北京白癜风医院那家好 https://m.39.net/disease/a_c9oekn7.html东微半导()成立于年,是一家以高性能功率器件研发与销售为主的技术驱动型半导体公司,主营高压超级结和中低压屏蔽栅MOSFET(金属-氧化物半导体场效应晶体管),自主创新IGBT(绝缘栅极型功率管)拓宽产品线,产品用于充电桩、5G基站电源、车载OBC等领域,下游客户包括华为、比亚迪、英飞源等。据Omdia数据,年公司占全球高压超级结市场的份额为3.8%,占中国高压超级结市场份额约为8.6%,为国内龙头。公司-年营收CAGR达42%,年实现营收同比增长.28%。功率半导体下游应用广泛,国产替代空间大。随着国民经济的持续发展,功率半导体的应用领域已从工业控制和消费电子拓展至新能源、轨道交通、智能电网、变频家电等诸多市场,国内市场规模呈现稳健增长态势。其中MOSFET器件在下游的消费电子、通信、工业控制、汽车电子等领域占据了主要的市场份额,下游应用不断拓宽。与此同时,全球MOSFET器件市场基本被海外厂商占据,年前十大公司市场占有率达到74.42%,国产替代具有广阔的发展空间。基于多年的技术优势积累、产业链深度结合能力以及优秀的客户创新服务能力,公司已成为国内领先的高性能功率器件厂商之一,是少数能在超级结MOSFET领域突破海外技术垄断的本土公司之一,还是国内少数具备器件创新结构能力的公司。公司推出的GreenMOS系列超级结MOSFET产品打破了国外厂商在充电桩功率器件领域的垄断地位,技术指标与国际领先厂商相当。中低压MOSFET与国际领先厂商差距较小,与国内厂商相比处于前列。供给侧方面,受益于华虹12英寸功率产能扩充,同时与广州粤芯、DBHitek建立合作,未来晶圆供应有所保障;需求侧方面,随着电动汽车的加速渗透,充电桩建设量稳步增长,同时工业及通信电源领域需求上升,叠加公司MOSFET产品竞争力,预计未来国内市场份额在年8.6%的基础上将进一步提升。公司自创IGBT单管,性能可对标国际厂商,已有OBC等领域订单。公司独创的单管结构TGBT在不提高制造难度的前提下,提升功率密度,性能不输国际厂商同规格产品。年上半年IGBT单管创收22.95万元,主要来自储能领域的深圳拓邦股份。至年8月,IGBT在手订单合计约万元,客户有来自车载充电机领域的英搏尔电气、消费电源领域的迪比科电子、光伏领域的新明海科技、储能领域的拓邦股份等,未来营收将持续增长。创新产品超级硅MOSFET性能对标氮化镓,有望成为第二成长曲线。公司的超级硅MOSFET拥有高速开关以及低动态损耗的特性,在硅基制造工艺上进一步提升了器件的开关速度,在主流快速充电器应用中能获得接近氮化镓(GaN)功率模块的效率和功率密度,但生产成本更低仅为同效率氮化镓器件的20%,目前已有18种型号进入量产。天风证券表示,公司超级结MOSFET受益汽车电动化、高性能充电器等需求快速发展;超级硅MOSFET性能对标氮化镓器件,有望开启第二增长曲线;TGBT、Hybrid-FET等创新型器件持续推动产业化,未来发展可期。预计-年营收分别为7.81亿元、11.18亿元、15.94亿元,净利润分别为1.43亿元、2.02亿元、3.01亿元。据wind一致性预测,可比公司年平均PE估值为76.7倍,给予公司75倍PE估值,对应年2.02亿元净利润,市值为.2亿元,对应目标价.4元/股,首次覆盖给予买入评级。记者刘希玮
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