（报告出品方：浙商证券）

1.国内功率半导体器件设计龙头企业

公司为国内MOSFET和IGBT等半导体功率器件设计领域龙头企业。公司的主营业务为MOSFET、IGBT等功率器件和功率芯片的研发设计和销售。公司主要产品包括IGBT、屏蔽栅功率MOSFET、超结功率MOSFET以及沟槽型功率MOSFET四大系列，每个系列销售的产品按照是否封装又分为功率器件（封装成品）和功率芯片（晶圆片）。公司的产品先进且系列齐全，广泛应用于汽车电子、光伏及储能、数据中心、5G通讯、工业电能源、机器人、智慧农业无人机、安防、锂电保护、消费电子等领域。根据IHS统计数据，年国内MOSFET市场销售额排名中，包括国际厂商在内公司排名第八，其中设计领域公司排名第一。

公司深耕功率半导体领域十余年，专注专业。新洁能股份有限公司前身是年12月成立的新洁能半导体，其主要从事MOSFET、IGBT等半导体芯片和功率器件的研发设计及销售。公司正式成立于年1月，从年起公司作为唯一的功率器件设计公司连续五年名列中国半导体行业协会发布的“中国半导体功率器件十强企业”。公司始终紧跟行业发展前沿并积极延伸产业链：公司基于全球半导体功率器件先进理论技术，进行领先产品的开发，是国内第一个掌握并运用超结理论技术，量产屏蔽栅功率MOSFET及超结功率MOSFET的公司；在年率先启动了对SiC等宽禁带半导体功率器件的研发工作；年成立全资子公司电基集成布局功率器件封测领域；随着新兴应用领域对于功率模块的需求持续旺盛，公司又于年成立全资子公司金兰半导体布局半导体功率模块的研发、设计、生产和销售。年6月，公司发布公告通过增资方式控股国硅集成，构建集成电路平台，不仅新增了IC系列产品，还能与公司既有的芯片产品集成创新，形成智能功率集成产品。公司于年9月在新三板挂牌，于年9月28日在上交所主板上市。

公司历史业绩增速较快，盈利能力稳健提升。年公司营业收入为14.98亿元，同比增长56.89%；归母净利润为4.1亿元，同比增长.55%。同期公司业绩快速增长，一方面是因为受到汽车电子、光伏、储能等新兴领域拉动，功率半导体行业景气度较高，另一方面，公司大力开拓新兴市场和领域内重点客户。近年来国内半导体行业快速发展，公司产品技术快速进步，同时公司积极优化市场、客户和产品结构，实现了经营规模和经济效益的较快增长：-年公司的营业收入从5.04亿元增至年14.98亿元，4年CAGR为31.30%；归母净利润从0.52亿元增至4.10亿元，4年CAGR为67.57%。年一季度公司实现营业收入4.21亿，归母净利润1.12亿，同比增速分别为32.87%和49.55%。功率半导体行业景气度持续高企，公司积极推进产品升级，拓展新兴市场和开发重点客户，营业收入和归母净利润实现较快增长。

产品结构调整，屏蔽栅MOSFET和IGBT占比逐年提升。从产品形态口径看，公司近年来功率器件占比逐年提升，从年的57.32%提升至年的90.47%，而芯片形式出货产品占比逐年降低。这主要因为公司积极布局功率半导体封装，提升器件形式出货的规模，主要为了打造提升公司品牌影响力以及获取更高的利润。按产品种类来看，屏蔽栅功率MOSFET和IGBT产品营收占比占比逐年增加，其中屏蔽栅型功率MOSFET占比仅为10.80%，年营收占比达到38.96%；IGBT营收占比在年仅为0.03%，年占比大幅增加至5.39%。公司屏蔽栅型功率MOSFET和IGBT更多面向汽车电子、光伏储能等新兴应用领域，这些下游市场成长空间巨大，公司近年来也主动将更多的资源分配到对应的产品研发和客户开发上，预计公司屏蔽栅型功率MOSFET和IGBT产品占比未来延续持续较快提升态势。

毛利率稳步上升，费用控制良好。-年一季度公司的毛利率从24.69%上升到39.72%，净利率由10.30%上升到26.72%，公司主动优化产品结构，积极推进新产品研发，将更多资源投入毛利率更高的中高端市场。年毛利率下滑主要是由于半导体行业周期波动以及芯片代工成本上升影响。-年一季度，公司财务费用一直为负值，反映了公司良好的财务状况。同期公司管理费用率维持在较低水平，公司采取一体化、精细化管理方式，管理架构较为精简。公司销售费用率也一直较低，这反映了公司产品在MOSFET和IGBT领域较强的竞争优势和口碑，客户开拓和维护成本较低。公司研发费用率一直在4%以上，且近年来有不断攀升的趋势，公司对新产品研发的重视有助于公司保持较强的竞争力。

