功率器件是一种半导体分立器件，主要包括二极管、晶闸管、IGBT、MOSFET等产品，具体用途是变频、变相、变压、逆变、整流、增幅、开关等。从应用范围来看，MOSFET和IGBT适用范围最广，二者市场规模之和占整体功率器件的一半以上。功率器件各项参数对比情况如下：

目前我国已经通过大力研发与外延并购，在芯片设计与工艺上不断积累，一方面实现了二极管、晶闸管等传统的功率器件的突破，具备与国际品牌竞争的水平实力；另一方面在技术壁垒较高的IGBT、MOSFET等产品领域的技术研发和生产制造亦有所成就。在国家政策支持，产业生态逐渐完善，人才水平逐渐提高的背景下，中国本土企业有望进一步向高端功率器件领域迈进。

目前国内功率器件产业链日趋完善，相应技术不断取得突破。同时，中国拥有全球最大的功率器件消费市场，伴随国内功率器件行业进口替代的发展趋势，未来中国功率器件行业将继续保持增长。

（1）IGBT

IGBT全称绝缘栅双极晶体管，是由双极型三极管和MOSFET组成的复合全控型电压驱动式功率器件。IGBT具有电导调制能力，相对于MOSFET和双极晶体管具有较强的正向电流传导密度和低通态压降。IGBT的开关特性可以实现直流电和交流电之间的转化或者改变电流的频率，有逆变和变频的作用，可以应用于逆变器、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。因此，从小家电、数码产品，到航空航天、高铁领域，再到新能源汽车、智能电网等新兴应用都会大量使用IGBT。

根据Yole统计，年全球IGBT市场规模为54亿美元，预计年市场规模将达到84亿美元，-年均复合增长率为7.6%。具体情况如下：

数据来源：Yole

中国目前拥有全球最大的IGBT消费市场，根据Yole统计，年我国IGBT市场规模为21亿美元，约占全球IGBT市场规模的39%。IGBT是我国重大科技突破专项中的重点扶持项目，被称为电力电子行业里的“CPU”。

我国IGBT产业起步较晚，目前市场主要被国外产品垄断，未来进口替代空间巨大，目前IGBT在轨道交通领域已经实现了技术突破。此外，在新能源汽车领域，IGBT是电控系统和直流充电桩的核心器件，随着未来新能源汽车等新兴市场的快速发展，IGBT产业将迎来黄金发展期。

（2）MOSFET

MOSFET全称金属氧化物半导体场效应晶体管，是一种可以广泛使用在模拟与数字电路的场效应晶体管。MOSFET的优点在于稳定性好，具有高频、驱动简单、抗击穿性好等特点，适用于AC/DC开关电源、DC/DC转换器。

MOSFET下游的应用领域中，消费电子、汽车电子、工业控制、医疗、国防和航空航天、通信占据了主要的市场份额，其中消费电子与汽车电子占比最高。在消费电子领域，主板、显卡的升级换代、快充、Type-C接口的持续渗透持续带动MOSFET的市场需求，在汽车电子领域，MOSFET在电动马达辅助驱动、电动助力转向及电制动等动力控制系统，以及电池管理系统等功率变换模块领域均发挥重要作用，拥有广泛的应用市场及发展前景。

MOSFET是功率器件的最大市场，根据Yole统计，年全球MOSFET市场规模为76亿美元，预计年市场规模将达到95亿美元，-年均复合增长率为3.8%。具体情况如下：

数据来源：Yole

中国目前拥有全球最大的MOSFET消费市场，根据Yole统计，年我国MOSFET市场规模为29亿美元，约占全球MOSFET市场规模的38%。过去国内MOSFET的主流产品以平面栅MOSFET为主，在专利保护众多、市场竞争激烈、市场份额最大的低压沟槽栅MOSFET领域，国内虽有涉足，但多以消费品应用为主，缺乏具有自主知识产权和市场竞争力的高端产品。

近年来，国内涌现出一大批以中高端MOSFET为主营业务的专业公司，已开始逐渐取代国外产品，国内MOSFET产业将迎来飞速发展。

编制：诸葛御责任编辑：赵皋

来源：思瀚产业研究院中芯集成