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10.1.5节终端扩展（JTE）

10.1SiC功率器件的阻断电压和边缘终端

第10章　功率器件的优化和比较

《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

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往期内容：

10.1.4斜面边缘终端∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

10.1.3沟槽边缘终端∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

10.1.2二维电场集中和结的曲率∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

10.1.1碰撞电离和雪崩击穿∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

第10章　功率器件的优化和比较

９.３.６.2　负的栅极脉冲关断∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

９.３.６.1　电压反转关断∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

９.３.５　di/dt的限制∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

９.３.４　dv/dt触发∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

９.３.３　开通过程∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

９.３.２　正向阻断模式和触发∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

９.３.１　正向导通模式∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

９.３　晶闸管∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

９.２.４　器件参数的温度特性∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

９.２.３　开关特性∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

９.２.２　阻断电压∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

９.２.１　电流-电压关系∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

９.２　绝缘栅双极型晶体管（IGBT）

９.１.１０阻断电压∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

９.１.９　共发射极电流增益：复合效应∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

９.１.８　共发射极电流增益：温度特性∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

９.１.７　集电区的大电流效应：二次击穿和基区扩散效应

９.１.６　基区中的大电流效应：Rittner效应∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

９.１.５　集电区中的大电流效应：饱和和准饱和∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

９.１.４　电流－电压关系∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

９.１.３　端电流∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

９.１.２增益参数∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

９.１.１内部电流∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

９.１　双极结型晶体管（BJT）

第９章　双极型功率开关器件

8.2.12.1-4开通过程∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

8.2.12MOSFET瞬态响应∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

8.2.11氧化层可靠性∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

8.2.10.34H-SiC反型层迁移率的实验结果

8.2.10.2反型层迁移率的器件相关定义

8.2.10.1影响反型层迁移率的机理

8.2.9阈值电压控制∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

8.2.8UMOS的先进设计∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

8.2.7DMOSFET的先进设计∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

8.2.6功率MOSFET的实施：DMOSFET和UMOSFET

8.2.5比通态电阻∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

8.2.4饱和漏极电压∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

8.2.3MOSFET电流-电压关系∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

8.2.2分裂准费米能级的MOS静电学∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

8.2.1MOS静电学回顾∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

8.1.6功率JFET器件的实现∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

8.1.5增强型和耗尽型工作模式∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

8.1.4比通态电阻∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

8.1.3饱和漏极电压∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

8.1.2电流-电压关系∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

8.1.1夹断电压∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

8.1结型场效应晶体管(JFET)

第８章　单极型功率开关器件

7.4结势垒肖特基（JBS）二极管与混合pin肖特基（MPS）二极管

7.3.4电流-电压关系∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

7.3.3“i”区的电势下降∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

7.3.2“i”区中的载流子浓度∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

7.3.1大注入与双极扩散方程∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

7.3pn与pin结型二极管∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

7.2肖特基势磊二极管（SBD）∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

7.1.3双极型功率器件优值系数∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

7.1.2单极型功率器件优值系数∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

7.1.1阻断电压∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

第７章　单极型和双极型功率二极管

6.5总结∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

6.4.2.3p型SiC的欧姆接触∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

6.4.2.2n型SiC的欧姆接触∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

6.4.2.1基本原理∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

6.4.1.2SiC上的肖特基接触∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

6.4.1.1基本原理∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

6.3.7迁移率限制因素∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

6.3.6不同晶面上的氧化硅/SiC界面特性∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

6.3.5.5界面的不稳定性∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

6.3.5.4其他方法∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

6.3.5.3界面氮化∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

6.3.5.2氧化后退火∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

6.3.5.1界面态分布∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

6.3.4.8其他方法∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

6.3.4.7电导法∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

6.3.4.6C-Ψs方法∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

6.3.4.5高低频方法∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

6.3.4.3确定表面势、6.3.4.4Terman法∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

