在电子电路中，MOS管和IGBT管会屡次涌现，它们均也许做为开关元件来行使，MOS管和IGBT管在形状及个性参数也对照如同。那为甚么有些电路用MOS管，而有些电路用IGBT管？

上面咱们就来知道一下，MOS管和IGBT管究竟有甚么差别吧！

1、甚么是MOS管？

场效应管首要有两品种别，别离是结型场效应管（JFET）和绝缘栅场效应管（MOS管）。

MOS管即MOSFET，华文全称是金属-氧化物半导体场效应晶体管，由于这类场效应管的栅极被绝缘层断绝，是以又叫绝缘栅场效应管。

MOSFET又可分为N沟耗尽型和巩固型；P沟耗尽型和巩固型四大类。

MOSFET品种与电路标记

有的MOSFET内部会有个二极管，这是体二极管，也许叫寄生二极管、续流二极管。

对于寄生二极管的效用，有两种评释：

MOSFET的寄生二极管，效用是避让VDD过压的状况下，烧坏MOS管，由于在过压对MOS管形成毁坏以前，二极管先反向击穿，将大电流直接到地，进而避让MOS管被烧坏。

避让MOS管的源极和漏极反接时烧坏MOS管，也也许在电路有反向感生电压时，为反向感生电压供给通路，避让反向感生电压击穿MOS管。

MOSFET具备输入阻抗高、开关速率快、热平稳性好、电压掌握电流等个性，在电路中，也许用做夸大器、电子开关等用处。

2、甚么是IGBT？

IGBT(InsulatedGateBipolarTransistor)，绝缘栅双极型晶体管，是由晶体三极管和MOS管构成的复合型半导体器件。

IGBT做为新式电子半导体器件，具备输入阻抗高，电压掌握功耗低，掌握电路简捷，耐高压，接受电流大等个性，在百般电子电路中赢得极遍及的运用。

IGBT的电路标记于今并未统一，画道理图时寻常是借用三极管、MOS管的标记，这时也许从道理图上标注的型号来决断是IGBT仍然MOS管。

同时还要细致IGBT有没有体二极管，图上没有标出并不示意确定没有，除非官方质料有非常解说，不然这个二极管都是存在的。

IGBT内部的体二极管并非寄生的，而是为了爱护IGBT脆弱的反向耐压而非常配置的，又称为FWD（续流二极管）。

决断IGBT内部是不是有体二极管也并不痛苦，也许用万用表丈量IGBT的C极和E极，若是IGBT是好的，C、E两极测得电阻值无限大，则解说IGBT没有体二极管。

IGBT非常恰当运用于如互换机电、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等畛域。

3、MOS管与IGBT的构造特色

MOS管和IGBT管的内部构造，下列图所示：

IGBT是经过在MOSFET的漏极上追加层而形成的。

IGBT的愿望等效电路下列图所示，IGBT实践便是MOSFET和晶体管三极管的组合，MOSFET存在导通电阻高的瑕玷，但IGBT征服了这一瑕玷，在高压时IGBT仍具备较低的导通电阻。

其它，如同功率容量的IGBT和MOSFET，IGBT的速率也许会慢于MOSFET，由于IGBT存在关断拖尾光阴，由于IGBT关断拖尾光阴长，死区光阴也要加长，进而会影响开关频次。

4、筛选MOS管，仍然IGBT？

在电路中，采用MOS管做为功率开关管仍然筛选IGBT管，这是工程师常碰到的题目，若是从系统的电压、电流、切换功率等要素做为琢磨，也许归纳出下列几点：

也可从下图看出两者行使的前提，暗影部份地域示意MOSFET和IGBT均也许采用，“？”示意目下工艺还无奈抵达的水准。

总的来讲，MOSFET长处是高频个性好，也许办事频次也许抵达几百kHz、上MHz，瑕玷是导通电阻大在高压大电流局面功耗较大；而IGBT在低频及较大功率局面下体现优异，其导通电阻小，耐压高。

MOSFET运用于开关电源、镇流器、高频感触加热、高频逆变焊机、通讯电源等等高频电源畛域；IGBT集结运用于焊机、逆变器、变频器、电镀电解电源、超音频感触加热等畛域。

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