华南微半导体光耦继电器的主要优势特点：

1.输入和输出端之间绝缘，其绝缘电阻一般都大于MΩ，耐压一般可超过1kV，有的甚至可以达到10kV以上。

2.由于光接收器只能接受光源的信息，反之不能，所以信号从光源单向传输到光接收器时不会出现反馈现象，其输出信号也不会影响输入端。

3.由于发光器件(砷化镓红外二极管)是阻抗电流驱动性器件，而噪音是一种高内阻微电流电压信号。因此光电耦合器件的共模抑制比很大，所以，光电耦合器件可以很好地抑制干扰并消除噪音。

4.容易和逻辑电路配合。

5.响应速度快。光电耦合器件的时间常数通常在毫秒甚至微秒级。

6.无触点、寿命长、体积小、耐冲击。

朱工：光耦在选型的过程中需要考虑些什么？

蔡工：需要考虑型号，产品封装，种类，批号，运转方式，工作物质，速度，光路径，输出形式等多方面应用因素。

2.

朱工：光耦继电器有哪些分类？

蔡工：1.三极管输出类型的光耦2.高速输出类型的光耦3.逻辑IC输出类型的光耦4.可控硅输出类型的光耦5.继电器输出类型的光耦光耦是由三部分组成,就是“光的发射、光的接收及信号放大。”所有的光耦，不管是光继电器还是光可控硅，第一和第二部分都是一样的，就是“光的发射、光的接收”，区别在哪里?区别在第三部分“信号放大”，第三部分做成类似可控硅特性的半导体，那这个光耦就是光可控硅，做个简单的晶体管，那就是常用的普通光耦，做个耐高压的类似MOS管特性的半导体，这就是光继电器。

3.

朱工：光耦的性能特点是什么？

蔡工：光电耦合的主要特点如下:：①光信号单向传输，输出信号对输入端无反馈，可有效阻断电路或系统之间的电联系，但并不切断他们之间的信号传递。②隔离性能好，输入端与输出端之间完全实现了电隔离。③光信号不受电磁波干扰，工作稳定可靠。④光发射器件与光敏器件的光谱匹配十分理想，响应速度快，传输效能高，光电耦合器件的时间常数通常在微秒甚至毫微秒级。⑤抗共模干扰能力强，能很好地抑制干扰并消除噪音。⑥无触点，使用寿命长，体积小，耐冲击能力强。⑦易与逻辑电路连接。⑧工作温度范围宽，符合工业和军用温度标准。由于光电耦合器的输入端是发光器件，发光器件是阻抗电流驱动性器件，而噪音是一种高内阻微电流电压信号。因此光电耦合器件的共模抑制比很大，光电耦合器件可以很好地抑制干扰并消除噪音。

4.

朱工：开关电源中常用什么光耦？

蔡工：开关电源中常用的光耦是线性光耦。如果使用非线性光耦，有可能使振荡波形变坏，严重时出现寄生振荡，使数千赫的振荡频率被数十到数百赫的低频振荡依次为号调制。由此产生的后果是对彩电，彩显，VCD，DCD等等，将在图像画面上产生干扰。同时电源带负载能力下降。在彩电，显示器等开关电源维修中如果光耦损坏，一定要用线性光耦代换。

5.

朱工：光耦二极管输出和光耦晶体管输出有什么区别？

蔡工：二极管输出光电流很小，晶体管的基极是断开的，利用PN结的光敏特性，将接收到的光的变化转换为电流的变换，然后在基极输出，从而控制集电极电流。

光耦合器简称光耦。它是以光为媒介来传输电信号的器件，通常把发光器(红外线发光二极管LED)与受光器(光敏半导体管)封装在同一管壳内。当输入端加电信号时发光器发出光线，受光器接受光线之后就产生光电流，从输出端流出，从而实现了“电—光—电”转换。以光为媒介把输入端信号耦合到输出端的光电耦合器，由于它具有体积小、寿命长、无触点，抗干扰能力强，输出和输入之间绝缘，单向传输信号等优点，在数字电路上获得广泛的应用。

6.

朱工：如何区分光耦继电器和固态继电器更好呢？

蔡工：光耦继电器归于固态继电器，一般电磁继电器靠电流通过线圈使铁芯变成有磁性的磁铁吸合衔铁，从而使相关的触点动作控制负载的通断，而光耦继电器没有触点，其作业原理与光耦有点类似。其内部的发光二极管是用来向光电元件放射光线的，光电元件接受光线并控制输出场效应管导通或截止。

在输出导通的状态下当革除施加到光耦继电器输入端的电池时，输入端的发光二极管将间断发光，由于光电元件不再有光线的照射，光电元件的电压将下降，当从光电元件供给的电压初步下降时，通过控制电路导致场效应管上的电荷快速放电，继而使场效应管不再导通，负载被断开，灯泡不发光。这个进程中所消耗的时间称为复位时间。

在输出截止状态下，当电池通过限流电阻施加到光耦继电器的输入端时，输入端的发光二极管将发光，宣告的光照射到对面的光电元件，光电元件根据光的强度将其转换成相应的电压，一同控制电路向场效应管的栅极充电，当栅极的电压抵达场效应管的打开电压时，场效应管初步导通，灯泡发光。这个进程中消耗的时间则称为动作时间。

7.

朱工：光电耦合器有什么性能检测方法？

蔡工：(1)静态检测

由于光电耦合器中的发射管与接收管是互相独立的，因此可用万用表单独检测这两部分的好坏。检测可分三步进行

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第一步：利用R×(或R×1k)挡测量光发射二极管的正、反向电阻，检测其单向导电性。发光二极管具有一般二极管的单向导电的特性，即正向电阻小，反向电阻大。通常正向电阻为几百欧，反向电阻为几千欧或几十千欧。如果检测结果正、反向电阻非常接近，表明发光二极管性能欠佳或已损坏。检测时，要注意只能使用万用表的R×10、R×或R×1k挡，不能使用R×10k挡，因为发光二极管工作电压一般在1.5～2.3V，万用表R×10k挡电池电压为9～15V，会导致发光二极管击穿。

第二步：检测光接收管的集电结与发射结的正、反向电阻。将万用表量程开关拨在10×1k挡，黑表笔接c极，红表笔接e极，指针应微动;对调两表笔再测，指针应不动。也就是说，无论正、反向测量其阻值均应为无穷大，否则光敏三极管损坏。

第三步：用R×10k挡检测光发射管与光接收管之间的绝缘电阻。用万用表的R×10k挡检测其初、次级之间的绝缘电阻值，应测量两次(即两表笔对调一次)。光电隔离器初、次级绝缘电阻应为∞。上述发光二极管或光敏三极管只要有一个损坏，或者它们之间绝缘不良，则该只光电耦合器不能正常使用。

(2)产品性能测量

光电耦合器的发光二极管两输入端接入两节1.5V的电池，二极管正端接电池正极，负端接电池负极，R为限流电阻。用万用表R×1挡测光敏三极管正向电阻值，应为10～30Ω，反向电阻值为∞，说明光电耦合器性能良好。若所测数值远离上述值，则表明耦合器性能欠佳或损坏。

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运用上述方法检测不同型号的光电耦合器时因其引脚不同，发光二极管工作电压的接法也应有所不同。所以在检测时，应先根据其内部电路找出其输入与输出端的引脚，然后根据其发光二极管工作电压并串入相应的限流电阻R后，再测光敏三极管c、e极之间的正、反向电阻。