近年来，碳化硅(SiC)技术已经得到不断完善，并成为在电动化、马达驱动等高频开关应用中的重要推动力量。SemiQ公司宣布推出第三代SiC技术产品——QSiCVMOSFET。这一最新版本在提高效率的同时，还实现了更小的芯片尺寸。QSiCVMOSFET通过了AEC-Q汽车认证，并在V的条件下进行了严格测试，作为“已知良品芯片”(KGD)进行验证。该产品计划于年3月16日至20日在应用电力电子大会与展览会(APEC)上正式推出。

SemiQ的首席执行官TimothyHan与北美销售总监BruceDickinson介绍了第三代SiCMOSFET(QSiC)的详细信息。相较于上一代产品，第三代的芯片尺寸缩小了20%。这些器件预计将在电动车(EV)充电、不间断电源(UPS)、可再生能源系统和马达驱动等应用领域产生显著影响。

“我们的第三代产品相比第二代具有多项关键优势，包括高速开关、更高的可靠性以及卓越的内置二极管性能。我们设计的这些元件已远超行业标准，并在V以上进行了严格测试，通常测试电压达到V。测试结果表明，我们的产品优于竞争对手，充分体现了我们对质量和可靠性的承诺。”相关负责人表示。16mΩ的高质量“已知良品芯片”(KGD)经过UV胶带和卷带结构验证，并且所有离散器件均在V以上的电压下进行了测试与验证，同时通过了雪崩测试。

第三代SiCMOSFET对比第二代的改进

第三代SiCMOSFET的主要改进之一是门极驱动电压范围的缩小，从第二代的-10V/+20V优化为-8V/+18V。这一调整减少了损耗，并增强了与行业标准门极驱动器的兼容性，从而提高了整体系统效率。此外，第三代MOSFET还具备更高的门极阈值电压(Vth)，范围为3.5V至4V，降低了误触发的风险，尤其是在离散MOSFET系统中。而对于高速开关应用，预计很快会推出门极阈值为2.8V的版本。

除了V的漏源电压(VDS)，第三代16mΩMOSFET将总开关损耗显著降低至μJ。此款MOSFET既可作为裸芯片，也可采用四引脚TO-L封装，尺寸为31.4x16.1x4.8mm。其封装设计包含一个专用的驱动源引脚，简化了门极驱动过程，从而提升系统性能。

在开关性能和导通电阻(RDS(on))方面，提高门极阈值电压能够增强器件的鲁棒性。然而，这也带来了权衡，因掺杂变化而导致通道电阻(RDS(on))增加。“整体而言，第三代SiCMOSFET的开关特性与竞争对手的高速MOSFET相当，确保了市场中的竞争力。”相关负责人补充道。

第三代SiCMOSFET的其他特点：

低反向恢复电荷(QRR)：nC(16mΩMOSFET)

较低电容，提高开关速度，降低电磁干扰(EMI)，提升效率

支持并联设计

增加的爬电距离(9mm)，增强电气绝缘性与可靠性

裸芯片和TO-L封装的电阻选项包括16mΩ、20mΩ、40mΩ和80mΩ。在热性能方面，16mΩ器件的结壳热阻为0.26°C/W，结周热阻为40°C/W。零门极电压时的漏极电流为nA，而门源漏电流为10nA。

在交流特性方面，开通延迟时间为21ns，上升时间为25ns;关断延迟时间为65ns，下降时间为20ns。

可靠性测试

为确保SiCMOSFET的稳健性，SemiQ采用了全面的可靠性筛选流程，重点

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