比亚迪半导体有限公司最近财运不断，继5月26日融资19亿元人民币之后，6月15日又获8亿元融资。一个月内两度融资，估值已达亿元，并明确将于适当时机独立上市。看来，干芯片，比亚迪真的要搞事情了。芯片，是中国先进制造业的隐痛。在国内整体芯片工业不力的大背景中，一家造汽车的，造的芯片能有多优秀呢？技术行不行，专利最有发言权。于是，我们把比亚迪申请的所有IGBT芯片专利撸了下，分析结果来了——比亚迪到底申请了多少专利？IGBT，学名绝缘栅双极型晶体管，俗称电力电子装置的“CPU”。IGBT是能源变换与传输的核心器件，与动力电池一样，也是新能源汽车的核心技术。IGBT芯片的设计和制造工艺难度都很高，我国IGBT长期被卡脖子，中高端IGBT产能严重不足，几乎全部依赖英飞凌等国际巨头。随着产业规模的扩张，我国新能源汽车急需一颗强健的IGBT“中国芯”。

年，比亚迪提出其首个IGBT专利申请，截止年5月8日，德温特世界专利数据库里一共有比亚迪公开的个IGBT专利族，包括条专利记录。这就是比亚迪IGBT芯片当前的全部技术家底了，其中75%的专利布局于中国大陆。

那么，条授权专利，在国际圈儿是个什么水平？富士电机、三菱电机和英飞凌拥有的IGBT专利最多，但他们都起步早。上世纪80年代，富士电机和三菱电机就已开展IGBT技术研发，目前两家公司分别握有、个专利族；英飞凌虽然年才申请其首个IGBT专利，但数量增长很快，近几年的申请量排名第一，且已成车规级IGBT芯片霸主。比亚迪的IGBT研发比日本晚了20多年！底子薄，只能快点跑，追到哪里了呢？

比亚迪的技术工艺处于什么水平？比亚迪年成立IGBT团队，年收购了资不抵债宣布破产的宁波中纬积体电路，这笔买卖之后，比亚迪开始了IGBT芯片的自主研发。年，比亚迪IGBT制程工艺攻克了非穿通型（NPT）技术工艺，年推出车规级IGBT4.0技术，该技术在非穿通型基础上，增加了复合场终止层，并进一步减薄了芯片厚度。在年9月公开的一份专利中，比亚迪提出了深沟槽栅的技术方案；年3月、4月公开的两份专利中，提出了场终止层（电场截止）的技术方案。

芯片，大家都爱说第几代技术，代数越高水平也越高。对于芯片工艺水平的代数划分，没有一定之规，对比一个比较被广泛采纳的划代标准，可以发现比亚迪IGBT芯片整体还是处于第4代，近两年开始试图在第5代、甚至第6代技术上有所突破。而国际上，年IGBT芯片已经进入了“微沟槽栅+场截止”的第7代技术，三菱电机、富士电机、英飞凌都有产品推出。比亚迪的技术迭代还处于跟随、追赶的状态。

比亚迪重点研发了些啥？我们用了两种方法来看比亚迪IGBT的重点发力区。第一种是简单直白的专利标引德温特手工代码排序。德温特手工代码排序显示，除了关键的MOS栅双极管以外，无机材料沉积（金属氧化物）、栅电极、电极和互连层的加工、半导体热处理（退火等）、散热（包括芯片及模组散热等）、硅基材料、电动车电控系统等，也是比亚迪IGBT专利布局较为集中的技术领域。

第二种方法是专利文本挖掘。借助于incoPat专利数据平台，我们将比亚迪IGBT专利数据进行文本聚类，绘制了一份技术研发重点专利地形图，图中深色等高线部分表示比亚迪专利技术研发密集区。从这份专利地图中，如果你是技术硬核，可以看懂比亚迪的IGBT专利重点包括：IGBT结构、散热、IGBT芯片、IGBT模组、覆铜陶瓷基板（DBCsubstrate）、电控技术等。

模组研发其实是比亚迪在年之前重点做的事，还属于比较低的段位。那最近三年，比亚迪在做些什么呢？最近三年，比亚迪

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