近年来，功率半导体的市场规模呈稳健增长态势。根据IHSMarkit数据显示，预计至年全球功率器件市场规模将增长至亿美元。具体到中国，作为全球最大的功率半导体消费市场年市场规模有望达到亿美元。

极具潜力的市场空间，再加上第三代半导体材料应用在国内的蓬勃发展，目前国内功率半导体产业链也正在日趋完善，涌现出不少能提供优质功率半导体产品的企业。

由芯师爷主办、深福保集团冠名的“硬核中国芯”评选活动，以表彰国内优秀半导体企业，激励国产企业加大IC产品与技术研发力度。本次评选中，功率半导体类别共有6家企业入选参评“硬核中国芯——年度国产功率芯片评选”，本文盘点了入选企业功率半导体产品，为市场提供优质功率半导体选型。

分立式绝缘栅双极型晶体管SGTQU65SDM1PW

所属企业：杭州士兰微电子股份有限公司

SGTQU65SDM1PW产品是基于士兰微电子自主知识产权的新一代TrenchFSIV+工艺平台开发的分立式绝缘栅双极型晶体管。具有低导通损耗与开关损耗，高功率密度、正温度系数等特点。主要适用于微型新能源车电机控制器领域。

?导通压降：1.6V(典型值)

?最大结温：Tjmax=℃

?额定电压：V

?短路能力：6uS

?二极管导通压降：1.45V

价格竞争力：

士兰微电子SGTQU65SDM1PW产品的对标国际大牌，总体性能表现略优于竞品，价格低于竞品，有较强的竞争优势，目前已经在国内多家整机厂通过初步测试，正处于产品推广阶段。

技术创新：

SGTQU65SDM1PW产品采用了士兰自主开发的TrenchFSIV+工艺平台开发制作IGBT器件，优化了IGBT的器件晶胞结构，调整器件发射区元胞间距尺寸，进而提升了IGBT器件在导通时栅极下方PIN二极管区域的少数载流子的浓度，降低器件饱和压降，同时降低了芯片厚度，进一步优化了饱和压降和关断损耗，实现了Eoff与Vcesat的折中优化。

客户服务：

随着新能源汽车的推广，电机控制器厂家的技术实力提高，控制器领域客户逐渐掌握分立器件并联的技术方案。SGTQU65SDM1PW产品方案相对原有的IGBT模块，具有明显的成本优势，将可能成为小微车型的主流方案，目前已成功应用于电动轿跑EV项目，客户使用稳定，形成了良好的口碑,并为多家客户群体服务。

Vm?SiCMOS

所属企业：派恩杰半导体（杭州）有限公司

VmΩSiCMOS针对高压辅助电源应用而开发，具有较高的耐压，极低的栅极电荷，较小的导通电阻Rds(on),使得其适用与工业电机驱动，光伏和储能逆变器，UPS辅助电源设计。

价格竞争力：SiCMOS由于具有更小的开关损耗，这可使客户可以直接将装置通过散热片安装在PCB上，这极大减少了制造成本，提高了系统的可靠性。

技术创新：与使用Si器件相比，采用VSiCMOS由于可以耐更高的电压，更小的Rds(on),可以采用1个SiCMOS构成更为简单的反激电路实现，从而大幅减小了元器件数量，设计更简单，驱动设计更容易，缩短开发周期，因此可以用于V至V输入的反激式拓扑中。SiCMOS由于具有更小的开关损耗，更小的损耗同时意味着可以工作在更高的开关频率，从而减小电源体积和重量，有助于工业设备实现显著小型化、高可靠性和节能化，达到了国际领先水平，填补了国内空白。

客户服务：强大研发能力，支持定制化设计。国内本地化团队，响应时间短。

市场销量：本季度计划取得万产品订单，明年订单突破千万。

G51XTV1ASOD

所属企业：泰科天润半导体科技（北京）有限公司

G51XTV1ASOD碳化硅肖特基二极管在开关电源电路中的应用，能更好地让电路工作在高频状态，减小电路中电感等元件体积重量，而由于碳化硅肖特基二极管优良的耐温性能和低损耗特性，让电路中热沉的体积重量得到改善，便于优化电路的热设计，与此同时，应用了SOD封装形式的该款器件，为功率二极管小型化提出了解决方案，更好的贴合对器件小型化和产品功率密度改善有要求的客户需求。

价格竞争力：作为一家国产品牌，我们的价格相较于国外竞品品牌极具竞争力，且在该款器件上，我们是第一家市场化的公司，而相较于硅的快恢复二极管器件，碳化硅二极管的应用会带来系统层面成本的改善。

技术创新：使用SOD这种封装形式做sic器件为全球首创，为了成功实现这一目标，我们优化了器件设计和生产工艺。

客户服务：作为一家国产品牌，我们作为原厂给予客户的技术和信息支持更加直接和迅速，我们相较于国外竞品品牌也有一半甚至更短的交期。

市场销量：该款型号刚进入市场，但参考我们公司的同列产品其他型号，我们已实现货kk级供货，在不同类型客户中，均有良好的市场占有率和口碑反馈率。

1V碳化硅MOSFET

所属企业：瑞能半导体科技股份有限公司

瑞能1V碳化硅MOSFET采用紧凑的元胞设计、出色MOS沟道氮化工艺和超薄的衬底厚度使得产品具有业内同类产品中较低的比导通电阻，产品同时具有较稳定的阈值电压，高温高频下仍然可以安全的开通和关断，瑞能碳化硅MOSFET在性能优异的基础上同时具备高可靠性。

价格竞争力：受益于极低的比导通电阻，单片晶圆上产出更多的有效芯片数目，同时采用多项增强器件鲁棒性的芯片设计，显著提升了产品良率。

技术创新：采用瑞能专利的离子注入工艺设计，使得以业内难题著称的碳化硅MOSFET薄弱的栅极氧化层区得到了有效保护，产品栅极氧化层在长期极端应力下仍表现出出色的鲁棒性。

客户服务：瑞能半导体作为已成立五十多年的功率芯片厂商，长期以优异的表现服务于国内外的消费级和工业级客户，得到了大中小客户的长期好评。

市场销量：碳化硅MOSFET作为第三代半导体器件中的明星产品，随着碳化硅晶圆材料和工艺技术的日趋成熟，在电动汽车、工业电源等市场前景巨大。而多年来，瑞能碳化硅二极管产品销量在国内市场一直名列前茅，拥有广泛而坚实的宽禁带器件用户基础。

SL13N50F

所属企业：深圳市萨科微slkor科技有限公司

萨科微自主研发生产的SL13N50F内阻小、发热量低、性价比高。有更优的性能及抗雪崩能力。广泛应用于户外照明、户外显示屏电源等行业。该器件大大提高了户外照明的工作效率、降低了产品成本。

高PF无频闪驱动ICRSCS

所属企业：广东瑞森半导体科技有限公司

高PF无频闪驱动ICRSCS是瑞森半导体自主创新线路产品，单级实现高PF无频闪的LLC方案,PF可达0.99，频闪指标1，方案满足国家教育照明的指标。该芯片可以直接驱动上下桥臂MOS，一致性好，产线直通率优秀，达到99%直通率;有效降低了元器件个数，提升了产品可靠性与性价比。

瑞森半导体配有资深的FAE工程师为客户提供专业的技术服务与指导，可以为客户提供定制方案的服务。

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