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一次性拿到“四证”，
项目建设快速展开。
近日，成都高新西区高投芯未高端功率半导体器件及模组研发生产项目（以下简称“芯未”项目）施工现场，成都高投芯未半导体有限公司负责人一次性领取了《建设用地规划许可证》《建设工程规划许可证》《建筑工程施工许可证》以及《不动产权证书》“四证”，项目随即启动快速建设工作，预计明年8月建成投产。
开工建设现场
工业项目从拿地到动工建设一般需花费约个自然日，“芯未”项目则用时不到5个工作日，作为“标准地+拿地即开工”项目，刷新了该区拿地建设时间记录。
此次开工的“芯未”项目，是成都高新区围绕集成电路细分领域引进的强链补链项目，主要从事IGBT（绝缘栅双极型晶体管）等功率半导体芯片及产品的设计、开发、销售。项目总投资约10亿元，计划分两期建设，建成投产后将为包括森未科技在内的功率半导体设计企业提供IGBT特色授权委托加工服务，包括IGBT芯片、模组及方案组件产品等，预计实现年营收9亿元、年税收万元。
“芯未”项目效果图
IGBT作为新能源汽车中的核心元器件，是电动车能够正常行驶的重要保证，在新能源领域有着广泛的应用。“新能源发电和新能源车都有驱动、控制、传感功能，我们后续将把这几个功能集成，形成一种集成度更高，工艺密度更大的产品形态，提升发电效率。”上述负责人介绍，该项目将进一步丰富完善基于自主创新技术的生产工艺平台，发挥设计、晶圆工艺和集成封装产业链协同创新模式，弥补成都电子信息产业在高端功率半导体器件及组件生产制造上的空白。
深化“标准地”改革，推行“拿地即开工”营商环境优化，是成都高新区当前正全力推进的一项重要工作。“芯未”项目用地拿地建设，一方面通过提前开展文勘等综合性评价工作降低企业开发建设成本、节约报规报建工作时间，另一方面通过简化、优化、标准化供地程序，撬动企业投资项目审批的全流程改革，为项目落地、开发建设保驾护航。“也为后续其他项目快速落地提供了宝贵的实践经验。”成都高新西区发展建设指挥部相关负责人说。
“芯未”项目效果图
年以来，四川省、成都市陆续出台了工业用地“标准地”改革相关文件，要求探索推行工业用地“标准地”改革，积极构建工业项目公开透明的新型招商模式、全程监管的新型管理模式和节约集约的新型用地模式，助推经济高质量发展。
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川观新闻
原标题：《5个工作日“四证齐发”！成都高新区这一半导体项目开工建设》
