IGBT（绝缘栅双极型晶体管）是由BJT（双极结型晶体三极管）和MOS（绝缘栅型场效应管）组成的复合全控型--电压驱动式--功率半导体器件，其具有自关断的特征。作为功率半导体器件第三次技术革命的代表性产品，IGBT从上世纪80年代至今经历了六代技术演变，具有高频率、高电压、大电流、易于开关等优良性能，被业界誉为功率变流装置的“CPU”。表：IGBT的技术演进来源：东兴证券研究所采用IGBT进行功率变换，能够提高用电效率和质量，具有高效节能和绿色环保的特点，是解决能源短缺问题和降低碳排放的关键支撑技术。因此，广泛应用于工业、家用电器、新能源汽车、轨道交通、医学乃至军工航天领域等领域。图：年IGBT细分市场（左：全球，右：中国）来源：集邦咨询我国是IGBT需求上升最快的国家之一，据集邦咨询年IGBT产业发展报告显示，受益于新能源汽车及工业领域需求的大幅增长和IGBT技术的逐渐成熟，IGBT市场规模迅速正在迅速扩大；年我国IGBT市场规模为亿元，同比增长19.9%。尽管目前，国内也有众多厂商加入IGBT产品布局，但国内IGBT市场依然产量依然较低，与国内巨大需求相比供不应求。年国内IGBT产量万只，较年的万只增加了万只，同比增长36%。但年国内IGBT产品需求达万只，供需缺口达万只，国内产量严重不足。图：我国IGBT产量及需求情况来源：智研咨询目前全球IGBT市场主要由国外企业占据，从全球市场竞争格局来看，IGBT供应商分布相对集中，主要由欧洲、美国、日本三个国家（地区）提供，其中包括德国英飞凌、瑞士ABB、美国安森美、飞兆以及日本三菱、东芝、富士等公司，他们凭借先进的生产及制造工艺，占据了大部分市场份额。图：全球功率器件供应商市占率来源：Yole由于IGBT行业存在技术门槛较高、人才匮乏、市场开拓难度大、资金投入较大等困难，国内企业在产业化的进程中一直进展缓慢，随着全球制造业向我国转移，我国功率半导体市场占世界市场的50%以上，是全球最大的IGBT市场，但IGBT产品严重依赖进口，在中高端领域更是90%以上的IGBT器件依赖进口，IGBT国产化需求已是刻不容缓。虽然我国IGBT市场需求增长迅速，但由于国内相关人才缺乏，工艺基础薄弱，国内企业产业化起步较晚，IGBT模块至今仍几乎全部依赖进口，市场主要由欧洲、日本及美国企业占领。但国内厂商发展具有自身优势：在需求端，我国功率半导体市场规模居全球首位，本土IGBT企业拥有靠近目标市场的地域优势，可以对市场需求做出快速反应；在供给端，自主可控是发展趋势，同时国内的IGBT企业相较于国外厂商往往具备成本与定制化的相对优势。再加上国家政策及社会资本的加持，未来，实现IGBT国产替代仍具有较高可能性。本土IGBT相关企业江苏捷捷微电子股份有限公司成立于年3月，是一家从事半导体分立器件研发、制造和销售的企业，晶闸管器件及芯片方片化IDM厂商。公司拥有五条半导体功率器件产品线。主营产品包括MOSFET器件，IGBT，半导体防护器件，二极管，SiC二极管，塑封可控硅，小信号器件，固态继电器等。杭州士兰微电子股份有限公司成立于年9月，是一家半导体IDM企业，公司业务主要集中于三大领域，一是基于士兰芯片生产线高压、高功率、高频特殊工艺的集成电路、功率模块(IPM/PIM)、功率器件及（各类MCU/专用IC组成的）功率半导体方案；二是MEMS传感器产品、数字音视频和智能语音产品；三是光电产品及LED芯片制造和封装。主营产品包括分立器件成品（IGBT、MOS管、TVS、FRD、三极管、SBD），IPM智能功率模块，IGBT模块，AC-DC电路，快充电路，DC-DC电路，LED驱动电路（照明、调光），栅极驱动集成电路，MEMS传感器电路，8/32位MCU，专用ASIC电路等。江苏固特电气控制技术有限公司成立于年3月，专业研制和生产固态继电器，电力半导体模块，调压调功控制器及软启动控制器，风机调速器产品系列，智能温控仪表。主要产品包括固态继电器、功率半导体模块（IGBT模块、晶闸管模块、整流管模块、晶闸管/整流混合模块、整流桥模块、电机旋转模块）、电力调整器、固态调压器、温控仪表、风力调速器、三相电机正反转模块。