绝缘栅

从沙子到芯片且看处理器是怎样炼成的

发布时间:2024/12/20 15:54:40   
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众所周知,麒麟G有亿个晶体管,这比上一代的麒麟足足多出了44亿个,目前手机芯片中最多的处理器。数学上,纳米是0.米,用标尺实际测量的话可以得知指甲的厚度约为0.米(0.1毫米),也就是说试着把一片指甲的侧面切成10万条线,每条线就约等同于1纳米,如此多的晶体管,是如何安装上芯片的呢?首先,我们需要明白一个问题,芯片制程指的是什么?晶体管是一种调节电流或电压的装置,可以开关或放大信号,作为集成电路中的基本元素,集成电路由大量与电路互连的晶体管组成。Mos管在芯片中放大可以看到像一个“讲台”的三维结构,晶体管是没有电感、电阻这些容易产生热量的器件的。最上面的一层是一个低电阻的电极,通过绝缘体与下面的平台隔开,它一般是采用了P型或N型的多晶硅用作栅极的原材料,下面的绝缘体就是二氧化硅。平台的两侧通过加入杂质就是源极和漏极,它们的位置可以互换,两者之间的距离就是沟道,就是这个距离决定了芯片的特性。晶体管内部电流从起点Drain端流向终点Source端要经过一道闸门,这个闸门我们就称之为闸极,我们缩小晶体管的最主要目的就是为了要减少耗电量,那么这道闸门长度越短,电流通过时间也就越短。所以借助缩小闸极长度,电流可以用更短的路径从Drain端到Source端。而这个闸门的宽度就是芯片中所说的纳米单位。缩减元器件之间的距离之后,晶体管之间的电容也会更低,从而提升它们的开关频率。那么,由于晶体管在切换电子信号时的动态功率消耗与电容成正比,因此,它们才可以在速度更快的同时,做到更加省电。另外,这些更小的晶体管只需要更低的导通电压,而动态功耗又与电压的平方成反比,这时能效也会随之提升,随着晶体管的增加,运算效率也会提高。另外,组件越小,同一片晶圆可切割出来的芯片就可以更多。即使更小的工艺需要更昂贵的设备,其投资成本也可以被更多的晶片所抵消,最后,芯片体积缩小后,更容易塞入移动设备中(比如手机),满足未来轻薄化的需求。这也是为什么制程会越来越小的原因,那么这么多晶体管究竟是如何安装上去的?其实这并非是安装上去的,而是雕刻上去的,我们知道芯片的材料是硅,就好像在一块砖上雕刻出一座楼房一样,晶体管也是在硅片上雕刻出来的。我们在将硅进行熔炼切割之后就得到了晶圆,而晶圆代工厂会根据芯片设计师设计好的物理版图进行制造。在进行芯片设计的时候,芯片设计师就会利用EDA工具,对芯片进行布局规划,然后走线、布线,这是芯片产业中最繁复也是最难的工序,设计数十种EDA工具,每种芯片类型的不同所使用的EDA工具也不一样。芯片制造过程共分为七大生产区域,分别是扩散、光刻、刻蚀、离子注入、薄膜生长、抛光、金属化,光刻和刻蚀是其中最为核心的两个步骤,这也是雕刻晶体管最核心的步骤。什么是光刻技术呢?光刻就是把芯片制作所需要的线路与功能区做出来。利用光刻机发出的光通过具有图形的光罩对涂有光刻胶的薄片曝光,光刻胶见光后会发生性质变化,从而使光罩上得图形复印到薄片上,从而使薄片具有电子线路图的作用。我们首先用紫外线透过蒙版照射硅晶圆,被照到的地方就会容易被洗掉,没被照到的地方就保持原样.于是就可以在硅晶圆上面刻出想要的图案.注意,此时还没有加入杂质,依然是一个硅晶圆。然后我们再通过离子注入,在硅晶圆不同的位置加入不同的杂质,不同杂质根据浓度/位置的不同就组成了场效应管,在真空系统中,用经过加速的、要掺杂的原子的离子照射(注入)固体材料,从而在被注入的区域形成特殊的注入层,并改变这些区域的硅的导电性。经过电场加速后,注入的离子流的速度可以超过30万千米每小时。这个时候因为有许多光刻出来的地方是为了离子注入,那么这些不需要的东西就要通过刻蚀技术将它们去掉。这其中还涉及到光刻胶,这里面有一个反复加入、清除光刻胶的过程,我们要知道电路设计图首先通过激光写在光掩模板上,然后光源通过掩模板照射到附有光刻胶的硅片表面,引起曝光区域的光刻胶发生化学效应,再通过显影技术溶解去除曝光区域或未曝光区域,使掩模板上的电路图转移到光刻胶上,最后利用刻蚀技术将图形转移到硅片上。至此,晶体管已经基本完成。在绝缘材(品红色)上蚀刻出三个孔洞,并填充铜,以便和其它晶体管互连。然后再通过等离子冲洗、热处理、快速热退、退火、热氧化(制造出二氧化硅,也即场效应管的栅极)、化学气相淀积(CVD进一步精细处理表面的各种物质)、物理气相淀积(PVD)、分子束外延(MBE、果需要长单晶的话就需要这个)、电镀处理、化学/机械表面处理,通过这样一系列的过程,那么芯片就制作完成,最后再进行晶圆检测和切片。不同的芯片,制作流程也会有不同,所以这只是一个简略的晶体管制造流程。这是一个Top-downView的SEM照片,可以非常清晰的看见CPU内部的层状结构,越往下线宽越窄,越靠近器件层。这是CPU的截面视图,可以清晰的看到层状的CPU结构,芯片内部采用的是层级排列方式,这个CPU大概是有10层。其中最下层为器件层,即是MOSFET晶体管。

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