3月25日报道

3月25日，半导体功率器件厂商安建半导体宣布获1.8亿元B轮融资，本轮融资由超越摩尔投资领投，弘鼎资本、龙鼎投资、联和资本、君盛投资和金建诚投资跟投。此次资金将主要用于高、低压MOS和IGBT全系列产品开发、第三代半导体SiC器件开发和IGBT模块封测厂建设。

谈及此次投资逻辑，超越摩尔董事总经理史晶星博士表示，功率器件是中国最大概率可以实现弯道超车的赛道，也一直是超越摩尔的重点布局方向之一。

据了解，安建半导体成立于年，专注于半导体功率器件的研发、设计和销售。

目前，安建半导体的产品线已经涵盖大部分MOS管和IGBT产品，其中已有三条产品线实现量产，分别是低电压的SGT-MOS管（屏蔽栅金属氧化物场效应晶体管）、高电压的SJ-MOS管（超结金属氧化物场效应晶体管）、FieldStopTrenchIGBT（场截止沟槽型绝缘栅双极晶体管），产品均具有高性能高可靠性。

未来，安建半导体还将针对不同应用场景还将继续开发不同性能和不同规格的产品，实现功率器件所有电压和电流全覆盖，完成做全系列高低压MOS管和IGBT产品的目标。

团队方面，创始人单建安本硕博毕业于加拿大多伦多大学电气工程专业，年博士毕业后任美国纽约飞利浦研究所高级研究员，年回国一同创办香港科技大学，任电子与计算机工程系教授。在港科大任教期间，单建安一直在做功率器件的技术储备和人才培训，年受邀参与中国香港上市公司华虹半导体重要会议，会议决定双方绑定合作，次年正式成立安建半导体研发半导体功率器件。