比亚迪半导体有限公司成立于年10月，作为半导体IDM企业，比亚迪半导体主要从事功率半导体、智能控制IC、智能传感器、光电半导体的设计、研发、制造及服务，产品广泛应用于汽车、工业、能源、通讯和消费电子等领域。年,比亚迪组建团队,开始研发IGBT；年推出国内首款自主研发IGBT芯片，打破国外企业的技术垄断；年推出IGBT4.0芯片，成为国内中高端IGBT功率芯片新标杆；年推出国内首款批量装车的SiCMOSFET，已应用于比亚迪全新旗舰豪华轿车“汉”车型。主营产品包括功率半导体器件、IGBT功率模块、电源管理IC、CMOS图像传感器、传感及控制IC、音视频处理IC等。嘉兴斯达半导体股份有限公司成立于年4月，是一家专业从事功率半导体芯片和模块尤其是IGBT芯片和模块研发、生产和销售服务的国家级高新技术企业，成功研发出了全系列IGBT芯片、FRD芯片和IGBT模块。其中IGBT模块产品超过种，电压等级涵盖V～V，电流等级涵盖10A～3A。产品已被成功应用于新能源汽车、变频器、逆变焊机、UPS、光伏/风力发电、SVG、白色家电等领域。主要产品包括IGBT器件，IGBT模块（V、V、V、V、），MOSFET模块，IPM模块，FRD/整流模块/晶闸管、SiC等。江苏宏微科技股份有限公司成立于年8月，业务包括设计、研发、生产和销售新型电力半导体芯片、分立器件及模块，如FRED、VDMOS、IGBT芯片、分立器件、标准模块及用户定制模块(CSPM)；高效节能电力电子装置的模块化设计、制造及系统的解决方案，如动态节能照明电源、开关电源、UPS、逆变及变频装置等。主要产品包括快恢复二极管芯片及模块，IGBT分立器件及模块，MOSFET分立器件，FRED分立器，整流二极管模块，晶闸管模块，整流桥模块，电源模组等。西安卫光科技有限公司成立于年1月，隶属于陕西电子信息集团公司，是大功率半导体器件重点骨干企业和军用元器件研制、生产定点企业。现有六条生产线（6英寸0.35μmMOSFET/IGBT芯片、4英寸功率双极型晶体管/TVS、硅低频大功率晶体管、玻璃钝化封装二极管、硅堆硅桥生产线、功率模生产线、塑封晶体管生产线）。产品广泛应用于航天、航空、电子、兵器、船舶、核工业等领域。主要产品包括MOSFET/IGBT晶体管、功率模块、双极型功率晶体管、玻璃钝化封装二极管、金属封装二极管、硅堆、硅桥、TVS瞬态电压抑制二极管。苏州硅能半导体科技股份有限公司成立于年11月，是一家半导体设计与制造公司，已开发的产品包括大功率MOSFET、沟槽式肖特基、射频功率晶体管、IGBT和功率集成电路，产品广泛应用于电动车电机、笔记本等数码产品、锂电保护、Adaptor、太阳能（LED）、航模、工业开关控制（UPS）、变频器、通讯设备等等各种电源转换控制。龙腾半导体股份有限公司成立于年7月，是一家致力于新型功率器件研发、生产、销售和服务的高新技术企业。已形成超结MOSFET、IGBT、中低压SGTMOSFET、中低压沟槽MOSFET、高压平面MOSFET及功率模块等完整的功率器件产品系列，产品已在消费类（TV板卡电源、充电器、适配器、LED驱动电源）、工业类（计算机及服务器电源、通信电源）、汽车类（充电桩、车载电源）等领域得到了广泛应用。西安派瑞功率半导体变流技术股份有限公司成立于年12月，是西安电力电子技术研究所的全资子公司，主营业务是功率半导体分立器件、电力电子变流装置以及功率半导体器件测试试验设备的设计、开发、生产和服务。主要产品包括大功率晶闸管，IGBT模块，大功率整流管，散热器，电力半导体模块等。江苏中科君芯科技有限公司成立于年11月，是一家专注于IGBT、FRD等新型电力电子芯片研发的中外合资高科技企业。公司推出的IGBT芯片、单管和模块产品从V至0V，覆盖了目前主要电压段及电流段，已批量应用于感应加热、逆变焊机、工业变频、新能源等领域；其独创的DCS技术将应用于最新的汽车级IGBT芯片中。深圳市华之美半导体有限公司成立于年2月，是国内电源管理IC和功率半导体器件领先的设计与销售企业，专业从事各种电源管理IC和功率半导体器件的设计、生产和销售。产品包括电源管理IC、MOS管(低压/中压/高压)、高压开关三极管、IGBT、时钟日历IC、接口IC、LED射灯日光灯球泡灯台灯驱动IC、运放IC、比较器IC、逻辑电路IC、模拟开关IC、EEPROMIC、音频放大IC、LED数码管驱动IC等。