金融界年7月2日消息，天眼查知识产权信息显示，江苏捷捷微电子股份有限公司取得一项名为“一种电容可调的SGTIGBT结构及制备方法“，授权公告号CNB，申请日期为年12月。

专利摘要显示，本发明涉及半导体器件技术领域，具体说是一种电容可调的SGTIGBT结构及制备方法。它包括半导体衬底，半导体衬底的正面有源区内设置有若干个元胞。元胞中至少有一个深沟槽作为SGTIGBT的栅极，深沟槽两侧有离子注入区与第一接触孔结构。其特点是，元胞的深沟槽下部有第一多晶硅填充区，深沟槽的上部含有三个填充多晶硅的浅沟槽。第一多晶硅填充区用于与IGBT的发射极相连，浅沟槽中的多晶硅用于与IGBT的栅极或发射极相连。采用该结构实现了绝缘栅双极型晶体管输入电容、反馈电容的调节，也实现沟道密度的调节。

本文源自：金融界

作者：情报员