9月23日，国家第三代半导体技术创新中心（以下简称“国创中心”）在京召开第一次理事会会议，标志着国创中心正式迈入实际运行阶段。

国创中心由科技部批复同意建设，主要聚焦第三代半导体关键核心技术和重大应用方向，旨在通过推进各类相关创新主体和创新要素有效协同，来输出高质量科技创新成果，以及培育发展新动能，从而推动我国第三代半导体产业创新能力的整体提升。

市场规模前景广阔

国创中心联合行业内龙头企业，并协同全国50余家相关科研机构，布局京津冀鲁、长三角、珠三角、闽三角、中西部五大重点发展区域，在其指引和带动下，国内已初步形成以“核心+基地+网络”为脉络的半导体产业创新格局。

在全球芯片行业销售大幅下滑的态势下，以碳化硅(SiC)、氮化镓(GaN)为代表的第三代半导体材料却迎来市场倍增与产能扩张。海外多家巨头企业也纷纷在财报中做出预测，受益于汽车、工业等领域对碳化硅(SiC)的需求，企业相关营收将有大幅度提升。

安森美半导体(ONSemiconductor)今年二季度的财报中显示，预计到年，碳化硅(SiC)业务收入将超过10亿美元；意法半导体(ST)二季度财报也预计，年意法半导体碳化硅(SiC)业务将获得7亿美元收入，到年将达到10亿美元。

集邦咨询(TrendForce)预测，年，第三代半导体功率市场规模合计可达47.1亿美元；纳微半导体(NavitasSemiconductor)则对市场前景更为乐观，预计到年，碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)功率技术的综合市场机会将超过亿美元。

这些对产业未来高增长趋势的判断，都是基于以电为核心驱动产业拉动起的市场需求。换句话说，第三代半导体在技术创新与应用方向上有着广泛的成长空间和发展潜力。

例如，第三代元器件能够为汽车制造商节约电池成本、减少电池和逆变器的体积与重量，新能源汽车可以实现充电10分钟，行驶公里；还能够为军事设备和交通运输设备提供绝缘栅双极型晶体管(InsulatedGateBipolarTransistor-IGBT)器件，使轨道交通功率器件系统损耗降低20%以上；我国领先世界的特高压电网也普遍使用碳化硅(SiC)材料，可以使特高压电网损耗最高降低60%。

国家第三代半导体技术创新中心主任张鲁川也表示，第三代半导体是战略新兴产业，从装备、材料、芯片、器件到应用，这一全链条的整体视角来看，未来产业规模将高达数千亿人民币。

地方紧跟国家脚步

此次国创中心的建立，正是瞄准国家战略需求，目前已在深圳、南京、苏州、湖南、山西、北京等城市建立专家团队，充分发挥各区域创新和产业优势，各平台互有侧重、协同创新，局部保持适度竞争，形成“一体统筹规划、多地分布布局、协同创新联动”的建设布局。

在山西，中北大学与中电科二所、中科潞安等省内半导体龙头企业共同开展半导体装备、半导体发光等领域的重点项目研发，包括硅基GaN-HEMT、SiC基高温集成电路、SiC高温微纳器件、SiC电力电子器件与系统研究，以及核心芯片与器件、高端制备工艺、源头技术创新、实验室成果中试、应用技术开发升级等。

中能国泰集团也与山西省技术产权交易中心达成战略合作，将在太原地区建立第三代半导体产业园区，结合当地能源优势和产业结构，聚焦半导体材料、碳基新材料、合成生物新材料、特种金属材料等领域，构建专用芯片和器件产业集聚区。

在南京江宁区，启动国家第三代半导体技术创新中心等一批国家级产业创新平台建设，如紫金山实验室，聚焦关键技术领域突破攻关，先后发布10多项全球重大原始创新成果。各平台累计组织实施江苏省重大成果转化项目72个，市级以上科技计划项目数超个。

湖南长沙，出台《长沙市加快新一代半导体和集成电路产业发展若干政策》，计划5年列支3亿元专项用于产业发展，旨在突破共性技术和重大瓶颈、支撑第三代半导体产业向中高端迈进的国家第三代半导体技术创新中心已经完成揭牌。被称为高端芯片“四大件”的CPU、GPU、DSP、FPGA中，长沙是目前全国唯一能够实现其中三大件设计国产自主的城市，填补了多项国产芯片空白。

在国家政策和资金支持下，各地方陆续掀起第三代半导体热潮，随着该产业渗透率的逐年上升，我国半导体企业也将迎来一次反超国际巨头的绝佳机遇。