缘栅型场效应管（MESFET）是一种利用金属与半导体之间形成电场的原理来制作电子元件的器件。

它属于电压控制型半导体器件，具有输入电阻高、噪声小等优点，因而在数字电路中得到了广泛的应用。

由于MESFET结构简单，性能优越且易于实现集成化生产等特性，因此被广泛应用于各种电子设备中。

1、缘栅场效管的分类：

（1）根据导电材料的不同可分为：金氧半场效管和硅缘栅场效管两种类型。

（2）按照栅极形状的不同分为：单极型、双极型和三极型三种类型。

（3）按照电极间的距离不同可分为：N沟道（N-Diode）、P沟道（P-Diode）、H沟道（H-Diode）和耗尽层型四类。

2、缘栅场效应管的特性：

（1）输入电阻高：

一般可达几百千欧以上；

（2）噪声低：

其噪声比功率开关还低10dB左右；噪音系数仅为1×10-3~1/0/W·m2/V；漏电流很小，约为5mA～mA；电流放大系数很高。一般可达20～40倍。但随着温度升高或负载增大时，输出电阻将下降到原来的1/3～1/2以下。

（3）动态范围宽：

在室温条件下，静态电流增益达倍以上；动态电流增益为30倍以上；在大信号情况下仍能保持良好的线性度及较小的失真度；场效应晶体管是电压控制型的器件，它的工作点由加于其两端的正向电压决定。当外加反向电压时，由于PN结正偏而发射区不饱和造成雪崩击穿而使管子关断。

当外加正向压限时由于PN结反偏而使基区饱和而造成管子导通。所以在外界条件变化时管子有两个工作状态：一是导通状态、一是截止状态。