Magnachip半导体推出了用于太阳能逆变器的V绝缘栅双极晶体管（IGBT）。该IGBT采用现场停止沟槽技术，可实现快速开关速度和高击穿电压，该公司将于本月开始量产。

其采用最新技术，与上一代相比，新型VIGBT的75A电流密度提高了30%。IGBT还设计用于提供5μs的最小短路耐受时间，并且由于其正温度系数，它针对并联开关进行了优化。该IGBT的并联开关将增加负载电流，从而增加最大输出功率。

该器件还具有反并联二极管，可实现快速开关和低开关损耗，同时保证°C的最大工作结温。基于联合电子器件工程委员会（JEDEC）发布的标准，这种新型IGBT可以广泛用于需要严格功率水平和高效率的应用，例如太阳能升压逆变器和转换器，不间断电源和通用功率逆变器。

全球市场研究公司Omdia估计，从年到年，全球可再生能源领域的IGBT市场将以每年15%的速度增长。

“Magnachip的第一款IGBT于年推出，从那时起，我们一直致力于为各种市场开发高效产品，同时加强我们在全球的业务，”Magnachip首席执行官YJKim说。

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