功率半导体在电力电子设备中用于控制和转换系统中的电力。它们几乎可以在每个系统中找到，例如汽车、手机、电源、太阳能逆变器、火车、风力涡轮机等。

功率半导体有多种类型，每一种都用带有“V”或电压的数字表示。“V”是器件中允许的最大工作电压。

当今的功率半导体市场由基于硅的器件主导，其中包括功率MOSFET、超高功率MOSFET和绝缘栅双极晶体管(IGBT)。

过去一年里，我们看到随着市场对半导体性能的要求不断提高，及各种利好政策相继出台，第三代半导体等新型化合物材料凭借其性能优势崭露头角，迎来了产业爆发风口。

在第三代半导体万众瞩目的时刻，第四代半导体也正逐渐进入我们的视线。

作为新型的宽禁带半导体材料，氧化镓(Ga2O3)由于自身的优异性能，凭借其比第三代半导体材料SiC和GaN更宽的禁带，在紫外探测、高频功率器件等领域吸引了越来越多的

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