功率半导体供应商在持续开发和交付基于传统硅技术的设备，但硅已接近它的性能极限，并面临来自GaN和SiC等技术的日益激烈的竞争。

作为回应，业界正在寻找扩展传统的硅基功率器件的方法。至少在短期内，芯片制造商正在努力提高性能并延长技术的应用时间。

功率半导体是用于从低压到高压多种应用场景的专用晶体管，例如汽车、工业、电源、太阳能和火车。这些晶体管像设备中的开关一样工作，允许电流在“开”状态下流动并在“关”状态下停止。它们提高了设备的运作效率，并最大限度地减少了设备系统中的能量损失。

多年来，功率半导体市场一直由硅基器件主导，即功率MOSFET、超结功率MOSFET和绝缘栅双极晶体管(IGBT)。这些硅基器件于上世纪70年代首次实现商业化，如今几乎在每个系统中都能找到。这些产品在技术上比较成熟且价格低廉，但它们也有一些缺点，并且在某些情况下达到了理论性能极限。

这就是为什么许多供应商也在开发和交付基于两种宽带隙半导体——氮化镓(GaN)和碳化硅(SiC)的新型功率器件。在一段时间里，市场上GaN和硅基功率器件在不同领域与硅基IGBT和硅基MOSFET竞争。虽然GaN和SiC器件效率更高，但它们也更昂贵。

总的来说，这些不同类型的功率半导体为客户提供了选择，但它们也增加了一定程度的混乱。事实证明，没有一种功率器件可以满足系统中的所有要求。这就是客户需要一系列具有不同额定电压和价位的选项的原因。

GaN和SiC器件在近期备受

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