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Magnachip半导体推出了用于太阳能逆变器的V绝缘栅双极晶体管(IGBT)。该IGBT采用现场停止沟槽技术,可实现快速开关速度和高击穿电压,该公司将于本月开始量产。
其采用最新技术,与上一代相比,新型VIGBT的75A电流密度提高了30%。IGBT还设计用于提供5μs的最小短路耐受时间,并且由于其正温度系数,它针对并联开关进行了优化。该IGBT的并联开关将增加负载电流,从而增加最大输出功率。
该器件还具有反并联二极管,可实现快速开关和低开关损耗,同时保证°C的最大工作结温。基于联合电子器件工程委员会(JEDEC)发布的标准,这种新型IGBT可以广泛用于需要严格功率水平和高效率的应用,例如太阳能升压逆变器和转换器,不间断电源和通用功率逆变器。
全球市场研究公司Omdia估计,从年到年,全球可再生能源领域的IGBT市场将以每年15%的速度增长。
“Magnachip的第一款IGBT于年推出,从那时起,我们一直致力于为各种市场开发高效产品,同时加强我们在全球的业务,”Magnachip首席执行官YJKim说。
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