器、充电桩、OBC、车载DC-DC、通信电源、高端服务器电源、工业电源、PC电源等领域竞争力：拥有完整的碳化硅加工产线和经验丰富的技术团队，具备SiC芯片、SiC器件的大规模生产能力。另外，也为客户提供SiC代工服务。
基本半导体
核心技术：V~10kV碳化硅工艺技术主要产品：全电流电压等级碳化硅肖特基二极管、V碳化硅MOSFET、车规级全碳化硅功率模块等系列产品；mm碳化硅外延片关键应用：新能源、电动汽车、智能电网、轨道交通、工业控制、国防军工等领域竞争优势：汽车级碳化硅功率模块专用产线开通，采用全银烧结、DTS+TCB等先进工艺及封装技术，年产能为25万只模块，年之前将提升至万只。
臻驱科技
核心技术：电驱功率半导体技术关键产品：SiC功率模块、电机控制器主要应用：新能源车竞争力：在德国、上海和柳州设有研发和测试基地，通过了ISO安全ASIL-D流程认证。
瀚薪科技
核心技术：车规级碳化硅MOS管关键产品：SiCMOSFET、SiC肖特基二极管、全碳化硅功率模块主要应用：新能源车的OBC/DC-DC/充电桩、光伏逆变器、通信电源、高端服务器电源、储能、工业电源、高铁、航天工业等。
华润微
核心技术：聚焦于功率半导体、智能传感器领域，为客户提供系列化的半导体产品与服务主要产品：MOSFET、IGBT、功率IC、智能传感器、MCU等关键应用：功率器件聚焦三电应用：电池、电源、电机；智能传感器聚焦物联网和大健康领域主要客户：家电类有美的、海尔等大的整机厂商，在低速电动车电机控制器中占据了大多数的市场份额，还有一些小家电和手机充电器等厂商竞争优势：拥有芯片设计、晶圆制造、封装测试等全产业链一体化运营能力的半导体企业，公司产品设计自主、制造过程可控，在分立器件及集成电路领域均已具备较强的产品技术与制造工艺能力，形成了先进的特色工艺和系列化的产品线。华润微拥有一条8英寸专注功率器件晶圆生产线，月产能5.1万片，工艺能力0.18微米，以及一条8英寸特种工艺生产线。目前该公司已启动12英寸晶圆生产线及相关配套封测线建设规划，主要生产MOSFET、IGBT、电源管理芯片等功率半导体产品。
量微半导体
核心技术：氮化镓功率器件，氮化镓IC，氮化镓基先进电源解决方案主要产品：氮化镓功率器件关键应用：USB-PD适配器，智能家居，PC/服务器电源，电动汽车OBC主要客户：比亚迪，美的，小米，福瑞康，航嘉，TCL，海能等竞争优势：最前沿的氮化镓功率器件技术及解决方案
比亚迪半导体
核心技术：车规级IGBT和SiC器件的设计、制造和测试主要产品：功率半导体器件、IGBT功率模块、电源管理IC、MCU、CMOS图像传感器、传感及控制IC、音视频处理IC等关键应用：新能源汽车、工业控制、家电主要客户：比亚迪及其他车企竞争优势：国内领先的车规级IGBT器件供应商，半导体器件和电动车系统一体化优势
扬杰科技
核心技术：SiC/IGBT/MOSFET/Clip封装和晶圆设计等研发技术平台主要产品：分立器件、整流器件、保护器件、小信号、MOSFET、功率模块、碳化硅等关键应用：电源、家电、照明、安防、网通、消费电子、新能源、工控、汽车电子等多个领域竞争优势：垂直一体化（IDM）半导体厂商
苏州固锝
核心技术：专注于半导体整流器、功率二极管、整流桥和IC封装测试主要产品：桥式整流器、二极管、聚合物静电抑制器、MOSFET、汽车整流器等关键应用：电源管理模块、消费电子、汽车电子、工业设备、计算机设备、照明和通讯设备主要客户：HW、苹果、比亚迪、松下、伟创力、伟世通、海拉、欧姆龙竞争优势：完整的半导体分立器件产品线，MEMS-CMOS三位集成制造平台
吉林华微
核心技术：功率半导体器件的设计、终端设计和工艺控制技术主要产品：以IGBT、MOSFET、BJT(双极晶体管)为主的全控型功率器件；以Thyristor（晶体闸流管）为主的半控型功率器件；以肖特基二极管、FRD（快恢复二极管）为主的不可控型功率二极管器件；IPM（功率模块）；TVS(瞬态抑制二极管)、Zener(齐纳二极管)、TSS（半导体放电管）等半导体保护器件关键应用：新能源汽车、光伏、变频、工业控制、消费类电子等领域竞争优势：完整的功率半导体晶圆生产线
英诺赛科
核心技术：8英寸GaN-on-Si外延、器件和工艺技术主要产品：HVGaNHEMT、LVGaNHEMT、驱动器/控制器关键应用：新能源汽车、5G通信、数据中心、无线充电和快充、工业竞争优势：建成8英寸硅基氮化镓外延与芯片大规模量产生产线，首次将ASML光刻机引入8英寸硅基氮化镓量产线。
士兰微
核心技术：高压BCD、超薄片槽栅IGBT、超结高压MOSFET、高密度沟槽栅MOSFET、快恢复二极管、MEMS传感器等工艺的研发，形成了比较完整的特色工艺制造平台；主要产品：电源与功率驱动产品线、MCU产品线、数字音视频产品线、射频与混合信号产品线、分立器件产品线等；关键应用：消费电子、工业控制、汽车电子、家电；竞争优势：士兰微电子经过二十多年的发展，坚持走“设计制造一体化（IDM）”道路，打通了“芯片设计、芯片制造、芯片封装”全产业链，实现了“从5吋到12吋”的跨越，在功率半导体（功率IC、功率器件和功率模块）、MEMS传感器、光电产品和高端LED芯片等领域构筑了核心竞争力，已成为目前国内最主要的IDM公司之一。
氮矽科技
核心技术：国产量产级别V增强型氮化镓MOSFET主要产品：分离式高速氮化镓栅极驱动芯片（DX1SE-A）、V增强型氮化镓MOSFET、氮化镓功率IC（DX2SE65A）关键应用：手机快充、数据中心、车载充电（OBC）、LED电源驱动和5G通信电源等领域
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以上内容摘自《30家国产功率器件和第三代半导体厂商调研分析报告》
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