公司实控人为朱袁正，股权激励绑定员工利益。截止年一季度末，公司董事长兼总经理朱袁正先生持有公司23.15%的股份，为公司的实际控制人。朱袁正先生毕业于吉林大学半导体化学专业和新加坡国立大学ComputerandPowerEngineering专业，并且在半导体行业内拥有三十多年研究和工作经历，既有深厚的学术背景又有丰富的产业经历，是国内MOSFET等半导体功率器件领域研究及产业化的亲历者和先行者。公司研发管理团队以朱总为领军人物，且多数具有半导体产业链复合工作背景，是国内最早一批专注于大英寸芯片工艺平台对MOSFET、IGBT等先进的半导体功率器件进行技术研发和产品设计的先行者，多年来核心骨干理念高度一致、团队保持稳定，通过多年的持续钻研和积累，在MOSFET、IGBT等先进的半导体功率器件这一细分领域具有雄厚的技术实力和丰富的研发经验。公司也于年和年两次施行股权激励，绑定公司核心员工利益。公司通过子公司布局封测、半导体功率模块、功率集成电路业务。子公司电基集成主要布局封测领域，截止年年底投资额已达2.7亿元。子公司金兰功率半导体有限公司主要致力于半导体功率模块的研发、设计、生产和销售。子公司国硅集成专注于车规级智能功率集成电路芯片的设计。

融资聚焦功率半导体器件前沿发展领域，培养公司新的业绩增长点。公司于年9月在上交所IPO，募资额5.04亿元，主要投向包括半导体功率器件研发、功率器件封测生产线、SiC宽禁带半导体功率器件研发等。年11月公司公告拟通过定向增发方式再次筹资14.18亿元，资金投向包括三代半导体SiC/GaN功率器件及封测的研发及产业化、功率驱动IC、智能功率模块（IPM）的研发及产业化和SiC/IGBT/MOSFET等功率集成模块（含车规级）的研发及产业化。第三代半导体SiC/GaN功率器件及封测的研发及产业化拟投资2亿元，本次募投有助于公司提前布局第三代SiC/GaN宽禁带半导体功率器件产品，实现公司产品结构升级。功率驱动IC及智能功率模块（IPM）的研发及产业化拟投资6亿元，功率驱动IC是驱动控制功率开关器件的前级IC，智能功率模块是将功率器件、功率驱动IC等贴装合封在一起构成的电机驱动单元，这两者是公司现有功率器件产品的延伸和升级。SiC/IGBT/MOSFET等功率集成模块（含车规级）的研发及产业化拟投资5亿元，IGBT、MOSFET等的功率集成模块广泛用于光伏、新能源车等领域，有助于公司在新能源应用领域占据更大的市场份额。

2.功率器件市场空间巨大，国产替代进行时

2.1.功率器件市场空间大，MOS和IGBT是主要产品

半导体功率器件是分立器件的重要部分。半导体是一种导电性可受控制，常温下导电性能介于导体与绝缘体之间的材料。半导体产品可划分为集成电路、分立器件、其他器件等多类产品，分立器件是指具有单一功能的电路基本元件，主要实现电能的处理与变换，而半导体功率器件是分立器件的重要部分。半导体功率器件主要包括功率二极管、功率三极管、晶闸管、MOSFET、IGBT等。

在半导体功率器件中，MOSFET和IGBT属于电压控制型开关器件，相比于功率二极管、功率三级管和晶闸管等电流控制型开关器件，具有易于驱动、开关速度快、损耗低等特点，应用前景十分广阔。在分立器件发展过程中，20世纪50年代，功率二极管、功率三极管面世并应用于工业和电力系统。20世纪60至70年代，晶闸管等半导体功率器件快速发展。20世纪70年代末，平面型功率MOSFET发展起来；20世纪80年代后期，沟槽型功率MOSFET和IGBT逐步面世，半导体功率器件正式进入电子应用时代。20世纪90年代，超结MOSFET逐步出现，打破传统“硅限”以满足大功率和高频化的应用需求。年，英飞凌（Infineon）率先推出屏蔽栅功率MOSFET，半导体功率器件的性能进一步提升。当前半导体分立器件产业正在发生深刻的变革，其中新材料成为产业新的发展重心。以碳化硅（SiC）、氮化镓（GaN）等材料为代表的新材料半导体因其宽禁带、高饱和漂移速度、高临界击穿电场等优异的性能而受到行业

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