绝缘栅

功率半导体

发布时间:2022/8/24 22:40:39   

1.功率半导体的种类有哪些?

功率半导体器件处于现代电力电子变换器的核心地位,它对装置的可靠性、成本和性能起着十分重要的作用。功率半导体器件根据集成程度可分为功率IC和功率半导体分立器件。功率IC是将功率分立器件与驱动、保护等电路集成在一个半导体晶片上;功率分立器件可分为二极管、晶体管、晶闸管三大类别,晶体管中MOSFET、IGBT、BJT应用广泛。

据智研咨询统计,年全球功率半导体市场结构中,功率IC、MOSFET、IGBT、二极管是四种运用最为广泛的功率半导体产品,四者分别占比54%、16%、12%、15%。功率IC中,DC/DC转换器应用最为广泛,占比达到51%。

2.功率半导体的作用是什么?

功率半导体主要用于实现开关、放大、整流(AC/DC)、逆变(DC/AC)、斩波(DC/DC)等功能。

1)二极管

二极管的作用是“开关”。把电流用水流比喻的话,阳极是上游,阴极是下游,水能从上游流向下游,却不能从下游流向上游,这就是二极管的开关作用,也即整流作用。

2)晶体管

晶体管的作用是“增幅”和“开关”。在模拟信号中,晶体管在不改变输入信号波形的前提下放大电压和电流,如收音机可以放大空中传播的极微弱的信号。在数字信号中,晶体管起到切换0和1的开关作用。从晶体管的结构来理解,可以把晶体管的3个引脚(基极、集电极和发射极)分别视作自来水的阀门、水龙头和配管,通过在阀门施加微小的力量(基极的输入信号)即可控制龙头喷出巨大的水量(集电极的输出电流)。

3)晶闸管

晶闸管是高电压、大电流场景下的“开关”,相比二极管可控性更强。晶闸管的作用于二极管类似,其特点是可以用弱信号控制强信号,适宜高电压、大电流的场景。与二极管对比来看,晶闸管在应用端的功能更为多样和可控,最根本的是晶闸管可以控制正向电流通电时间,非常适用于交流电压开关、灯光控制、加热器功率控制、相位控制、电容器电压放电、继电器等应用,这些都是二极管无法胜任的。

4)功率IC

功率IC可直接用于实现DC/DC或AC/DC等更复杂的功能。其通过将上述分立功率器件及其驱动电路、保护电路、接口电路等外围电路集成在一个芯片上,用于实现上述功能。相比较而言,采用分立器件方案灵活性高,有助于降低物料清单成本,但需要更长的设计和验证时间,还需要较高的专业技术知识以及较长的线路调适时间。而功率IC集成化使得器件体积更小,功能更强大,相应产品价值会更高。

3.不同功率半导体的应用领域有何差别?

不同功率半导体的优势领域不同。功率二极管结构简单,成本低,广泛应用于消费电子和工业中;晶闸管适合高功率低频的工业场景,在可控性上优于二极管,常见应用场景包括电力传输、高铁、轻工业、船舶电力等。晶体管中,MOSFET高频特性最优,但由于耐压特性较差故在高功率领域应用受限,主要应用于消费电子、通讯、工业控制和汽车领域等高频低功率场景。IGBT耐压高,高功率领域应用优势明显,高频特性弱于MOSFET,广泛用于智能电网、高铁、新能源发电、电动汽车、白色家电等领域等高功率中低频场景。BJT则更适合低功率场景,在应用频率上低于MOSFET,主要用于家电等领域。

以晶体管中应用最为广泛的MOSFET和IGBT为例进行说明:

MOSFET:主要应用于消费电子、家用电器、汽车和PC电源

MOSFET简称MOS管,是一种全控-电压驱动的功率器件。从结构上来看,MOSFET的栅极与其他部分通过绝缘层隔开,输入阻抗较大,因而需要的驱动功率小。此外,MOS管是多子导电,关断时由于没有少子而显著地减小了开关时间和开关损耗,成为制造AC/DC开关转换器和DC/DC转换器的必要器件,特别适用于家用电器,汽车和PC电源领域。

MOSFET品类丰富,可适配多层次电压需求。根据结构工艺不同,市面上的主流功率MOSFET结构包括:平面型、沟槽型和超级结(SJ)。最常见的平面型LDMOSFET由于三极都在硅片的上表面,只能应用于电压较低、功率较小的场景。平面型VDMOSFET利用垂直导电结构让电流在硅片内部垂直流动,因而可适用于中高压。上述平面型结构的问题在于导通内阻较大,开关性能较差,不适用于高频场景。沟槽型的TrenchMOSFET和SGTMOSFET通过降低导通内阻和漏极栅极米勒电容,降低了开关时间和损耗,适用于中低压高频场景。SJMOSFET则综合了平面型和沟槽型结构两者的优点,在平面型结构中开一个低阻抗电流通路,高电压下实现了较低的导通电阻,广泛应用于高压高频领域。

IGBT:主要应用于轨道交通、智能电网、电动汽车与新能源装备等领域

IGBT是由BJT(双极型晶体管)和MOSFET组成的全控-电压驱动的功率器件,多个IGBT可以集成为IPM模块。IGBT驱动原理类似MOSFET,但导通电流通过BJT处理,既有MOSFET输入阻抗高、驱动功率小、开关速度快特性,又兼具BJT导通电压低、通态电流大、损耗小的优点,在高压、大电流、高速等方面具有独特优势,广泛应用于轨道交通、智能电网、电动汽车与新能源装备等领域。

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