6.3.4.2MOS电容等效电路∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

6.3.4.1SiC特有的基本现象∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

6.3.3热氧化氧化硅的结构和物理特性∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

6.3.2氧化硅的介电性能∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

6.3.1氧化速率∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

6.2.3湿法腐蚀∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

6.2.2高温气体刻蚀∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

6.2.1反应性离子刻蚀∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

6.1.6离子注入及后续退火过程中的缺陷行成∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

6.1.5高温退火和表面粗糙化∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

6.1.4半绝缘区域的离子注入∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

6.1.3p型区的离子注入∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

6.1.1选择性掺杂技术∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

6.1.1选择性掺杂技术∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

第６章　碳化硅器件工艺

5.4总结∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

5.3.2.1寿命控制∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

5.3.2载流子寿命“杀手”∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

5.3.1.2杂质∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

5.3.1.1本征缺陷∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

5.3SiC中的点缺陷

5.2.3扩展缺陷对SiC器件性能的影响∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

5.2.1SiC主要的扩展缺陷5.2.2双极退化∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

5.2SiC的扩展缺陷

5.1.6.2电子顺磁共振∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

5.1.6.1深能级瞬态谱∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

5.1.5.3光致发光映射/成像、5.1.5.4表面形貌的高分辨映射

5.1.5.2X射线形貌∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

5.1.5.1化学腐蚀∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

5.1.4.4衬底和表面处的载流子复合效应∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

5.1.4.3反向恢复（RR）∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

5.1.4.2光电导衰减（PCD）∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

5.1.3霍尔效应及电容-电压测试∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

5.1.2拉曼散射∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

5.1.1.5本征点缺陷∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

5.1.1.4其他杂质∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

5.1.1.3施主-受主对的复合∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

5.1.1.2束缚于中性掺杂杂质的激子∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

5.1.1光致发光∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

5.1表征技术

第５章　碳化硅的缺陷及表征技术

4.8总结∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

4.7.23C-SiC在六方SiC上的异质外延生长∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

4.7.13C-SiC在Si上的异质外延∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

4.6其他SiC同质外延技术∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

4.5.3SiC嵌入式同质外延∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

4.5.2SiC在非基矢面上的同质外延∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

4.5.1SiC在近正轴{}面上的同质外延∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

4.4SiC快速同质外延∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

4.3.2深能级缺陷∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

4.3.1.4次生堆垛层错∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

4.3.1.3位错∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

4.3.1.2微管∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

4.3.1.1表面形貌缺陷∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

4.2.3p型掺杂∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

4.2.2n型掺杂∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

4.2.1背景掺杂∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

4.1.5SiC外延的反应室设计∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

4.1.4表面形貌及台阶动力学∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

4.1.3生长速率及建模∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

4.1.2SiC同质外延的理论模型∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

4.1.1SiC外延的多型体复制∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

第４章　碳化硅外延生长

3.9总结∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

3.8切片及抛光∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

3.7化学气相淀积法生长3C-SiC晶圆∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

3.6溶液法生长∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

3.5高温化学气相沉淀∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

3.4.3p型掺杂/3.4.4半绝缘型∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》3.4.2n型掺杂∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

3.4.1杂质掺杂∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》3.3.5减少缺陷∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

3.3.4贯穿刃型位错及基矢面位错∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

3.3.3贯穿螺型错位∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

3.3.2微管缺陷∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

3.3.1堆垛层错∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

3.2升华法生长中多型体控制∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

3.1.3建模与仿真∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

3.1.2.1热力学因素、3.1.2.2动力学因素∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

3.1.2升华（物理气相运输）法过程中的基本现象∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》3.1.1Si-C相图∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

第３章　碳化硅晶体生长

2.4总结∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》2.3热学和机械特性∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

2.2.6击穿电场强度∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

2.2.5漂移速率∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

2.2.4迁移率∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

2.2.3杂质掺杂和载流子浓度∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

2.2.2光吸收系数和折射率∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

2.2.1能带结构∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

2.1晶体结构∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

第２章　碳化硅的物理性质

１.３　本书提纲∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

１.2　碳化硅的特性和简史∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

１.１　电子学的进展∈《碳化硅技术基本原理——生长、表征、器件和应用》

第１章　导论

国产碳化硅（SiC）器件替代进口：

SiCSBD(MPS-PIN)-混合PiNSchottky(MPS)二极管

SiCMOSFET

链接：MCR：MOSControlledRectifier，MOS控制的二极管/整流器，超低反向漏电、°结温、高浪涌

链接：MCR二极管、SBD二极管、FR-MOS管晶圆选型说明

微电：张先生

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设备及书籍推荐：

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