先说个奸笑话，IGBT，不是LGBT，不是性多数集体的意义……好了，回到正题。

IGBT晶体管，英文全称是「InsulatedGateBipolarTransistor」，华文名叫「绝缘栅双极晶体管」。

IGBT晶体管是半导体器件的一种，要紧被用于电动汽车、铁路机车及动车组的相易电电动机的输出把持等周围。

IGBT晶体管是由BJT（双极型晶体或双极性晶体管，俗称三极管）和MOSFET（绝缘栅型场效应管，也叫IGFET，InsulatedGateFieldEffectTransister）构成的复合全控型电压启动式功率半导体器件，它兼有MOSFET的启动电流小，以及BJT导通电阻低两方面的好处（保守的BJT导通电阻小，不过启动电流大，而MOSFET的导通电阻大，却启动电流小）。

恰是由于IGBT晶体管联结了MOSFET的高电流单栅把持特点及BJT的低饱和电压的才略，在简单的IGBT器件里，会经过过把一个隔绝的FET（场效应晶体管）联结，做为其把持输入，并以BJT做开关。

IGBT是强电流、高压运用和疾速末端设立用笔直功率MOSFET的天然退化。

实行一个较高的击穿电压BVDSS须要一个源漏沟道，而这个沟道却具备很高的电阻率，于是造胜利率MOSFET具备RDS(on)数值高的特色，IGBT消除了现有功率MOSFET的这些要紧弱点。即使最新一代功率MOSFET器件大幅度鼎新了RDS(on)特点，不过在高耐压的器件上，功率导通花费仍旧要比IGBT手艺凌驾许多。较低的压降，更动成一个低VCE(sat)的才略，以及IGBT的组织，统一个准则双极器件比拟，可援助更高电流密度，并简化IGBT启动器的旨趣图。

根源：OFweek维科号做家：博科考察

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