当前位置: 绝缘栅 >> 绝缘栅市场 >> 韩某研究院通过ALD技术实现高迁移率IG
CINNOResearch产业资讯,DisplayDaily大约六个月前的一篇文章,详细总结了目前高性能IGZO的六个主要技术驱动类别以及显示器中更高性能(氧化物)半导体材料的基本原理。
据介绍,进一步提升IGZO的性能通常包括如下几种方法,这些方法对应不同的机制:1、工艺优化;2、TFT结构;3、结晶方法;4、栅极改变和电介质钝化;5、控制栅极绝缘体和IGZO之间界面的粗糙度,还有就是本文特别
转载请注明:http://www.aideyishus.com/lkjg/5994.html