igbt耐压测试方法，以及如何判断igbt是否失效。

关键词：igbt、耐高压、失效分析。

一.前言随着电子技术的不断发展，对功率电器的要求越来越高；在电路中应用最广泛的就是开关电源了，而开关电源的驱动ic就是大家熟知的mosfet和igbt了。mosfet是场效应晶体管的一种，其特点是输入电阻高、输出阻抗低。

由于它集成了放大器和电压控制功能于一体，所以具有很高的输入阻抗和输出电阻比。因此它的主要用途是作为高频功率放大器件使用，如电视机显像管的栅极驱动器或变频器中的逆变桥式整流器。igbt全称绝缘栅双极型晶体管，是由bjt结构发展而来的一种新型半导体器件。

它既有双极型的优点又有mosfet的高效、大功率特点；同时还有单向导电性及较强的热稳定性等优点；并且还具有体积小、寿命长等特性；因而被广泛应用于电力电子技术领域中的各种变换装置和高频电子设备中作功率开关管工作。

二.工作原理当交流市电经ac-dc-ac转换后得到直流电压时，通过整流滤波电路变成直流电流供给负载使用；此时负载上的等效串联了一个由pwm控制的三极管v1，该三极管导通使v2截止从而产生一个反向电压给v1充电并使其导通以维持正向偏置状态不变。

v3与v1组成一个pnp型反并联谐振电路来提供基波激励信号给npn型二极管d1。d1将基波激励信号转换成漏极开路信号提供给d2形成回路而使d2导通并将漏源间电位抬高到+12v以上为后续的发射级提供一个正反馈条件使得发射级的阈值电压可以升高到一个较高的数值从而使整个系统振荡频率得以提高达到稳定工作的目的。

三.技术指标：

1.工作温度范围：-40°C~85°C。

2.环境相对湿度：5%~95%。

3.相对环境温度：20°C±5°c。

4.电阻率：ω。

5.最大允许结温：k。

1.测试项目有：

（1）静态泄漏电流；

（2）最大允许结温；

（3）可测漏电电流。