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日本瑞萨今日宣布，将对其位于甲府的甲府工厂进行价值亿日元的投资。他们指出，虽然工厂于年10月关闭，但瑞萨电子计划在年重新开放该工厂，作为能够制造IGBT和功率MOSFET的毫米功率半导体晶圆厂。瑞萨表示，随着碳中和势头的增长，预计全球对供应和管理电力的高效功率半导体的需求将在全球范围内急剧增加。瑞萨特别预计电动汽车(EV)的需求将快速增长，因此计划提高其IGBT等功率半导体的产能，为脱碳做出贡献。一旦甲府工厂实现量产，瑞萨功率半导体的总产能将翻一番。瑞萨电子的全资子公司瑞萨半导体制造有限公司的甲府工厂此前经营mm和mm晶圆制造线。为了提高产能，瑞萨决定利用工厂的剩余建筑，将其恢复为专用于功率半导体的毫米晶圆厂。瑞萨电子总裁兼首席执行官HidetoshiShibata表示：“可持续发展是我们的核心，以‘让我们的生活更轻松’为宗旨，我们希望建立一个可持续的未来，我们的半导体技术和解决方案有助于让我们的生活更轻松。”“这项投资使我们能够拥有最大的专用于功率半导体的晶圆制造线，这是实现脱碳的关键。我们将继续进行必要的投资，以提高我们的内部生产能力，同时进一步加强与外包合作伙伴的联系。为应对中长期需求增长，瑞萨电子仍致力于确保供应安全，为我们的客户提供最佳支持。”

东芝扩产SiC和GaN，大幅提升功率半导体

今年年初，东芝子公司表示，将在4月开始的新财年增加资本支出，以在需求旺盛的情况下扩大其主要生产基地的功率半导体器件的产能。东芝电子器件与存储设备已为财年指定投资亿日元（8.39亿美元），比财年亿日元的估计高出约45%。这笔资金将资助在石川县的生产子公司加贺东芝电子的场地建设一个新的制造设施，该设施计划于年春季开始。它还将包括在现有结构内安装一条新的生产线。此次升级预计将使东芝的功率半导体产能提高约%。功率器件用于电子设备中的电力供应和控制，有助于减少能量损失。随着向碳中和社会的努力加速和车辆电动化，需求正在增加。产能扩张将不仅涵盖由硅片制成的功率器件，还包括以碳化硅和氮化镓为晶圆的下一代芯片。东芝还将扩大对另一个主要产品类别硬盘的投资。它已开发出将存储容量提高到超过30TB的技术，或比当前可用水平高出70%以上，并致力于早期商业化。东芝电子器件和存储公司正在设想数据中心和电源设备的硬盘驱动器的增长，并正在紧急加大在这两个领域的投资。为了加强其重点，该部门在财年重组了其业务，结束了系统芯片业务的新发展。东芝已在截至财年的五年内为设备业务指定投资2亿日元，而上一个五年期间为0亿日元。该集团在当前五年任期的前两年使用了约60%的预算，如有必要，将考虑投入更多资金。该集团已公布计划拆分为三个针对基础设施、设备和半导体存储器的公司。但大股东对此表示反对，分拆能否实现尚不确定。

三菱电机：1亿投向功率半导体，谋划8英寸SiC

三菱电机于年11月9日举行了功率器件业务的业务说明会，并宣布将在未来五年内向功率半导体业务投资1亿日元，直至年。该公司计划在福山工厂（广岛县福山市）新建一条12英寸（毫米）晶圆生产线，并计划到年将其产能比年翻一番。据该公司称，由于汽车自动化、消费设备逆变器的进步和工业/可再生能源的节能需求，功率器件市场在年到年之间将以12%的复合年增长率（CAGR）增长。而电气化铁路的发展，以及自动化的进步。预计会以速度扩大。功率器件市场前景三菱电机将公司功率器件业务的目标设定为——到年销售额亿日元以上、营业利润率10%以上。为实现目标，三菱电机将重点

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