IGBT：需求增长+国产替代，中国IGBT行业有望实现放量增长 　　兼具MOSFET及BJT两类器件优势，IGBT被称为电力电子行业的“CPU”。IGBT是由BJT(双极型三极管)和MOS(绝缘栅型场效应管)组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件。兼具有MOSFET的高输入阻抗、器件驱动功率小、开关速度快、BJT器件饱和压降低、电流密度高和GTR的低导通压降的优点。历时超30年，IGBT已经发展至第七代，各方面性能不断优化。IGBT作为新型功率半导体器件的主流器件，其应用领域包含工业、4C（通信、计算机、消费电子、汽车电子）等传统产业领域，以及轨道交通、新能源、智能电网、新能源汽车等战略性新兴产业领域。 　　国产替代空间巨大，供需关系维持紧俏。受益于工业控制及电源行业市场的逐步回暖，以及下游的变频家电、新能源汽车等领域的迅速发展，全球及中国IGBT市场规模持续增长。根据WSTS数据，预计年全球IGBT市场规模将达到近57亿美元，-年CAGR达到7.04%。目前IGBT市场主要被海外大厂占据，国内企业起步较晚，高端产品自给率仍然较低，国产替代空间较大。目前全球IGBT缺货涨价现象仍较为明显，中国企业有望把握机遇，加速推进国产替代，市场份额或将快速提升。 　　新能源汽车、充电桩、光伏、风电市场需求旺盛，IGBT市场需求持续扩大。IGBT下游应用广泛，其中新能源汽车、充电桩、可再生能源发电等新兴领域的快速发展将带动市场空间持续扩大。 　　（1）新能源汽车：汽车电动化趋势带动IGBT市场需求高速增长，预计年我国新能源汽车市场IGBT规模将达到亿元，-年CAGR达33.8%。（2）充电桩：新能源汽车快速发展带动配套充电桩保有量持续提升，预计年我国充电桩保有量将升至万台。按各类充电桩市场成本及IGBT在充电桩中成本占比20%测算，预计年我国充电桩IGBT市场规模将达亿元，-年CAGR达49.1%。（3）可再生能源（光伏风电）：在全球各国积极推行碳中和的背景下，可再生能源发展进入快车道，作为光伏逆变器及风电变频器中的核心组件，预计年我国光伏逆变器及风电变频器功率器件及IGBT市场规模将分别达.5亿元和.74亿元，-年CAGR分别达17.2%和10.4%。 　　投资建议：对标海外龙头企业，建议 　　风险提示 　　（1）下游需求不及预期（2）国产替代进度不及预期（3）市场竞争造成价格下滑风险 　　相关标的