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mOSFET（Mode-SpecificOutputSwitching）是一种特殊功能的半导体器件。

它是在一块硅片上制作两个相距很近的PN结，然后让电流从其中一边流入另一边流出而形成电压输出信号；当外加正、反向脉冲时则因在两电极之间产生电势差而使两边电位发生变化而产生控制作用，从而实现对信号的放大与调制等处理功能。

由于这种特殊的结构使得它在高频电路中得到了广泛的应用。例如：开关功率级中的Pwm控制器就是由MOS管构成的。另外，随着集成度的提高及的进步，目前已有许多新型的MOS管应用于各种数字集成电路中如CMOS门阵列芯片等等。

IGBT（InsulatedGateBipolarTransistor）缘栅双极型晶体管是电力电子技术发展过程中出现的一种新型场效应晶体管制成的二极管组态元件。其特点是工作频率高、体积小、重量轻、可靠性好等特点，因而得到迅速发展和广泛应用，成为继PN结之后又一重要的大规模实用化的电子元器件之一。

1、原理不同：

1）IGCT的工作原理是将输入交流电源变换成直流或低频脉动高压，再经过整流滤波后变成可调节的高频低压大电流，经逆导通回路将高频高压变为低阻抗的恒定电流输送到负载端。它的主要优点是效率高、损耗小、速度快且稳定可靠等优点。

2）MOSFET的工作过程则是利用基区产生的漏源电场来推动沟道导电层进行载流子迁移并发生复合的现象来实现开通/关断的功能。

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