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来源：内容编译自「中时电子报」，谢谢。

虽然年上半年疫情来势汹汹，肆虐大陆及全球，也影响大陆分离式元件制造业景气的表现，不过在历经年上半年疫情冲击中国半导体相关行业营运之后，预计中央财政支援下的积极举措及金融系统的举措，无疑会对中国经济成长率在疫情结束后产生激励的作用，同时原本延迟的终端应用市场需求将会恢复，并且出现补偿式的增长，而中国本产业中长期的发展仍会恢复正轨。即随着工业控制、家电及新能源行业市场的逐步回暖，尤其是新能源汽车市场的快速发展与智能驾驶技术的应用，绝缘栅双极电晶体（IGBT）在此领域的市场规模可望逐步成长，代表IGBT的产品性能卓越，已成为中高阶功率半导体发展的主流，更何况IGBT国产化将成为中国关键分离式元件的发展重点之一。另外值得一提的是，目前功率器件主要以硅（Si）基材料为主，包括绝缘层上覆硅（SOI）高压集成电路，随着第3代半导体的发展，相较于氧化锌（ZnO）、金刚石、氮化铝等第3代半导体材料的研究尚属起步阶段，反观以碳化硅（SiC）和氮化镓（GaN）为代表的半导体材料开始成为功率半导体的新兴材料，特别是年2月13日小米发布GaN充电器、2月14日VIVOrealme也宣布将在X50上全系搭载GaN充电器，显然GaN芯片已经完成从高阶功率器件到消费电子的转换，主要系因GaN在电源管理、发电和功率输出方面具有明显的技术优势，该材料未来的发展潜力值得期待。事实上，中国市场中也出现出一批掌握IGBT核心技术的境内本土企业，例如斯达半导、士兰微、台基股份、闻泰科技、扬杰科技、华微电子、振华科技等，显然未来中国IGBT国产化进程在肺炎疫情过后恐加速启动，而陆系企业从二极体、三极管往MOFET、IGBT不断实现产品升级，而能否打破市场由绝大多数被国外厂商垄断，包括Infineon、STM、ONSemi、Mitsubishi、FujiElectric、Fairchild、Semikron、Renesas等的局面，此竞争态势的改变值得台湾厂商高度

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