宁波达新半导体有限公司成立于年3月，从事IGBT、MOSFET、FRD等功率半导体芯片与器件的设计、制造和销售，并提供相关的应用解决方案。建有一条IGBT模块产线，在上海有芯片设计中心，负责芯片设计和制造管理。在8寸及6寸晶圆制造平台成功开发V-VIGBT芯片产品，芯片电流等级涵盖10A～A。采用自主IGBT芯片，推出了系列化的满足工业应用、消费电子、新能源的IGBT模块，模块电压涵盖V～V，电流等级涵盖10A～A。公司IGBT产品可广泛应用于白色家电、逆变焊机、工业变频、感应加热、大功率电源、UPS、新能源汽车、太阳能/风力发电、SVG等领域。深圳芯能半导体技术有限公司成立于年9月，是一家半导体产品研发商，致力于IGBT芯片、IGBT驱动芯片以及大功率智能功率模块的研发、应用和销售，产品广泛应用于工业伺服电机驱动、电磁炉、变频家电以及逆变焊机等领域，同时公司为用户提供技术支持。四川广义微电子股份有限公司成立于年3月，是遂宁市引进的第一家半导体芯片制造项目，产品领域涉及高压VDMOS、双极IC、COOLMOS工艺平台、TRENCHMOS、IGBT、肖特基等6大门类，最小线宽0.25μm。广泛应用于智能家具、手机、音响、车载音响等领域。深圳尚阳通科技有限公司成立于年6月，是一家致力于高端半导体功率器件设计、开发、制造及销售的集成电路设计公司，公司的产品包括IGBT、超结MOSFET、SGTMOSFET等。丽晶美能（北京）电子技术有限公司成立于年7月，致力于功率半导体芯片和器件的研发、生产和销售的国家级高新技术企业。拥有完整的功率模块生产测试基地，实现了集芯片设计-芯片制造-封装测试-应用方案为一体的全核心技术链的研发模式。目前公司拥有IGBT、FRD等系列的芯片和大功率模块产品。嘉兴奥罗拉电子科技有限公司成立于年12月，是一家专业从事功率半导体器件研发、销售和技术服务的创新型企业。公司特色产品为宇航级抗辐射VDMOS，此外，还包括IGBT单管及模块，沟槽MOS，普通MOS，二极管（FRD、TMBS、TVS），Rad-HardMOS。中山汉臣电子科技有限公司成立于年2月，是一家从事功率半导体元器件的设计、研发及销售的高科技公司，主要产品包括Trench-FSIGBT、Shielded-GateTrenchMOSFET、HVMOSFET、Fast-RecoveryMOSFET等，产品广泛应用于电源管理、电机驱动等系统中。主营产品包括IGBT、MOSFET。贵州芯长征科技有限公司成立于年3月，是一家新型功率半导体器件开发公司，核心业务包括IGBT、coolmos，SiC等芯片产品及技术开发，可实现从芯片设计、制造工艺、封测、可靠性、应用等全链条贯通。烟台台芯电子科技有限公司成立于年5月，主营业务包括IGBT芯片设计、研发，IGBT功率模块封装、生产、检测、销售，以及第三代宽禁带半导体SiC器件的研发和生产。拥有涵盖芯片设计、模块封装、产品检测、产品销售为一体的完整产业链，公司产品主要面向逆变焊机、变频器、新能源汽车、充电桩、风力发电和智能电网等新能源领域。上海功成半导体科技有限公司成立于年5月，致力于半导体功率器件的研发与产业化，主要产品包括：20V~V沟槽型功率VDMOS（N沟道和P沟道），V~V超结功率MOSFET，V~V沟槽栅场截止型IGBT。深耕光伏新能源、工业变频、消费电子、开关电源等市场应用。江苏东晨电子科技有限公司成立于年12月，公司前身为江苏东光微电子股份有限公司，逐渐从单一的固体放电管生产厂商逐步成长为集芯片设计、研发、封装检测和销售为一体的功率半导体分立器件及集成电路企业，已形成IGBT、VDMOS、防护器件、晶闸管、GDT等系列产品，产品广泛应用于通信设备、网络设备、数字电视、民用电路、摩托车、电动工具、家用电器、节能灯、消费电子、汽车电子、设备和仪表等领域。上海宝芯源功率半导体有限公司成立于年9月，专注于设计，生产和销售应用于电源管理，马达驱动，模拟开关，音频功效等领域高性能功率半导体元器件。现有成熟产品包括大功率MOS器件，肖特基二极管，IGBT和功率驱动IC等。