3月9日晚间，闻泰科技发布公告称，全资子公司NexperiaB.V.（“安世半导体”）于年设立了中国研究院，专注高压功率器件、模拟IC等新产品研发方向。目前公司自主设计研发的绝缘栅双极晶体管（InsulatedGateBipolarTransistor，以下简称“IGBT”）系列产品已流片成功，取得阶段性重大进展，各项参数均达到设计要求。

闻泰科技表示，IGBT流片成功后，仍需经过客户验证，后续量产计划具有不确定性。

图片来源：闻泰科技公告截图

公开资料显示，闻泰科技是一家全球领先的智能终端制造和半导体企业，自年以来陆续收购安世半导体和NewportWaferFab(NWF)，其半导体业务涵盖了芯片设计、晶圆制造、半导体封装测试的产业链拓展。

据悉，安世半导体是全球领先的车规级功率厂商，其前身为恩智浦(NXP)集团标准产品部门，其拥有60多年半导体行业经验。安世半导体在主要的车规级功率、逻辑和模拟细分品类占据前排位置，细分到产品上则是在小信号二极管和晶体管、ESD保护器件、PowerMOS汽车领域、逻辑器件、小信号MOSFET上占据优势。

自年起，闻泰在半导体业务上动作频频，一方面积极扩张规模，一方面加强技术研发。

年7月6日，安世半导体完成了对英国最大的晶圆NewportWaferFab(NWF)的%收购，有效提升车规级IGBT、MOSFET、Analog和化合物半导体等产品领域的IDM能力。同日，安世半导体成立独立半导体设备公司ITEC，以满足对半导体设备的井喷式需求。随后不久，便又宣布安世马来西亚扩产。

研发层面，安世开设新的全球研发中心并扩大现有研发机构；前端晶圆制造厂实行全新技术的投资及投产；后端封测加强先进技术的能力。

规模效应和技术支撑的作用下，这两年安世半导体许多新品如MOSFET、IGBT、PMIC和第三代半导体等逐步进入收货期。目前，安世半导体正在加速布局第三代半导体产品，成为高效功率氮化镓（GaN）、碳化硅（SiC）的可靠供应商。

氮化镓方面，安世半导体已推出系列GaNFET产品，产品通过车规级认证并应用于新能源汽车领域，是全球少数可提供车规级氮化镓器件的厂商。

碳化硅方面，年11月，安世半导体推出了工业级V、10ASiC肖特基二极管，汉堡晶圆厂已部署AixtronMOCVD设备采用G5WWC生产技术进行SiC外延批量生产，Newport晶圆厂也拥有SiC生产能力并已安装了化合物半导体联盟的SiC设备正在试产。

同时，安世半导体也通过投资、合作等方式深化第三代半导体产业布局，包括如投资基本半导体，与联合汽车电子有限公司、上海汽车电驱动有限公司、汽车工程咨询公司Ricardo合作等。