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刚过去的年,是新能源产业迅猛发展的一年。乘联会数据显示,中国全年新能源乘用车销量达到.4万辆,同比增长90%。风电光伏方面,根据国家统计局数据,预计年全年风电光伏发电新增装机1.2亿千瓦以上,与年相比同比增长20%。近期,国家能源局还对年的风电产业做出部署,全年实现4.3亿千瓦的装机目标,届时年全年新增风电并网装机规模将在55GW左右。
本土IGBT企业崛起
无论是新能源汽车、风电还是光伏和当下热门的储能,其中都少不了核心部件——IGBT。IGBT全称绝缘栅双极型晶体管,其可进行DCtoAC的逆变,被广泛应用于工控、轨道交通、白电、新能源等领域。
业内人士指出,当前国内IGBT产业主要有两大难题横亘在前。第一个是新能源产业的爆发,对于IGBT的需求急速上升,在过去两年IGBT始终供不应求,IGBT产能紧缺成为制约新能源产业发展的核心问题之一。第二大难题是长期以来IGBT一直被Infineon、富士电机等国外龙头所把持,国内IGBT仍然处于起步阶段,在品牌影响力以及客户认可度方面,与国际龙头仍有差距。
不过这种情况正在好转,近几年已经涌现出了一批优秀的本土IGBT企业,在轨道交通、新能源发电领域占有一席之地,赛晶科技(.HK)就是其中之一。
赛晶推出VIGBT
赛晶科技于年以分销业务起家,成立之初便与瑞士ABB公司的半导体事业部展开合作,此后又向上游进发,自主研发IGBT芯片。经过20年发展,赛晶科技在功率半导体及其配套器件领域积累了深厚的客户基础,并成长为中国本土少有的拥有自主IGBT芯片研发能力的企业。
据赛晶科技介绍,公司近期正式推出VIGBT芯片,各项性能都达到甚至超越了国际龙头的同类产品。该芯片采用精细沟槽栅-场终止型结构,并通过N型增强层、窄台面、短沟道、超薄基底、优化P+、先进3D结构等多项优化设计,进一步改善IGBT导通饱和压降和开关损耗折中性能,同时大大增加了电流可控性和短路稳健性。
分析人士表示,从应用市场来看,该V的IGBT芯片能够应用在风力发电和储能及工控领域,尤其是在储能和风力发电领域。当前芯片产能供不应求,此时赛晶科技推出该芯片,一方面解决了产能紧缺的燃眉之急,另一方面也是国产高压IGBT的又一里程碑式的进步。
深耕行业赛晶实力雄厚
从原理来看,IGBT的构造十分简单,就是一个BJT和MOSFET组成的能够实现“非通即断”的电路,但却依然被Infineon等龙头长期垄断。业内人士表示,究其原因是IGBT的设计和制造过程中充满了太多的Know—How。比如离子注入的浓度、芯片的内部结构、材料的热膨胀系数等都会影响IGBT成品最终的性能。因此设计一款性能优异的IGBT不仅需要大量的专业知识储备,还要求设计者拥有丰富的经验,广受客户认可的V产品也从侧面证明了赛晶科技的实力。
据介绍,赛晶科技拥有一批具有丰富经验和专业知识的顶尖专家团队,创始人项颉拥有20多年的功率半导体从业经验,积累丰富的功率半导体技术知识、业务经验、人脉资源。核心技术团队大多来自ABB半导体,其团队背景堪称豪华,也正是因为一群志同道合、经验丰富的技术人才聚集一起,才能设计出不输国际龙头的IGBT芯片。
采用STType模块综合性能出色
优秀的芯片组自然要被应用到出色的模块之中。此次,赛晶科技选择了成熟的62mm的STType模块,并对内部与外部进行了颠覆性的重新设计,使其综合性能几乎等同国际竞品第7代IGBT产品。
该STType模块中使用与EDType模块芯片组相同的有源区,但存在STType模块底板的尺寸仅为EDType的85%,基板的尺寸仅为EDType的90%的难题。这就需要STType大幅度提高面积利用率。据介绍,赛晶科技采用的解决方式是将信号路径提升到第三维,并构思了一种新颖的、易于制造的电源端子与基板,以及基板之间的电气连接设计,为IGBT模组设计提供了新思路。
全新的设计带来的好处是能够提供更好的同等热阻,让芯片能够更好的冷却,最低的内部杂散电感能够让开关速度更快从而降低损耗,此外它还带来了低内部阻抗以及最高结温。在A的条件下,由于内部电阻最低,该模组能够将电阻损耗引起的压降减少一半。
不止风电赛晶全面布局新能源
新能源市场正在如火如荼,而新能源市场也不仅仅是风力和光伏发电,还有新能源汽车以及储能等领域,赛晶科技在新能源产业的布局也是全方位的。其此前推出的VIGBT的主要应用领域便是集中式光伏。
此外,赛晶科技还在新能源汽车上加速布局,其V的IGBT已经打入国内头部新能源汽车的供应链。公司全新设计的车规级SiC产品也在蓄势待发,其不仅外形和尺寸仅为同类产品的50%,还显著提高了可靠性,连接电阻和杂散电感降低了40%至50%。
分析人士指出,正是因为有赛晶科技这样具备工匠精神的企业对精益求精的不断追求,国产IGBT才能够在最近几年实现快速成长,而新能源产业的繁荣也给了赛晶以成长的机会,公司有望乘着新能源的东风越行越远。