无锡紫光微电子有限公司成立于年8月，是由紫光同芯微电子有限公司投资的一家高新技术企业，是一家专注于先进半导体功率器件和集成电路的设计研发、芯片加工、封装测试及产品销售的集成电路设计企业，公司开发和生产的SJMOSFET、DTMOSFET、HVVDMOS、IGBT、IGTO、HalfBridgeGateDriver等先进半导体功率器件以及相关的电源管理集成电路等产品广泛应用于节能、绿色照明、风力发电、智能电网、混合动力\电动汽车、仪器仪表、消费电子等领域。青岛佳恩半导体有限公司成立于年3月，是一家拥有核心芯片及方案技术的高科技公司，主要从事IGBT、MOSFET、FRD等功率半导体芯片与器件的设计、制造和销售，并提供相关的系统应用解决方案。成都蓝矽科技有限公司成立于年12月，是一家功率半导体设计公司，产品系列从MOSFET和IGBT等分立器件开始，逐步延伸到模组，并涵盖SiC和GaN器件以及相关电源管理芯片，其解决方案包括直流电机驱动解决方案、锂电池保护解决方案、无线充电解决方案、手机充电器等。株洲中车时代电气股份有限公司成立于年9月，作为中车时代电气股份有限公司下属全资子公司，全面负责公司半导体产业经营。从年开始投入功率半导体技术的研发与产业化，8年战略并购英国丹尼克斯公司，目前已成为国际少数同时掌握大功率晶闸管、IGCT、IGBT及SiC器件及其组件技术的IDM（集成设计制造）模式企业代表，拥有芯片—模块—装置—系统完整产业链。上海陆芯电子科技有限公司成立于年5月，是一家专注于最新一代功率半导体器件的高科技公司，聚焦于功率半导体（IGBT、SJMOSSiC）的设计和应用。产品适用于感应加热行业（电磁炉电磁灶、IH电饭锅）、高频工业领域（电焊机、UPS、光伏逆变器、PFC等）、电机驱动领域（工业变频器、热泵、变频空调）、新能源电动汽车（车载OBC、充电桩、汽车电机驱动、汽车电子等）。天津中环半导体股份有限公司成立于年12月，是生产经营半导体材料和半导体集成电路与器件的高新技术企业，主营业务包括高压器件、功率集成电路与器件、单晶硅和抛光片四大方面。器件产品包括分立IGBT、IGBT模块、MOSFET、SiC二极管、肖特基二极管等。科达半导体有限公司成立于年10月，主要从事IGBT、FRD、MOSFET等新型功率半导体器件(电力电子器件）的设计、生产和销售。公司在深圳、上海、浙江、成都、香港等地区均设有销售中心。产品广泛应用于电磁炉、小功率变频器、逆变焊机、无刷马达控制器、UPS、开关电源、液晶电视及显示器、太阳能应用等领域。无锡新洁能股份有限公司成立于年1月，主要从事半导体功率器件的研发与销售，主要产品包括：12V~V沟槽型功率MOSFET（N沟道和P沟道）、30V~V屏蔽栅功率MOSFET（N沟道和P沟道）、V~V超结功率MOSFET、V~V沟槽栅场截止型IGBT，产品已成功进入汽车电子、电机驱动、家用电器、消费电子、LED照明、电动车、安防、网络通信等市场领域。西安中车永电电气有限公司成立于年12月，是中车永济电机有限公司全资控股的专门从事电力电子产品的研发、生产、销售、服务的高技术企业。公司主要产品有：IGBT模块、IPM模块、整流管、晶闸管、组合元件等电力半导体器件；变流器、功率模块、城轨地面整流装置、地铁单向导通装置、充电机等装置。产品主要应用于高速铁路、风力发电、冶金工业、城市轨道交通、太阳能光伏发电等领域。威海新佳电子有限公司成立于年5月，专注于新型功率半导体器件和应用产品的研发及生产，主要有3条产品线,盖了1GBT、MOSFET、FRD,可控硅、整流模块、固态继电器和智能模块等产品。形成了以IGBT为核心器件,应用于变频控制、电能质量管理、电动汽车等域的功率半导体器件一体化解决方案。南京银茂微电子制造有限公司成立于年11月，以研发、制造和销售拥有自主知识产权的新型电力电子模块（国产IGBT功率模块、MOSFET功率模块）、全气密半气密高可靠性混合电路电子器件、大规模变流技术核心组件为主营业务。具备年产通用功率模块65万件和高压大功率模块10万件以上的生产能力。欢迎留言补充END分享点赞在看

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