金融界年8月14日消息，天眼查知识产权信息显示，扬州扬杰电子科技股份有限公司申请一项名为“一种屏蔽栅结构的绝缘栅双极性晶体管及其制造方法“，公开号CN10818101.3，申请日期为年6月。

专利摘要显示，一种屏蔽栅结构的绝缘栅双极性晶体管及其制造方法，涉及半导体技术领域。位于沟槽顶部的为控制栅主要用于实现控制沟道的开通，位于沟槽底部的为屏蔽栅可以降低米勒电容在反向关断时可以降低关断损耗，同时还可以用于沟槽间的电荷平衡效应，会在反向截止时调节电场实现耗尽，实现反向耐压的需求。较传统的器件元胞结构引入了屏蔽栅和控制栅集成于同一沟槽，不仅有效地提高了元胞密度。同时该结构可以在不改变栅极?发射极电容Cge的前提下来降低米勒电容Cres，从而获得一个较低的Cres/Cge比值，有助于抑制器件在实际电路应用中由于电压切换造成上下管同时开通的selfturnon效应。

本文源自：金融界

作者：情报员