半导体，什么是半导体呢？常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料？这个解释大家能明白吗？能让不同行业的人一看就都能产生兴趣吗？接下来文章会对半导体行业做更多维度的解释，让他不再单独是物理化学家眼中常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料，也不单纯是企业家实体生产厂家的电子信息产业的核心硬件基础，包括集成电路、光电器件、分立器件、传感器等四大类；同时也不是也不单单是产业链学者眼中的按产业链维度讲，半导体产业链自上而下包括上游以集成电路为代表的半导体产业、中游电子零部件及模组产业、下游整机组装及终端应用产业等等。文章试图通过作者根据材料了解的半导体，从尽可能更多的角度来剖析半导体，来让更多的读者能更好的从自己熟悉的视角找到与半导体接触的兴趣点。

一、物理化学材料端对于

半导体的理解

半导体指常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料。半导体一般分为两类，元素半导体和化合物半导体，即在元素周期表的位置是4族的元素半导体和2族与6族的化合物所得。半导体还可以根据组成元素数量不同分为双元素化合物半导体、三元素化合物半导体。

（一）单元素半导体

以单一元素组成的半导体，属于这一材料的有硼、锗、硅、灰锡、锑、硒、碲等，其中以锗、硅、锡研究较早，制备工艺相对成熟。元素半导体材料在元素周期表中的位置说明了半导体材料的性质与物质结构，特别是原子结构的关系，它们都居于周期表的A族。具有半导体特性的元素，如硅、锗、硼、硒、碲、碳、碘等组成的材料。

其导电能力介乎导体和绝缘体之间。一般电阻率在10-7～10-3之间。主要采用直拉法、区熔法或外延法制备。工业上应用最多的是硅、锗、硒。用于制作各种晶体管、整流器、集成电路、太阳能电池等方面。其他硼、碳（金刚石、石墨）、碲、碘及红磷、灰砷、灰锑、灰铅、硫也是半导体，但都尚未得到应用。

（二）二、六或者三、五族化合物双元素半导体

二、六或者三、五族化合物双元素半导体，即是指由两种确定的原子配比形成的化合物，并具有确定的禁带宽度和能带结构等半导体性质。包括晶态无机化合物（如III-V族、II-VI族化合物半导体）及其固溶体、非晶态无机化合物（如玻璃半导体）、有机化合物（如有机半导体）和氧化物半导体等。通常所说的化合物半导体多指晶态无机化合物半导体。

主要的二元化合物半导体有：砷化镓、磷化铟、硫化镉、碲化铋、氧化亚铜等。多采用布里奇曼法（由熔体生长单晶的一种方法）、液封直拉法、垂直梯度凝固法制备化合物半导体单晶，用外延法、化学气相沉积法等制备它们的薄膜和超薄层微结构化合物材料。用于制备光电子器件、超高速微电子器件和微波器件等方面。

（三）三元素化合物半导体

三元化合物半导体材料是指由三种已确定的原子配比形成的化合物，并具有确定的禁带宽度和能带结构等半导体性质。从广义上来说，具有理想的Eg值的三元化合物半导体分为两类。第一类是通常所说的“赝二系”的化合物半导体，这种半导体是由两种二元化合物混合而成，例如GaAs和InAs合金混合制成的GaxIn1-xAs（其中，0≤x≤1，x表示GaAs的摩尔分数）系列的三元化合物半导体。这种方式生长的半导体结构是无序的，合金元素不形成规则的结晶。第二类是真正的三元化合物晶体。正如AIP可以认为是Si晶体中的Si原子被Al原子和P原子替换而成，同样地，三元化合物系的CuGaS2也可以认为是二元系的ZnS被置换而成，即ZnS+ZnS→CuGaS2。

从广义上来说，具有理想的Eg值的三元化合物半导体分为两类。第一类是通常所说的“赝二系”的化合物半导体，这种半导体是由两种二元化合物混合而成，例如GaAs和InAs合金混合制成的GaxIn1-xAs（其中，0≤x≤1，x表示GaAs的摩尔分数）系列的三元化合物半导体。这种方式生长的半导体结构是无序的，合金元素不形成规则的结晶。第二类是真正的三元化合物晶体。正如AIP可以认为是Si晶体中的Si原子被Al原子和P原子替换而成，同样地，三元化合物系的CuGaS2也可以认为是二元系的ZnS被置换而成，即ZnS+ZnS→CuGaS2。

（四）综合而言

单元素半导体是最早发现被应用的半导体，是他开启了人类使用半导体的先河，而双元素半导体与三元素化合物半导体是半导体行业的发展，其中双元素半导体与三元素半导体的差别有以下几点值得

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