绝缘栅

场效应管和mos管区别

发布时间:2024/8/6 18:07:15   

主体不同,特性不同。

1.场效应,V型槽MOS场效应管。它是继MOSFET之后新兴的高效功率开关器件。MOS管,金属-氧化物半导体场效应管属于绝缘栅型。

2.MOS管与场效应管的区别,场效应管(FieldEffectTransistor缩写(FET))简称场效应管。分为两类,场效应管(junctionFET—JFET)和金属-氧化物半导体场效应管(metal-oxidesemiconductorFET,简称MOS-FET)。大多数载流子参与导电,也称单极晶体管。本发明属电压控制半导体器件。它具有输入电阻(~Ω)高、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、无二次击穿、工作区域安全等特点,已成为双极型晶体管和功率晶体管的有力竞争对手。

3.场效应管(FET)分为MOS场效应管(MOSFET)和结型场效应管(JFET)。MOS是金属(Metal)-氧化物(Oxide)-半导体(Semiconductor)的缩写,即栅-硅氧栅。JFET中的J代表Junction,也就是“结”,表示PN结。FET代表FieldEffectTransistor,即场效应管。

扩展:MOS管是电压控制电流源,控制电压和电流属于不同的支路,因而电压的求解一般不难,进而根据漏极电流表达式来求出电流值,然后进行模型分析,求出跨导和输出电阻.而三极管要先建立模型,然后进行电路分析,求解过程特别是计算很复杂,容易出错。



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