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来源：内容由半导体行业观察（ID：icbank）编译自semiengineering，谢谢。

功率半导体供应商继续开发和交付基于传统硅技术的产品，但硅已接近极限，并面临来自GaN和SiC等技术的日益激烈的竞争。作为回应，业界正在寻找扩展传统硅基功率器件的方法。至少在短期内，芯片制造商正在努力提高性能并延长技术。功率半导体是用于多种低压到高压应用的专用晶体管，例如汽车、工业、电源、太阳能和火车。这些晶体管像设备中的开关一样工作，允许电流在“开”状态下流动并在“关”状态下停止。它们提高了效率并最大限度地减少了系统中的能量损失。多年来，功率半导体市场一直由硅基器件主导，即功率MOSFET、超结功率MOSFET和绝缘栅双极晶体管(IGBT)。这些设备于年代首次商业化，如今几乎在每个系统中都能找到。这些产品成熟且价格低廉，但它们也有一些缺点，并且在某些情况下达到了理论性能极限。这就是为什么许多供应商也在开发和交付基于两种宽带隙半导体——氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)的新型功率器件。面世一段时间，基于GaN和SiC的功率器件在各个领域与硅IGBT和MOSFET竞争。GaN和SiC器件效率更高，但它们也更昂贵。总的来说，这些不同类型的功率半导体为客户提供了选择，但它们也增加了一定程度的混乱。事实证明，没有一种功率器件可以满足系统中的所有要求。这就是为什么客户需要一系列具有不同额定电压和价格点的选项。GaN和SiC器件近来备受

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