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mos管采用先进的沟槽技术提供具有低栅极电荷的出色RDS(ON),具有低RDS(on)
VGS=-5V,5V逻辑电平控制,双P沟道SOP8封装,超过最大额定值的应力可能会损坏设备,最大额定值仅为压力等级,长期暴露于高于推荐操作条件的应力可能影响设备可靠性。mos管该设备适合用作负载开关或PWM应用,针对电源管理进行了优化便携式产品的应用,例如H桥,变频器车载充电器及其他。
mos管产品特征:
低RDS(on)
VGS=-5V5V逻辑电平控制
双P沟道SOP8封装
MOSFET管绝对最大额定值:
超过最大额定值的应力可能会损坏设备。最大额定值仅为压力等级。功能操作如上不暗示推荐的操作条件。长期暴露于高于推荐操作条件的应力可能影响设备可靠性。
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