半导体产业网讯：国内碳化硅器件研发企业“清纯半导体”日前发布国内首款15V驱动的VSiCMosfet碳化硅器件平台产品，可直接实现SiC器件的国产替代，同时具备高可靠性、兼容IGBT驱动电压等优势，填补了国内15V驱动SiCMosfet产品空白。

据悉，首款V75mΩSiCMosfet已获得国内领先新能源逆变器制造商的批量订单，后续将陆续推出该平台下的系列规格产品。

SiCMosfet作为应用最广泛的碳化硅功率器件，早已在国内相关行业龙头企业比亚迪、阳光电源和华为等的旗舰产品系列中广泛使用，其需求也在迅速扩大。但SiCMosfet相关核心技术始终未被突破，在产品性能和可靠性方面与国际主流产品仍有较大差距，国内市场主要被国外厂商占据。

该器件主要有18V驱动和15V驱动两个类型，其中15V驱动产品优势更加明显：客户采用15V驱动的产品，一是系统可以更好兼容目前IGBT驱动电路；二是进一步提升了器件的可靠性，同时降低了驱动损耗；三是国内驱动芯片厂商大多供应15V的驱动芯片，国产配套容易。

但是15V驱动的产品开发难度更大，对产品设计水平和制造工艺的要求更高，经过近年来的努力，国内已有个别厂家能够少量提供18V驱动的SiCMosfet产品，但国际主流厂商已开始大力推广15V驱动的SiCMosfet，加快对传统硅基IGBT（绝缘栅双极型晶体管）产品的替代，由此进一步拉开了与国内产品的技术代差。

清纯半导体此次发布的15V驱动的VSiCMosfet器件平台产品首次填补了国内该系列产品空白，带领国内SiC功率器件技术跻身国际领先水平。相比国际主流产品，本次清纯半导体推出的15V驱动VSiCMosfet器件产品，具有更低的导通损耗、更低的热阻、较低开关损耗，综合损耗更小，效率更高。

下表是清纯半导体Mosfet与国际一流产品（源于各产品的规格书）的比较：

清纯半导体基于自主工艺开发的国产VSiCMosfet系列产品一经推出即得到市场的热烈响应，首款V75mΩSiCMosfet产品已经通过车规级测试并获得国内领先新能源逆变器制造商的批量订单。

目前，清纯半导体已完成V全系列碳化硅功率器件的产品化，可提供V15A、20A、30A、40A等规格SiCSBD（碳化硅-肖特基二极管）及V75mΩ、60mΩ、40mΩ、32mΩ及大电流车载芯片等规格SiCMosfet（18V和15V驱动可选）。

其供应的SiC器件具有国际先进水平的卓越性能，可广泛应用于新能源汽车、充电桩、工业电源、光伏逆变、UPS、通信电源等大功率、高频、高效率领域，可直接实现SiC器件的国产替代，同时具备高可靠性、兼容IGBT驱动电压等优势，丰富的产品系列能够满足诸多目标应用的需求，进一步推动国产高性能功率芯片的发展和应用。

随着第三代半导体器件的日益普及和广泛应用，第三代半导体封装和模块将向着低损耗、低感量、高功率密度、高散热性能、高集成度、多功能等方向发展，未来将衍生出与硅基封装技术和产品形式不同的发展路线，先进封装材料、可靠性技术都在不断的发展提升。

封装是功率半导体产业链中不可或缺的一环，主要起着安放、固定、密封、保护芯片，以及确保电路性能和热性能等作用。采用合理的封装结构、合适的封装材料，以及先进的封装工艺技术，可以获得良好的散热性能，确保高电压、大电流的功率器件的正常使用，并能在工作环境下稳定可靠地工作。此外，封装对于功率器件乃至整个系统的小型化、高度集成化及多功能化起着关键的作用。为了提高功率半导体器件的性能，必然会对封装提出更高的要求。

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