揭秘IGBT功率半导体的行业格局、趋势、壁垒和竞争格局。

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IGBT的全称是InsulatedGateBipolarTransistor，即绝缘栅双极型晶体管，是由BJT和MOSFET组成的复合功率半导体器件，既具备MOSFET的开关速度高、输入阻抗高、控制功率小、驱动电路简单、开关损耗小的优点，又有BJT导通电压低、通态电流大、损耗小的优点，在高压、大电流、高速等方面有突出的产品竞争力，已成为电力电子领域开关器件的主流发展方向。

IGBT功率半导体最大的优势是节能，传统的功率半导体损耗非常大，需要多个器件才能达到电能转换的效果。IGBT通过调节电机的转速来提升能源转换效率，从而达到节能的作用。

需求上，IGBT的需求最主要来自新能源汽车带动的增长；工业领域属于稳健的需求，增量来自于新基建；新能源变电和电网来自国家政策的推动发展；轨道交通是中国的优势领域。但是，相对于传统功率半导体，IGBT工艺流程长达.5-3个月，只要有一个参数变生偏差，就需要工艺流程重新返工，1年时间内没有几次试错的机会。

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